在高溫下能夠穩(wěn)定的工作，它在功率器件領(lǐng)域很有應(yīng)用前景。目前國(guó)際上報(bào)道的幾種結(jié)構(gòu)：UMOS、VDMOS、LDMOS、UMOSACCUFET，以及SIAFET等。2008年報(bào)道的雙RESURF結(jié)構(gòu)LDMOS，具有1550V阻斷電壓.[1]碳化硅肖特基二極管2碳化硅肖特基二極管SBD在導(dǎo)通過(guò)程中沒(méi)有額外載流子的注入和儲(chǔ)存，因而反向恢復(fù)電流小，關(guān)斷過(guò)程很快，開(kāi)關(guān)損耗小。傳統(tǒng)的硅肖特基二極管，由于所有金屬與硅的功函數(shù)差都不很大，硅的肖特基勢(shì)壘較低，硅SBD的反向漏電流偏大，阻斷電壓較低，只能用于一二百伏的低電壓場(chǎng)合且不適合在150℃以上工作。然而，碳化硅SBD彌補(bǔ)了硅SBD的不足，許多金屬，例如鎳、金、鈀、鈦、鈷等，都可以與碳化硅形成肖特基勢(shì)壘高度1eV以上的肖特基接觸。據(jù)報(bào)道，Au/4H-SiC接觸的勢(shì)壘高度可達(dá)到eV，Ti/4H-SiC接觸的勢(shì)壘比較低，但也可以達(dá)到eV。6H-SiC與各種金屬接觸之間的肖特基勢(shì)壘高度變化比較寬，低至eV，高可達(dá)eV。于是，SBD成為人們開(kāi)發(fā)碳化硅電力電子器件首先關(guān)注的對(duì)象。它是高壓快速與低功率損耗、耐高溫相結(jié)合的理想器件。目前國(guó)際上相繼研制成功水平較高的多種類的碳化硅器件。[1]SiC肖特基勢(shì)壘二極管在1985年問(wèn)世，是Yoshida制作在3C-SiC上肖特基二極管 ，就選常州市國(guó)潤(rùn)電子有限公司，歡迎客戶來(lái)電！浙江TO220F封裝的肖特基二極管

   肖特基二極管是通過(guò)金屬與N型半導(dǎo)體之間形成的接觸勢(shì)壘具有整流特性而制成的一種屬-半導(dǎo)體器件。肖特基二極管的基本結(jié)構(gòu)是重?fù)诫s的N型4H-SiC片、4H-SiC外延層、肖基觸層和歐姆接觸層。中文名碳化硅肖特基二極管外文名Schottkybarrierdiode目錄11碳化硅?碳化硅材料的發(fā)展和優(yōu)勢(shì)?碳化硅功率器件的發(fā)展現(xiàn)狀22碳化硅肖特基二極管?肖特基接觸?肖特基勢(shì)壘中載流子的輸運(yùn)機(jī)理碳化硅肖特基二極管1碳化硅碳化硅肖特基二極管碳化硅材料的發(fā)展和優(yōu)勢(shì)碳化硅早在1842年就被發(fā)現(xiàn)了，但因其制備時(shí)的工藝難度大，并且器件的成品率低，導(dǎo)致了價(jià)格較高，這影響了它的應(yīng)用。直到1955年，生長(zhǎng)碳化硅的方法出現(xiàn)促進(jìn)了SiC材料的發(fā)展，在航天、航空、雷達(dá)和核能開(kāi)發(fā)的領(lǐng)域得到應(yīng)用。1987年，商業(yè)化生產(chǎn)的SiC進(jìn)入市場(chǎng)，并應(yīng)用于石油地?zé)岬目碧健⒆冾l空調(diào)的開(kāi)發(fā)、平板電視的應(yīng)用以及太陽(yáng)能變換的領(lǐng)域。碳化硅材料有很多優(yōu)點(diǎn)，如禁帶寬度很大、臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)很高、熱導(dǎo)率很大、飽和電子漂移速度很高和介電常數(shù)很低如表1-1。首先大的禁帶寬度，如4H-SiC其禁帶寬度為eV，是硅材料禁帶寬度的三倍多，這使得器件能耐高溫并且能發(fā)射藍(lán)光；高的臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)，碳化硅的臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)(2-4MV/cm)很高。浙江TO220F封裝的肖特基二極管肖特基二極管 ，就選常州市國(guó)潤(rùn)電子有限公司，讓您滿意，歡迎您的來(lái)電！

滿足國(guó)民經(jīng)濟(jì)和建設(shè)的需要，目前，美國(guó)、德國(guó)、瑞典、日本等發(fā)達(dá)國(guó)家正競(jìng)相投入巨資對(duì)碳化硅材料和器件進(jìn)行研究。美國(guó)部從20世紀(jì)90年代就開(kāi)始支持碳化硅功率器件的研究，在1992年就成功研究出了阻斷電壓為400V的肖特基二極管。碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管于21世紀(jì)初成為首例市場(chǎng)化的碳化硅電力電子器件。美國(guó)Semisouth公司研制的SiCSBD（100A、600V、300℃下工作）已經(jīng)用在美國(guó)空軍多電飛機(jī)。由碳化硅SBD構(gòu)成的功率模塊可在高溫、高壓、強(qiáng)輻射等惡劣條件下使用。目前反向阻斷電壓高達(dá)1200V的系列產(chǎn)品，其額定電流可達(dá)到20A。碳化硅SBD的研發(fā)已經(jīng)達(dá)到高壓器件的水平，其阻斷電壓超過(guò)10000V，大電流器件通態(tài)電流達(dá)130A的水平。[1]SiCPiN的擊穿電壓很高，開(kāi)關(guān)速度很快，重量很輕，并且體積很小，它在3KV以上的整流器應(yīng)用領(lǐng)域更加具有優(yōu)勢(shì)。2000年Cree公司研制出KV的臺(tái)面PiN二極管，同一時(shí)期日本的Sugawara研究室也研究出了12KV的臺(tái)面PiN二極管。2005年Cree公司報(bào)道了10KV、V、50A的SiCPiN二極管，其10KV/20APiN二極管系列的合格率已經(jīng)達(dá)到40%。SiCMOSFET的比導(dǎo)通電阻很低，工作頻率很高。

然而，在選擇器件時(shí)需要綜合考慮其優(yōu)勢(shì)和劣勢(shì)，找到適合具體應(yīng)用的解決方案。補(bǔ)充上述已提到的特點(diǎn)，肖特基二極管還具有以下特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)。首先，肖特基二極管具有較低的反向恢復(fù)時(shí)間。他們沒(méi)有大型耗盡區(qū)域，因此沒(méi)有內(nèi)建電荷可以延遲其反向恢復(fù)。這使得肖特基二極管在高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出色，因?yàn)樗鼈兡軌蚩焖偾袚Q。其次，肖特基二極管具有較低的噪聲性能，因?yàn)樗鼈儾恍枰狿N結(jié)之間的載流子注入。這使得它們很適合于要求低噪聲電路的應(yīng)用，例如收音機(jī)接收器。肖特基二極管 ，就選常州市國(guó)潤(rùn)電子有限公司，用戶的信賴之選，有想法的不要錯(cuò)過(guò)哦！

巨資對(duì)碳化硅材料和器件進(jìn)行研究。美國(guó)部從20世紀(jì)90年代就開(kāi)始支持碳化硅功率器件的研究，在1992年就成功研究出了阻斷電壓為400V的肖特基二極管。碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管于21世紀(jì)初成為首例市場(chǎng)化的碳化硅電力電子器件。美國(guó)Semisouth公司研制的SiCSBD（100A、600V、300℃下工作）已經(jīng)用在美國(guó)空軍多電飛機(jī)。由碳化硅SBD構(gòu)成的功率模塊可在高溫、高壓、強(qiáng)輻射等惡劣條件下使用。目前反向阻斷電壓高達(dá)1200V的系列產(chǎn)品，其額定電流可達(dá)到20A。碳化硅SBD的研發(fā)已經(jīng)達(dá)到高壓器件的水平，其阻斷電壓超過(guò)10000V，大電流器件通態(tài)電流達(dá)130A的水平。[1]SiCPiN的擊穿電壓很高，開(kāi)關(guān)速度很快，重量很輕，并且體積很小，它在3KV以上的整流器應(yīng)用領(lǐng)域更加具有優(yōu)勢(shì)。2000年Cree公司研制出KV的臺(tái)面PiN二極管，同一時(shí)期日本的Sugawara研究室也研究出了12KV的臺(tái)面PiN二極管。2005年Cree公司報(bào)道了10KV、V、50A的SiCPiN二極管，其10KV/20APiN二極管系列的合格率已經(jīng)達(dá)到40%。SiCMOSFET的比導(dǎo)通電阻很低，工作頻率很高。肖特基二極管 ，就選常州市國(guó)潤(rùn)電子有限公司，用戶的信賴之選，有需要可以聯(lián)系我司哦！山東肖特基二極管MBR4045PT

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