肖特基(Schottky)二極管又稱肖特基勢壘二極管(簡稱SBD),它屬一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件。特點(diǎn)為反向恢復(fù)時(shí)間極短(可以小到幾納秒),正向?qū)▔航悼梢缘椭痢F涠嘤米鞲哳l、低壓、大電流整流二極管、續(xù)流二極管、保護(hù)二極管,也有用在微波通信等肖特基(Schottky)二極管又稱肖特基勢壘二極管(簡稱SBD),它屬一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件。在通訊電源、變頻器等中比較常見。供參考。電路中作整流二極管、小信號檢波二極管使用。在通訊電源、變頻器等中比較常見。肖特基(Schottky)二極管的特點(diǎn)是正向壓降VF比較小。在同樣電流的情況下,它的正向壓降要小許多。另外它的恢復(fù)時(shí)間短。它也有一些缺點(diǎn):耐壓比較低,漏電流稍大些。選用時(shí)要細(xì)致考慮。 MBR10150CT是什么類型的管子?湖北肖特基二極管MBRF20200CT
穩(wěn)壓二極管穩(wěn)壓二極管,英文名稱Zenerdiode,又叫齊納二極管。利用pn結(jié)反向擊穿狀態(tài),其電流可在很大范圍內(nèi)變化而電壓基本不變的現(xiàn)象,制成的起穩(wěn)壓作用的二極管。此二極管是一種直到臨界反向擊穿電壓前都具有很高電阻的半導(dǎo)體器件。在這臨界擊穿點(diǎn)上,反向電阻降低到一個(gè)很小的數(shù)值,在這個(gè)低阻區(qū)中電流增加而電壓則保持恒定,穩(wěn)壓二極管是根據(jù)擊穿電壓來分檔的,因?yàn)檫@種特性,穩(wěn)壓管主要被作為穩(wěn)壓器或電壓基準(zhǔn)元件使用。穩(wěn)壓二極管可以串聯(lián)起來以便在較高的電壓上使用,通過串聯(lián)就可獲得更高的穩(wěn)定電壓。穩(wěn)壓二極管的伏安特性曲線的正向特性和普通二極管差不多,反向特性是在反向電壓低于反向擊穿電壓時(shí),反向電阻很大,反向漏電流極小。但是,當(dāng)反向電壓臨近反向電壓的臨界值時(shí),反向電流驟然增大,稱為擊穿,在這一臨界擊穿點(diǎn)上,反向電阻驟然降至很小值。盡管電流在很大的范圍內(nèi)變化,而二極管兩端的電壓卻基本上穩(wěn)定在擊穿電壓附近,從而實(shí)現(xiàn)了二極管的穩(wěn)壓功能。肖特基二極管肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基勢壘二極管(SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD)的簡稱。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的。TO220F封裝的肖特基二極管MBRF30200CTMBR30150CT是什么類型的管子?
由于肖特基勢壘高度低于PN結(jié)勢壘高度,故其正向?qū)ㄩT限電壓和正向壓降都比PN結(jié)二極管低(約低)。肖特基二極管是一種多數(shù)載流子導(dǎo)電器件,不存在少數(shù)載流子壽命和反向恢復(fù)問題。穩(wěn)壓二極管,英文名稱Zenerdiode,又叫齊納二極管。利用pn結(jié)反向擊穿狀態(tài),其電流可在很大范圍內(nèi)變化而電壓基本不變的現(xiàn)象,制成的起穩(wěn)壓作用的二極管。[1]此二極管是一種直到臨界反向擊穿電壓前都具有很高電阻的半導(dǎo)體器件。在這臨界擊穿點(diǎn)上,反向電阻降低到一個(gè)很小的數(shù)值,在這個(gè)低阻區(qū)中電流增加而電壓則保持恒定,穩(wěn)壓二極管是根據(jù)擊穿電壓來分檔的,因?yàn)檫@種特性,穩(wěn)壓管主要被作為穩(wěn)壓器或電壓基準(zhǔn)元件使用。穩(wěn)壓二極管可以串聯(lián)起來以便在較高的電壓上使用,通過串聯(lián)就可獲得更高的穩(wěn)定電壓。穩(wěn)壓二極管與肖特基二極管的區(qū)別在于:肖特基二極管正向?qū)妷汉艿停挥校聪蛟趽舸╇妷褐安粫?huì)導(dǎo)通,起到快速反應(yīng)開關(guān)的作用。而穩(wěn)壓二極管正向?qū)妷焊胀ǘ壒芤粯蛹s為,反向狀態(tài)下在臨界電壓之前截止,在達(dá)到臨界電壓的條件下會(huì)處于導(dǎo)通的狀態(tài),電壓也不再升高,所以用在重要元器件上,起到穩(wěn)壓作用。
快恢復(fù)二極管是指反向回復(fù)時(shí)間很短的二極管(5us以下),工藝上多使用摻金措施,構(gòu)造上有使用PN結(jié)型構(gòu)造,有的使用改進(jìn)的PIN結(jié)構(gòu)。其正向壓降大于一般而言二極管(),反向耐壓多在1200V以下。從性能上可分成快回復(fù)和超快恢復(fù)兩個(gè)等級。前者反向回復(fù)時(shí)間為數(shù)百納秒或更長,后者則在100ns(納秒)以下。肖特基二極管是以金屬和半導(dǎo)體觸及形成的勢壘為根基的二極管,簡稱肖特基二極管(SchottkyBarrierDiode),兼具正向壓減低()、反向回復(fù)時(shí)間很短(2-10ns納秒),而且反向漏電流較大,耐壓低,一般小于150V,多用以低電壓場合。肖特基二極管和快回復(fù)二極管差別:前者的恢復(fù)時(shí)間比后者小一百倍左右,前者的反向恢復(fù)時(shí)間大概為幾納秒!前者的優(yōu)點(diǎn)還有低功耗,大電流,超高速!電屬性當(dāng)然都是二極管!快恢復(fù)二極管在制造工藝上使用摻金,單純的擴(kuò)散等工藝,可獲得較高的開關(guān)速度,同時(shí)也能得到較高的耐壓.目前快恢復(fù)二極管主要運(yùn)用在逆變電源中做整流元件.肖特基二極管:反向耐壓值較低(一般低于150V),通態(tài)壓降,低于10nS的反向恢復(fù)時(shí)間。它是有肖特基特性的“金屬半導(dǎo)體結(jié)”的二極管。其正向起始電壓較低。其金屬層除材質(zhì)外,還可以使用金、鉬、鎳、鈦等材質(zhì)。肖特基二極管有哪些優(yōu)缺點(diǎn)?
在高溫下能夠穩(wěn)定的工作,它在功率器件領(lǐng)域很有應(yīng)用前景。目前國際上報(bào)道的幾種結(jié)構(gòu):UMOS、VDMOS、LDMOS、UMOSACCUFET,以及SIAFET等。2008年報(bào)道的雙RESURF結(jié)構(gòu)LDMOS,具有1550V阻斷電壓.[1]碳化硅肖特基二極管2碳化硅肖特基二極管SBD在導(dǎo)通過程中沒有額外載流子的注入和儲(chǔ)存,因而反向恢復(fù)電流小,關(guān)斷過程很快,開關(guān)損耗小。傳統(tǒng)的硅肖特基二極管,由于所有金屬與硅的功函數(shù)差都不很大,硅的肖特基勢壘較低,硅SBD的反向漏電流偏大,阻斷電壓較低,只能用于一二百伏的低電壓場合且不適合在150℃以上工作。然而,碳化硅SBD彌補(bǔ)了硅SBD的不足,許多金屬,例如鎳、金、鈀、鈦、鈷等,都可以與碳化硅形成肖特基勢壘高度1eV以上的肖特基接觸。據(jù)報(bào)道,Au/4H-SiC接觸的勢壘高度可達(dá)到eV,Ti/4H-SiC接觸的勢壘比較低,但也可以達(dá)到eV。6H-SiC與各種金屬接觸之間的肖特基勢壘高度變化比較寬,低至eV,高可達(dá)eV。于是,SBD成為人們開發(fā)碳化硅電力電子器件首先關(guān)注的對象。它是高壓快速與低功率損耗、耐高溫相結(jié)合的理想器件。目前國際上相繼研制成功水平較高的多種類的碳化硅器件。[1]SiC肖特基勢壘二極管在1985年問世,是Yoshida制作在3C-SiC上的。MBR3045CT是什么類型的管子?ITO220封裝的肖特基二極管MBRB2045CT
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6、肖特基二極管的作用及其接法-變?nèi)葑內(nèi)菪ぬ鼗O管(VaractorDiodes)又稱"可變電抗二極管",是利用pN結(jié)反偏時(shí)結(jié)電容大小隨外加電壓而變化的特性制成的。反偏電壓增大時(shí)結(jié)電容減小、反之結(jié)電容增大,變?nèi)菪ぬ鼗O管的電容量一般較小,其值為幾十皮法到幾百皮法,區(qū)容與電容之比約為5:1。它主要在高頻電路中用作自動(dòng)調(diào)諧、調(diào)頻、調(diào)相等、例如在電視接收機(jī)的調(diào)諧回路中作可變電容。當(dāng)外加順向偏壓時(shí),有大量電流產(chǎn)生,PN(正負(fù)極)結(jié)的耗盡區(qū)變窄,電容變大,產(chǎn)生擴(kuò)散電容效應(yīng);當(dāng)外加反向偏壓時(shí),則會(huì)產(chǎn)生過渡電容效應(yīng)。但因加順向偏壓時(shí)會(huì)有漏電流的產(chǎn)生,所以在應(yīng)用上均供給反向偏壓。肖特基二極管應(yīng)用SBD的結(jié)構(gòu)及特點(diǎn)使其適合于在低壓、大電流輸出場合用作高頻整流,在非常高的頻率下(如X波段、C波段、S波段和Ku波段)用于檢波和混頻,在高速邏輯電路中用作箝位。在IC中也常使用SBD,像SBD?TTL集成電路早已成為TTL電路的主流,在高速計(jì)算機(jī)中被采用。除了普通PN結(jié)二極管的特性參數(shù)之外,用于檢波和混頻的SBD電氣參數(shù)還包括中頻阻抗(指SBD施加額定本振功率時(shí)對指定中頻所呈現(xiàn)的阻抗,一般在200Ω~600Ω之間)、電壓駐波比(一般≤2)和噪聲系數(shù)等。湖北肖特基二極管MBRF20200CT