肖特基二極管和快恢復二極管兩種二極管都是單向導電，可用于整流場合。區別是普通硅二極管的耐壓可以做得較高，但是它的恢復速度低，只能用在低頻的整流上，如果是高頻的就會因為無法快速恢復而發生反向漏電，將導致管子嚴重發熱燒毀;肖特基二極管的耐壓能常較低，但是它的恢復速度快，可以用在高頻場合，故開關電源采用此種二極管作為整流輸出用，盡管如此，開關電源上的整流管溫度還是很高的。快恢復二極管是指反向恢復時間很短的二極管(5us以下)，工藝上多采用摻金措施，結構上有采用PN結型結構，有的采用改進的PIN結構。其正向壓降高于普通二極管(1-2V)，反向耐壓多在1200V以下。從性能上可分為快恢復和超快恢復兩個等級。前者反向恢復時間為數百納秒或更長，后者則在100納秒以下。肖特基二極管是以金屬和半導體接觸形成的勢壘為基礎的二極管，簡稱肖特基二極管(SchottkyBarrierDiode)，具有正向壓降低()、反向恢復時間很短(10-40納秒)，而且反向漏電流較大，耐壓低，一般低于150V，多用于低電壓場合。這兩種管子通常用于開關電源。肖特基二極管和快恢復二極管區別：前者的恢復時間比后者小一百倍左右，前者的反向恢復時間大約為幾納秒~!前者的優點還有低功耗，大電流。 MBR60200PT是什么種類的管子？四川肖特基二極管MBR30150PT

    反向漏電流的組成主要由兩部分：一是來自肖特基勢壘的注入；二是耗盡層產生電流和擴散電流。[2]二次擊穿產生二次擊穿的原因主要是半導體材料的晶格缺陷和管內結面不均勻等引起的。二次擊穿的產生過程是：半導體結面上一些薄弱點電流密度的增加，導致這些薄弱點上的溫度增加引起這些薄弱點上的電流密度越來越大，溫度也越來越高，如此惡性循環引起過熱點半導體材料的晶體熔化。此時在兩電極之間形成較低阻的電流通道，電流密度驟增，導致肖特基二極管還未達到擊穿電壓值就已經損壞。因此二次擊穿是不可逆的，是破壞性的。流經二極管的平均電流并未達到二次擊穿的擊穿電壓值，但是功率二極管還是會產生二次擊穿。[2]參考資料1.孫子茭．4H_SiC肖特基二極管的研究：電子科技大學，20132.苗志坤．4H_SiC結勢壘肖特基二極管靜態特性研究：哈爾濱工程大學，2013詞條標簽：科學百科數理科學分類。浙江肖特基二極管MBR1045CTMBR2045CT是什么種類的管子？

    在高溫下能夠穩定的工作，它在功率器件領域很有應用前景。目前國際上報道的幾種結構：UMOS、VDMOS、LDMOS、UMOSACCUFET，以及SIAFET等。2008年報道的雙RESURF結構LDMOS，具有1550V阻斷電壓.[1]碳化硅肖特基二極管2碳化硅肖特基二極管SBD在導通過程中沒有額外載流子的注入和儲存，因而反向恢復電流小，關斷過程很快，開關損耗小。傳統的硅肖特基二極管，由于所有金屬與硅的功函數差都不很大，硅的肖特基勢壘較低，硅SBD的反向漏電流偏大，阻斷電壓較低，只能用于一二百伏的低電壓場合且不適合在150℃以上工作。然而，碳化硅SBD彌補了硅SBD的不足，許多金屬，例如鎳、金、鈀、鈦、鈷等，都可以與碳化硅形成肖特基勢壘高度1eV以上的肖特基接觸。據報道，Au/4H-SiC接觸的勢壘高度可達到eV，Ti/4H-SiC接觸的勢壘比較低，但也可以達到eV。6H-SiC與各種金屬接觸之間的肖特基勢壘高度變化比較寬，低至eV，高可達eV。于是，SBD成為人們開發碳化硅電力電子器件首先關注的對象。它是高壓快速與低功率損耗、耐高溫相結合的理想器件。目前國際上相繼研制成功水平較高的多種類的碳化硅器件。[1]SiC肖特基勢壘二極管在1985年問世，是Yoshida制作在3C-SiC上的。

    6、肖特基二極管的作用及其接法-變容變容肖特基二極管(VaractorDiodes)又稱"可變電抗二極管"，是利用pN結反偏時結電容大小隨外加電壓而變化的特性制成的。反偏電壓增大時結電容減小、反之結電容增大，變容肖特基二極管的電容量一般較小，其值為幾十皮法到幾百皮法，區容與電容之比約為5:1。它主要在高頻電路中用作自動調諧、調頻、調相等、例如在電視接收機的調諧回路中作可變電容。當外加順向偏壓時，有大量電流產生，PN（正負極）結的耗盡區變窄，電容變大，產生擴散電容效應；當外加反向偏壓時，則會產生過渡電容效應。但因加順向偏壓時會有漏電流的產生，所以在應用上均供給反向偏壓。肖特基二極管應用SBD的結構及特點使其適合于在低壓、大電流輸出場合用作高頻整流，在非常高的頻率下（如X波段、C波段、S波段和Ku波段）用于檢波和混頻，在高速邏輯電路中用作箝位。在IC中也常使用SBD，像SBD?TTL集成電路早已成為TTL電路的主流，在高速計算機中被采用。除了普通PN結二極管的特性參數之外，用于檢波和混頻的SBD電氣參數還包括中頻阻抗（指SBD施加額定本振功率時對指定中頻所呈現的阻抗，一般在200Ω～600Ω之間）、電壓駐波比（一般≤2）和噪聲系數等。MBR10100CT是什么類型的管子？

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LOWVF溝槽系列肖特基二極管具有極其低的正向壓降和極低的反向漏電流，使用在電源供應器的高溫環境，有效的避免熱跑脫困擾。LOWVF溝槽系列肖特二極管很好地改善了熱和效率的問題，也改善了質量的問題，符合終端客戶的能源之星規范。采用GPP工藝芯片，采用高純度的無氧銅框架，令產品的導電性能非常用良好，而塑封用的環保黑膠，氣密性良好，導熱性優良，令產品工作時的散熱效果非常好，以上優勢使產品長久穩定的工作。低壓降肖特基二極管應用：廣泛應用于開關電源，變頻器，驅動器等電路，作高頻、低壓、大電流整流二極管、續流二極管、保護二極管使用。四川肖特基二極管MBR30150PT

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