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浙江快恢復(fù)二極管MUR2040CA

來源: 發(fā)布時(shí)間:2024-01-11

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    一種用以逆變焊機(jī)電源及各種開關(guān)電源的二極管,尤其是關(guān)乎一種非絕緣雙塔型二極管模塊。背景技術(shù):非絕緣雙塔結(jié)構(gòu)二極管是一種標(biāo)準(zhǔn)化外形尺碼的模塊產(chǎn)品,由于產(chǎn)品外形簡(jiǎn)便、成本低,適用范圍廣。而目前公開的非絕緣雙塔型二極管模塊,見圖i所示,由二極管芯片3'、底板r、帶螺孔的主電極銅塊5'以及外殼9,組成,二極管芯片3'的上下面分別通過上鉬片2'、下鉬片4'與底板l'和主電極銅塊5'固定連接,主電極銅塊5'與外殼9'和底板r之間用環(huán)氧樹脂灌注,在高溫下固化將三者固定在一起。由于主電極為塊狀構(gòu)造,故底板、二極管芯片、主電極之間均為硬連接。在長(zhǎng)期工作運(yùn)行過程中,由于二極管芯片要經(jīng)受機(jī)器振動(dòng)、機(jī)器應(yīng)力以及熱應(yīng)力等因素的影響,使得二極管內(nèi)部的半導(dǎo)體二極管芯片也產(chǎn)生機(jī)器應(yīng)力。因與二極管芯片連接的材質(zhì)不同其熱膨脹系數(shù)也不同,又會(huì)使二極管芯片產(chǎn)生熱應(yīng)力,一旦主電極時(shí)有發(fā)生松動(dòng),就會(huì)引致二極管芯片的碎裂。常規(guī)非絕緣雙塔型二極管模塊在安裝過程中是將底板安裝在散熱器上,然后將另一電極用螺絲安裝在主電極銅塊上,主電極所經(jīng)受的外力一部分力直接效用到二極管芯片上,會(huì)使二極管芯片背負(fù)外力而傷害,引致二極管特點(diǎn)變壞,下降工作可靠性。TO220F封裝的快恢復(fù)二極管MUR1060MUR3020PD是什么類型的管子?

    電力電子器件的緩沖電路(snubbercircuit)又稱吸收電路,它是電力電子器件的一種重要的保護(hù)電路,不僅用于半控型器件的保護(hù),而且在全控型器件(如GTR、GTO、功率MOSFET和IGBT等)的應(yīng)用技術(shù)中起著重要的作用。晶閘管開通時(shí),為了防止過大的電流上升率而燒壞器件,往往在主電路中串入一個(gè)扼流電感,以限制過大的di/dt,串聯(lián)電感及其配件組成了開通緩沖電路,或稱串聯(lián)緩沖電路。晶閘管關(guān)斷時(shí),電源電壓突加在管子上,為了抑制瞬時(shí)過電壓和過大的電壓上升率,以防止晶閘管內(nèi)部流過過大的結(jié)電容電流而誤觸發(fā),需要在晶閘管的兩端并聯(lián)一個(gè)RC網(wǎng)絡(luò),構(gòu)成關(guān)斷緩沖電路,或稱并聯(lián)緩沖電路。IGBT的緩沖電路功能更側(cè)重于開關(guān)過程中過電壓的吸收與抑制,這是由于IGBT的工作頻率可以高達(dá)30~50kHz;因此很小的電路電感就可能引起頗大的LdiC/dt,從而產(chǎn)生過電壓,危及IGBT的安全。PWM逆變器中IGBT在關(guān)斷和開通中的uCE和iC波形。在iC下降過程中IGBT上出現(xiàn)了過電壓,其值為電源電壓UCC和LdiC/dt兩者的疊加。IGBT緩沖電路中的二極管必須是快恢復(fù)的二極管,電容必須是高頻、損耗小,頻率特性好的薄膜電容。這樣才能取得好的吸收效果。

    所述容納腔的內(nèi)部也填入有冰晶混合物。所述散熱桿至少設(shè)有四根。所述金屬材質(zhì)為貼片或者銅片中的一種,所述封裝外殼的表面涂覆有絕緣涂層。所述絕緣涂層包括電隔離層和粘合層,所述粘合層涂覆在封裝外殼的外表面,所述電隔離層涂覆在所述粘合層的外表面,所述電隔離層為pfa塑料制成的電隔離層,所述電隔離層為單層膜結(jié)構(gòu)、雙層膜結(jié)構(gòu)或多層膜結(jié)構(gòu)。(三)有益于效用本實(shí)用新型提供了一種高壓快回復(fù)二極管芯片,具有有以下有益于效用:本實(shí)用設(shè)立了芯片本體,芯片本體裹在熱熔膠內(nèi),使其不收損害,熱熔膠封裝在封裝外殼內(nèi),多個(gè)散熱桿呈輻射狀固定在所述芯片本體上,封裝外殼的殼壁設(shè)有容納腔,容納腔與散熱桿的內(nèi)部連接,芯片工作產(chǎn)生熱能傳送到熱熔膠,熱熔膠裹在散熱桿的表面,散熱桿展開傳遞熱能,散熱桿以及容納腔的內(nèi)部設(shè)有冰晶混合物,冰晶混合物就會(huì)由固態(tài)漸漸轉(zhuǎn)變?yōu)橐簯B(tài),此為吸熱過程,從而不停的開展散熱,封裝外殼也是由金屬材質(zhì)制成,可以為冰晶混合物與外界空氣換熱。附圖說明圖1為本實(shí)用新型的構(gòu)造示意圖;圖2為本實(shí)用新型的絕緣涂層的構(gòu)造示意圖。圖中:1、芯片本體;2、熱熔膠;3、封裝外殼;4、散熱桿;5、絕緣膜;6、冰晶混合物;7、容納腔。封裝技術(shù)是功率半導(dǎo)體突破的關(guān)鍵!

    這種銅底板尚存在一定弧度的焊成品,當(dāng)模塊壓裝在散熱器上時(shí),能保證它們之間的充分接觸,有利于熱傳導(dǎo),從而使模塊的接觸熱阻降低,有利于模塊的出力和可靠性。(3)由于FRED模塊工作于高頻(20kHZ以上),因此,必須在結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)要充分考慮消除寄生電感等問題,為此,在電磁等原理基礎(chǔ)上,充分考慮三個(gè)主電極形狀、布局和走向,同時(shí)對(duì)鍵合鋁絲長(zhǎng)短和走向也作了合適安排。以減少模塊內(nèi)部的分布電感,確保二單元的分布電感一致,從而解決模塊的噪音和發(fā)熱問題,提高裝置效率。3.主要技術(shù)參數(shù)圖3是FRED模塊導(dǎo)通和關(guān)斷期間的電流和電壓波形圖,它顯示了FRED器件從正向?qū)ǖ椒聪蚧謴?fù)的全過程。其主要關(guān)斷特性參數(shù)為:反向恢復(fù)時(shí)間trr=ta+tb(ta為少數(shù)載流子存儲(chǔ)時(shí)間,tb為少數(shù)載流子復(fù)合時(shí)間);軟度因子S=(表示器件反向恢復(fù)曲線的軟度);反向恢復(fù)峰值電流:;反向恢復(fù)電荷。而導(dǎo)通參數(shù)為:反向重復(fù)峰值電壓URRM.;正向平均電流IF(AV);正向峰值電壓UFM;正向均方根電流IF(RMS)和正向浪涌電流IFSM等。圖2(a)預(yù)彎后的銅底板(b)銅底板與DBC基板焊接后的合格品圖3FRED導(dǎo)通和關(guān)斷期間的電流和電壓波形圖這里需要注意的是:trr隨所加反向電壓UR的增加而增加,例如600V的FRED。IGBT模塊中快恢復(fù)二極管的作用與選型。廣東快恢復(fù)二極管MUR3040CT

SF168CT是快恢復(fù)二極管嗎?浙江快恢復(fù)二極管MUR2040CA

    我們都知道在選擇快恢復(fù)二極管時(shí),主要看它的正向?qū)▔航怠⒎聪蚰蛪骸⒎聪蚵╇娏鞯取5覀儏s很少知道其在不同電流、不同反向電壓、不同環(huán)境溫度下的關(guān)系是怎樣的,在電路設(shè)計(jì)中知道這些關(guān)系對(duì)選擇合適的快恢復(fù)二極管顯得極為重要,尤其是在功率電路中。在快恢復(fù)二極管兩端加正向偏置電壓時(shí),其內(nèi)部電場(chǎng)區(qū)域變窄,可以有較大的正向擴(kuò)散電流通過PN結(jié)。只有當(dāng)正向電壓達(dá)到某一數(shù)值(這一數(shù)值稱為“門檻電壓”,鍺管約為,硅管約為)以后,快恢復(fù)二極管才能真正導(dǎo)通。但快恢復(fù)二極管的導(dǎo)通壓降是恒定不變的嗎?它與正向擴(kuò)散電流又存在什么樣的關(guān)系?通過下圖1的測(cè)試電路在常溫下對(duì)型號(hào)為快恢復(fù)二極管進(jìn)行導(dǎo)通電流與導(dǎo)通壓降的關(guān)系測(cè)試,可得到如圖2所示的曲線關(guān)系:正向?qū)▔航蹬c導(dǎo)通電流成正比,其浮動(dòng)壓差為。從輕載導(dǎo)通電流到額定導(dǎo)通電流的壓差雖為,但對(duì)于功率快恢復(fù)二極管來說它影響效率也影響快恢復(fù)二極管的溫升,所以在價(jià)格條件允許下,盡量選擇導(dǎo)通壓降小、額定工作電流較實(shí)際電流高一倍的快恢復(fù)二極管。 浙江快恢復(fù)二極管MUR2040CA