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TO263封裝的快恢復二極管MURF3040CT

來源: 發(fā)布時間:2024-06-19

二極管質(zhì)量的好壞取決于芯片工藝。目前,行業(yè)內(nèi)使用的二極管芯片工藝主要有兩種:玻璃鈍化(GPP)和酸洗(OJ)。二極管的GPP工藝結(jié)構(gòu),其芯片P-N結(jié)是在鈍化玻璃的保護之下。玻璃是將玻璃粉采用800度左右的燒結(jié)熔化,冷卻后形成玻璃層。這玻璃層和芯片熔為一體,無法用機械的方法分開。而二極管的OJ工藝結(jié)構(gòu),其芯片P-N結(jié)是在涂膠的保護之下。采用涂膠保護結(jié),然后在200度左右溫度進行固化,保護P-N結(jié)獲得電壓。OJ的保護膠是覆蓋在P-N結(jié)的表面。玻璃鈍化(GPP)和酸洗(OJ)特性對比玻璃鈍化(GPP)和酸洗(OJ)芯片工藝由于結(jié)構(gòu)的不同,當有外力產(chǎn)生時,冷熱沖擊,OJ工藝結(jié)構(gòu)的二極管,由于保護膠和硅片不貼合,會產(chǎn)生漏氣,導致器件出現(xiàn)一定比率的失效。GPP工藝結(jié)構(gòu)的TVS二極管,可靠性很高,在150度的HTRB時,表現(xiàn)仍然很出色;而OJ工藝的產(chǎn)品能夠承受100度左右的HTRMURB1040是什么類型的管子?TO263封裝的快恢復二極管MURF3040CT

二極管質(zhì)量的好壞取決于芯片工藝。目前,行業(yè)內(nèi)使用的二極管芯片工藝主要有兩種:玻璃鈍化(GPP)和酸洗(OJ)。二極管的GPP工藝結(jié)構(gòu),其芯片P-N結(jié)是在鈍化玻璃的保護之下。玻璃是將玻璃粉采用800度左右的燒結(jié)熔化,冷卻后形成玻璃層。這玻璃層和芯片熔為一體,無法用機械的方法分開。而二極管的OJ工藝結(jié)構(gòu),其芯片P-N結(jié)是在涂膠的保護之下。采用涂膠保護結(jié),然后在200度左右溫度進行固化,保護P-N結(jié)獲得電壓。OJ的保護膠是覆蓋在P-N結(jié)的表面。玻璃鈍化(GPP)和酸洗(OJ)特性對比玻璃鈍化(GPP)和酸洗(OJ)芯片工藝由于結(jié)構(gòu)的不同,當有外力產(chǎn)生時,冷熱沖擊,OJ工藝結(jié)構(gòu)的二極管,由于保護膠和硅片不貼合,會產(chǎn)生漏氣,導致器件出現(xiàn)一定比率的失效。GPP工藝結(jié)構(gòu)的TVS二極管,可靠性很高,在150度的HTRB時,表現(xiàn)仍然很出色;而OJ工藝的產(chǎn)品能夠承受100度左右的HTTO220封裝的快恢復二極管MURB2060CTGPP晶片和OJ芯片工藝有哪些區(qū)別?

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快恢復二極管(簡稱FRD)是一種具有開關(guān)特性好、反向恢復時間短特點的半導體二極管,主要應用于開關(guān)電源、PWM脈寬調(diào)制器、變頻器等電子電路中,作為高頻整流二極管、續(xù)流二極管或阻尼二極管使用。 快恢復二極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)與普通PN結(jié)二極管不同,它屬于PIN結(jié)型二極管,即在P型硅材料與N型硅材料中間增加了基區(qū)I,構(gòu)成PIN硅片。因基區(qū)很薄,反向恢復電荷很小,所以快恢復二極管的反向恢復時間較短,正向壓降較低,反向擊穿電壓(耐壓值)較高。采用TO–220或TO–3P封裝的大功率快恢復二極管,有單管和雙管之分。雙管的管腳引出方式又分為共陽和共陰。MURB1060是那種類型的二極管?

快恢復二極管模塊工藝結(jié)構(gòu)和特點圖1超快恢復二極管模塊內(nèi)部電路連接圖本模塊是由二個或二個以上的FRED芯片按一定的電路(見圖1)連成后共同封裝在一個PPS(加有40%的玻璃纖維)外殼內(nèi)制成,模塊分絕緣型(模塊銅底板對各主要電極的絕緣耐壓Uiso≥)和非絕緣型二種,其特點(1)采用高、低溫氫(H2)、氮(N2)混合氣體保護的隧道爐和熱板爐二次焊接工藝,使焊接溫度、焊接時間和傳送帶速度之間有較好的匹配,并精確控制升溫速度、恒溫時同和冷卻速度,使焊層牢固,幾乎沒有空洞,從而降低了模塊熱阻、保證模塊出力,根據(jù)模塊電流的大小,采用直接焊接或鋁絲超聲鍵合等方法引出電極,用RTV橡膠、及組份彈性硅凝膠和環(huán)氧樹脂等三重保護,又加采用玻璃鈍化保護的、不同結(jié)構(gòu)的進口FRED芯片,使模塊防潮、防震,工作穩(wěn)定。(2)銅底板預彎技術(shù):模塊采用了高導熱、高絕緣、機械強度高和易焊接,且熱膨脹系數(shù)很接近硅芯片的氮化鋁陶瓷覆銅板(ALNDBC板),使焊接后各材料內(nèi)應力低,熱阻小,并避免了芯片因應力而破裂。為了解決銅底板與DBC板間的焊接問題,除采用銅銀合金外。并在焊接前對銅底板進行一定弧度的預彎。如圖2(a),焊后如圖2(b)。MURF2020CT是什么類型的管子?安徽快恢復二極管MUR2060CA

封裝技術(shù)是功率半導體突破的關(guān)鍵!TO263封裝的快恢復二極管MURF3040CT

   FRED的其主要反向關(guān)斷屬性參數(shù)為:反向回復時trr=ta+tb(ta一少數(shù)載流子在存儲時間,tb一少數(shù)載流子復合時間);反向回復峰值電流IRM;反向回復電荷Qrr=l/2trr×IRM以及表示器件反向回復曲線軟度的軟度因子S=tb/ta。而FRED的正向?qū)ㄖ饕獏?shù)有:正向平均電流IF(AV);正向峰值電壓UFM;正向均方根電流IF(RMS)以及正向(不反復)浪涌電流IFSM。FRED的反向陰斷屬性參數(shù)為:反向反復峰值電壓URRM和反向反復峰值電流IRRM。須要指出:反向回復時間trr隨著結(jié)溫Tj的升高,所加反向電壓URRM的增高以及流過的正向電流IF(AV)的增大而增長,而主要用來測算FRED的功耗和RC保護電路的反向回復峰值電流IRM和反向回復電荷Qrr亦隨結(jié)溫Tj的升高而增大。因此,在選用由FRED構(gòu)成的“三相FRED整流橋開關(guān)模塊”時,須要充分考慮這些參數(shù)的測試條件,以便作必需的調(diào)整。這里值得提出的是:目前FRED的價錢比一般而言整流二極管高,但由于用到FRED使變頻器的噪聲大幅度減低(減低達15dB),這將直接影響到變頻器內(nèi)EMI濾波電路的電容器和電感器的設計,使它們的尺碼縮小和價錢大幅度下滑,并使變頻器更能相符EMI規(guī)格的要求。此外,在變頻器中,對充電限流電阻展開短接的開關(guān),目前一般都使用機器接觸器。TO263封裝的快恢復二極管MURF3040CT