有一種二極管叫做SONIC二極管,其反向回復(fù)時(shí)間較為長,約~μs,軟度因子在。在制造中除了使用平面結(jié)終止結(jié)構(gòu),玻璃鈍化并有硅橡膠保護(hù)外,還使用了從硅片背面開展深擴(kuò)散磷和控制軸向壽命抑制因素,使迅速二極管的反向恢復(fù)電流衰減較慢,具反向“軟恢復(fù)”特點(diǎn),防范在高頻應(yīng)用時(shí)在硬關(guān)斷過程中產(chǎn)生過高的反向尖峰電壓,維護(hù)了開關(guān)器件及其二極管自身。該二極管在整個(gè)工作溫度范圍內(nèi)性能安定,并且對于溫度的變化正向電壓降的變化可以忽視不計(jì)。該二極管是為高頻應(yīng)用設(shè)計(jì)的,在高頻應(yīng)用時(shí)安定確實(shí)。新的迅速軟恢復(fù)二極管——SONIC二極管系列克服了這些缺陷,它們的優(yōu)點(diǎn)為:1.并聯(lián)二極管工作時(shí)正向電壓降Vf與溫度無關(guān);2.阻斷電壓平穩(wěn),漏電流比摻金和鉑的?。?.迅速軟恢復(fù)二極管在高溫下反向漏電流從25℃到125℃比摻鉑FRED少50%。SONIC二極管使用磷深擴(kuò)散和軸向壽命抑制因素,電壓從600V至1800V,如圖3所示。在硼中受控的軸向壽命抑制因素用來支配區(qū)域1中空穴的發(fā)射效率。區(qū)域2所示的軟N區(qū)為軟恢復(fù)提供了額外電荷??昭ǖ妮^低的發(fā)射效率使得器件的正向電壓降對溫度不太敏感,這有利二極管并聯(lián)工作,并且在高溫時(shí)開關(guān)損耗很小。運(yùn)用電子輻照作為外加的規(guī)范壽命抑制因素。MURB1560是什么類型的管子?湖北快恢復(fù)二極管MUR1060CTR
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是提供一種在安裝以及運(yùn)行過程中能下降二極管芯片的機(jī)器應(yīng)力和熱應(yīng)力,能提高二極管工作可靠性的非絕緣雙塔型二極管模塊。本實(shí)用新型為達(dá)到上述目的的技術(shù)方案是一種非絕緣雙塔型二極管模塊,包括底板、二極管芯片、主電極以及外殼,其特性在于所述二極管芯片的下端面通過下過渡層固定連結(jié)在底板上,二極管芯片的上端面通過上渡層與連接橋板的一側(cè)固定連接,聯(lián)接橋板是具備兩個(gè)以上折彎的條板,連通橋板的另一側(cè)通過絕緣體固定在底板上,頂部具定位凹槽的外殼固定在底板上;所述的主電極為兩個(gè)以上折邊的條板,主電極的內(nèi)側(cè)與連通橋板固定連接,主電極的另一側(cè)穿出外殼并覆在外殼頂部,且覆在外殼頂部的主電極上設(shè)有過孔與殼體上的定位凹槽對應(yīng),下過渡層、二極管芯片、上過渡層、連通橋板、絕緣體的外周以及主電極的一側(cè)灌注軟彈性膠密封。本實(shí)用新型使用上述技術(shù)方案后兼具以下的優(yōu)點(diǎn)1、本實(shí)用新型將有著折彎的連接橋板的兩側(cè)分別固定在二極管芯片和主極板之間,而二極管芯片和連接橋板的一側(cè)分別連通在底板上,當(dāng)二極管受到機(jī)器應(yīng)力和熱應(yīng)力后,可通過連結(jié)橋板的變形來獲釋所受到的應(yīng)力,加之主電極也為折彎的條板。北京快恢復(fù)二極管MURB3040CTMUR1620CT二極管的主要參數(shù)。
確保模塊的出力。2)DBC基板:它是在高溫下將氧化鋁(Al2O3)或氮化鋁(AlN)基片與銅箔直接雙面鍵合而成,它有著優(yōu)良的導(dǎo)熱性、絕緣性和易焊性,并有與硅材質(zhì)較相近的熱線性膨脹系數(shù)(硅為4.2×10-6/℃,DBC為5.6×10-6/℃),因而可以與硅芯片直接焊接,從而簡化模塊焊接工藝和下降熱阻。同時(shí),DBC基板可按功率電路單元要求刻蝕出各式各樣的圖形,以當(dāng)作主電路端子和支配端子的焊接支架,并將銅底板和電力半導(dǎo)體芯片相互電氣絕緣,使模塊有著有效值為2.5kV以上的絕緣耐壓。3)電力半導(dǎo)體芯片:超快恢復(fù)二極管(FRED)和晶閘管(SCR)芯片的PN結(jié)是玻璃鈍化保護(hù),并在模塊制作過程中再涂有RTV硅橡膠,并灌封有彈性硅凝膠和環(huán)氧樹脂,這種多層保護(hù)使電力半導(dǎo)體器件芯片的性能安定確實(shí)。半導(dǎo)體芯片直接焊在DBC基板上,而芯片正面都焊有經(jīng)表面處置的鉬片或直接用鋁絲鍵協(xié)作為主電極的引出線,而部分連線是通過DBC板的刻蝕圖形來實(shí)現(xiàn)的。根據(jù)三相整流橋電路共陽和共陰的連接特色,F(xiàn)RED芯片使用三片是正燒(即芯片正面是負(fù)極、反面是正極)和三片是反燒(即芯片正面是正極、反面是負(fù)極),并運(yùn)用DBC基板的刻蝕圖形,使焊接簡化。同時(shí),所有主電極的引出端子都焊在DBC基板上。
快恢復(fù)二極管是指反向恢復(fù)時(shí)間很短的二極管(5us以下),工藝上多采用摻金措施,結(jié)構(gòu)上有采用PN結(jié)型結(jié)構(gòu),有的采用改進(jìn)的PIN結(jié)構(gòu)。其正向壓降高于普通二極管(1-2V),反向耐壓多在1200V以下。從性能上可分為快恢復(fù)和超快恢復(fù)兩個(gè)等級。前者反向恢復(fù)時(shí)間為數(shù)百納秒或更長,后者則在100納秒以下。 肖特基二極管是以金屬和半導(dǎo)體接觸形成的勢壘為基礎(chǔ)的二極管,簡稱肖特基二極管(Schottky Barrier Diode),具有正向壓降低(0.4--0.5V)、反向恢復(fù)時(shí)間很短(10-40納秒),而且反向漏電流較大,耐壓低,一般低于150V,多用于低電壓場合。 這兩種管子通常用于開關(guān)電源。MUR3040PD是什么類型的管子?
二極管質(zhì)量的好壞取決于芯片工藝。目前,行業(yè)內(nèi)使用的二極管芯片工藝主要有兩種:玻璃鈍化(GPP)和酸洗(OJ)。二極管的GPP工藝結(jié)構(gòu),其芯片P-N結(jié)是在鈍化玻璃的保護(hù)之下。玻璃是將玻璃粉采用800度左右的燒結(jié)熔化,冷卻后形成玻璃層。這玻璃層和芯片熔為一體,無法用機(jī)械的方法分開。而二極管的OJ工藝結(jié)構(gòu),其芯片P-N結(jié)是在涂膠的保護(hù)之下。采用涂膠保護(hù)結(jié),然后在200度左右溫度進(jìn)行固化,保護(hù)P-N結(jié)獲得電壓。OJ的保護(hù)膠是覆蓋在P-N結(jié)的表面。玻璃鈍化(GPP)和酸洗(OJ)特性對比玻璃鈍化(GPP)和酸洗(OJ)芯片工藝由于結(jié)構(gòu)的不同,當(dāng)有外力產(chǎn)生時(shí),冷熱沖擊,OJ工藝結(jié)構(gòu)的二極管,由于保護(hù)膠和硅片不貼合,會產(chǎn)生漏氣,導(dǎo)致器件出現(xiàn)一定比率的失效。GPP工藝結(jié)構(gòu)的TVS二極管,可靠性很高,在150度的HTRB時(shí),表現(xiàn)仍然很出色;而OJ工藝的產(chǎn)品能夠承受100度左右的HTRB。封裝技術(shù)是功率半導(dǎo)體突破的關(guān)鍵!TO220F封裝的快恢復(fù)二極管MUR2060CA
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GPP和OJ芯片工藝的區(qū)別就在P-N結(jié)的保護(hù)上。OJ結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品,采用涂膠保護(hù)結(jié),然后在200度左右溫度進(jìn)行固化。保護(hù)P-N結(jié)獲得電壓。GPP結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品,芯片的P-N結(jié)是在鈍化玻璃的保護(hù)之下,玻璃是將玻璃粉采用800度左右的燒結(jié)熔化,冷卻后形成玻璃層。這玻璃層和芯片熔為一體,無法用機(jī)械的方法分開。而OJ的保護(hù)膠,是覆蓋在P-N結(jié)的表面。3.特性比較1)由于結(jié)構(gòu)的不同,當(dāng)有外界應(yīng)力產(chǎn)生(比如進(jìn)行彎角處理),器件進(jìn)行冷熱沖擊,如果塑料封裝體有漏氣,等等情況下。OJ的產(chǎn)品,其保護(hù)膠和硅片結(jié)合的不牢固,就會出現(xiàn)保護(hù)不好的情況,使器件出現(xiàn)一定比率的失效。GPP產(chǎn)品則不會出現(xiàn)類似的情況。2)GPP二極管的可靠性高。首先,GPP常溫下,漏電比OJ的就要小。尤其重要的是HTRB(高溫反向偏置,是衡量產(chǎn)品可靠性的重要標(biāo)志參數(shù))GPP要好很多,OJ的產(chǎn)品能承受100度左右的HTRB。而GPP在溫度達(dá)到150度時(shí),仍然表現(xiàn)非常出色。4.說明:以前OJ的產(chǎn)品限于DO系列的軸向封裝,所以很多客戶都使用片式封裝(SMD)產(chǎn)品。因?yàn)槠疆a(chǎn)品,當(dāng)時(shí)只能使用GPP芯片進(jìn)行封裝。但是,現(xiàn)在也出現(xiàn)了片式封裝OJ產(chǎn)品。所以在選用上一定要注意分清。 湖北快恢復(fù)二極管MUR1060CTR