下降開關速度或采用緩沖電路可以減低尖峰電壓。增加緩沖電路會增加電路成本并且使電路設計變繁復。這都是我們所不期望的。本文介紹了迅速軟恢復二極管及其模塊。該模塊電壓范圍從400V到1200V，額定電流從60A～400A不等。設計上該模塊使用外延二極管芯片，該芯片使用平面結終止結構，玻璃鈍化(圖1)并有硅橡膠維護。恢復特點如圖2所示。圖1圖2快速軟恢復二極管的基區和正極之間使用緩沖層構造，使得在空間電荷區擴張后的剩余基區內駐留更多的殘存電荷，并且駐留時間更長，提高了二極管的軟度。快回復二極管的軟度由圖2定義。軟度因子反向峰值電壓由下式確定：VR為加在二極管上的反向電壓。二極管道軟度因子越大，在關斷過程中產生的反向峰值電壓越低，使開關器件及整個電路處于較安全的狀況。一般國內生產的迅速二極管其反向回復時間較長，大概在1～6μs，軟度因子約為，國內有多家整流器制造公司也在研究迅速軟恢復二極管，電流較大，但軟度因子在～。傳統的迅速整流二極管用到摻金或鉑的外延片以支配載流子壽命，但這些二極管表現出了以下的技術缺陷：1．正向電壓降Vf隨著溫度的升高而下降；2．高溫下漏電流大；3．高溫下迅速di/dt時開關不平穩。MUR3040PT是什么類型的管子？四川快恢復二極管MUR1640CTR
外殼9的頂部有著定位凹槽91。見圖1所示，本實用新型的主電極6為兩個以上折邊的條板，同樣經彎曲后的主電極6也具吸收和釋放機械應力和熱應力的特色，主電極6的內側與連接橋板5固定連接，主電極6的另一側穿出外殼9并彎折后覆在外殼9頂部，而覆在外殼9頂部的主電極6上設有過孔61，該過孔61與殼體9上的定位凹槽91對應，定位凹槽91的槽邊至少設有兩個平行的平面，可對螺母展開定位，由于主電極6不受外力，可確保二極管芯片3不受外力影響，在定位凹槽91的下部設有過孔，確保螺栓不會頂在殼體9上，而下過渡層4、二極管芯片3、上過渡層2、聯接橋板5、絕緣體7以及主電極6—側的外周灌注軟彈性膠8密封，將連結區域保護密封，再用環氧樹脂灌注充滿殼體空間。權利要求1、一種非絕緣雙塔型二極管模塊，包括底板(1)、二極管芯片(3)、主電極(6)以及外殼(9)，其特點在于所述二極管芯片(3)的下端面通過下過渡層(4)固定連通在底板(1)上，二極管芯片(3)的上端面通過上渡層(2)與連接橋板(5)的一側固定連接，連通橋板(5)是兼具兩個以上折彎的條板，連結橋板(5)的另一側通過絕緣體(7)固定在底板(1)上，頂部有著定位凹槽的外殼(9)固定在底板(1)上；所述的主電極(6)為兩個以上折邊的條板，主電極。TO220封裝的快恢復二極管MUR3040CAMUR3060PT是什么類型的管子？
3—二極管芯片，4一下過渡層，5—連接橋，6—主電極，61—過孔，7—絕緣體，8—軟彈性膠，9一外殼，91一定位凹槽，具體實施方式見圖1所示的非絕緣雙塔型二極管模塊，包括底板l、二極管芯片3、主電極6以及外殼9，底板1使用鍍鎳銅板或其它導電板，而二極管芯片3的下端面通過下過渡層4固定連接在底板1上，二極管芯片3的上端面通過上過渡層2與連結橋板5的一側固定連接，上過渡層2和下過渡層4均是能與二極管芯片3、底板1以及連通橋板5連通的鉬片、鎢片或可伐片等，通過上、下過渡層使二極管芯片3確實地與底板1和聯接橋板5連結，該連接可使用焊接或粘接等固定方法，特別是鉬片的熱膨脹系數接近于二極管芯片，減小熱應力。本實用新型的連接橋板5是兼具兩個以上折彎的條板，如圖2所示，連結橋板5具備三折，且連結橋板5為兩邊平板中部凸起的梯形；或連結橋板5為兩邊平板且中部突起弓形；連通橋板5也可以是多折，彎折后的連接橋板5能吸收和獲釋機器應力和熱應力，聯接橋板5的另一側通過絕緣體7固定在底板1上，該絕緣體7是兩面涂有或覆有金屬層的陶瓷片，可使用燒結或鍵合工藝制造，使用焊接或粘接等方法將主電極6、連結橋板5、絕緣體7以及底板l精確的固定連接，外殼9則固定在底板1上。
電力電子器件的緩沖電路(snubbercircuit)又稱吸收電路，它是電力電子器件的一種重要的保護電路，不僅用于半控型器件的保護，而且在全控型器件(如GTR、GTO、功率MOSFET和IGBT等)的應用技術中起著重要的作用。晶閘管開通時，為了防止過大的電流上升率而燒壞器件，往往在主電路中串入一個扼流電感，以限制過大的di/dt，串聯電感及其配件組成了開通緩沖電路，或稱串聯緩沖電路。晶閘管關斷時，電源電壓突加在管子上，為了抑制瞬時過電壓和過大的電壓上升率，以防止晶閘管內部流過過大的結電容電流而誤觸發，需要在晶閘管的兩端并聯一個RC網絡，構成關斷緩沖電路，或稱并聯緩沖電路。IGBT的緩沖電路功能更側重于開關過程中過電壓的吸收與抑制，這是由于IGBT的工作頻率可以高達30~50kHz;因此很小的電路電感就可能引起頗大的LdiC/dt，從而產生過電壓，危及IGBT的安全。PWM逆變器中IGBT在關斷和開通中的uCE和iC波形。在iC下降過程中IGBT上出現了過電壓，其值為電源電壓UCC和LdiC/dt兩者的疊加。IGBT緩沖電路中的二極管必須是快恢復的二極管，電容必須是高頻、損耗小，頻率特性好的薄膜電容。這樣才能取得好的吸收效果。 MUR2080CT二極管的主要參數。
我們都知道快恢復二極管有個反向擊穿的極限電壓，絕大多數的快恢復二極管廠商都沒把它寫入數據手冊，但在大多數情況下為了節省成本不可能將快恢復二極管反向耐壓降額到50%左右使用，那么反向電壓裕量是否足夠，這對評估該快恢復二極管反向耐壓應降多少額使用較為安全是有一定意義的。從下表中可看出，反向電壓的裕量并不像網上所說的那樣是額定反壓的2~3倍。膝點反向電壓為漏電流突變時的反向電壓點。（快恢復二極管在常溫某電壓點下，其漏電流突然一下增大了幾十上百倍，例如：某快恢復二極管在78V時漏電流為20μA，但在79V時漏電流為2mA，79V即為膝點反向電壓）膝點反向電壓雖然未使快恢復二極管完全擊穿，但卻嚴重影響了快恢復二極管的正常使用。而在高溫下漏電流更易突變，此時的膝點反向電壓就更低。所以一個快恢復二極管的反向電壓應降額值為多少才較為正確合理，更應該從物料的使用環境溫度和實際使用的導通電流來測試膝點反向電壓值，然后再來確定裕量降額值。好的電路設計在對快恢復二極管參數的選擇時，不僅要考慮常溫的參數，也要考慮在高低溫環境下的一些突變參數。知道快恢復二極管的這些特性關系往往會給工程師的選管以及電路故障的分析帶來事半功倍的效果。 快恢復二極管在車載逆變器上可以使用嗎？陜西快恢復二極管MURB1560
快恢復二極管在開關電源上取得了廣泛的應用。四川快恢復二極管MUR1640CTR
在實際應用時，用到30V時，則trr約為35ns，而用到350V時，trr》35ns，trr還隨著結濕上升而增加，Tj=125℃時的trr,約為25℃時的2倍左右。同時，trr還隨著流過正向峰值電流IFM的増加而增加。IRM和Qrr主要是用來計算FRED的功耗和RC電路，但他們亦隨結溫的升高而増大。125℃結溫時的Qrr是25℃時的約、而125℃結溫時的Qrr是25℃時的近3倍以上。因此，在選用FRED時必須充分慮這些參數的測試條件、以便作必要的調整。因此，trr短，IRM小和S大的FRED模塊是逆變電路中的二極管，而trr短和Qrr小的FRED，使逆變電路中的開關器件和二極管的損耗減少。FRED150A~1200V的外型尺寸見圖4。圖4FRED的外型尺寸4.快恢復二極管模塊應用隨著電力電子技術向高頻化、模塊化方向發展，FRED作為一種高頻器件也得到蓬勃發展，現已用于各種高頻逆變裝置和斬波調速裝置內，起到高頻整流、續流、吸收、隔離和箝位的作用，這對發展我國高頻逆變焊機、高頻開關型電鍍電源、高頻高效開關電源、高頻快速充電電源、高頻變頻裝置以及功率因數校正裝置等將起到推動作用。這些高效、節能、節電和節材。四川快恢復二極管MUR1640CTR