2）快恢復(fù)、超快恢復(fù)二極管的結(jié)構(gòu)特點快恢復(fù)二極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)與普通二極管不同，它是在P型、N型硅材料中間增加了基區(qū)I，構(gòu)成P-I-N硅片。由于基區(qū)很薄，反向恢復(fù)電荷很小，大大減小了trr值，還降低了瞬態(tài)正向壓降，使管子能承受很高的反向工作電壓。快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)時間一般為幾百納秒，正向壓降約為，正向電流是幾安培至幾千安培，反向峰值電壓可達(dá)幾百到幾千伏。超快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)電荷進一步減小，使其trr可低至幾十納秒。20A以下的快恢復(fù)及超快恢復(fù)二極管大多采用TO-220封裝形式。從內(nèi)部結(jié)構(gòu)看，可分成單管、對管（亦稱雙管）兩種。對管內(nèi)部包含兩只快恢復(fù)二極管，根據(jù)兩只二極管接法的不同，又有共陰對管、共陽對管之分。圖2(a)是C20-04型快恢復(fù)二極管（單管）的外形及內(nèi)部結(jié)構(gòu)。(b)圖和(c)圖分別是C92-02型（共陰對管）、MUR1680A型（共陽對管）超快恢復(fù)二極管的外形與構(gòu)造。它們均采用TO-220塑料封裝，主要技術(shù)指標(biāo)見表1。幾十安的快恢復(fù)二極管一般采用TO-3P金屬殼封裝。更大容量（幾百安～幾千安）的管子則采用螺栓型或平板型封裝形式。2．檢測方法（1）測量反向恢復(fù)時間測量電路如圖3。由直流電流源供規(guī)定的IF，脈沖發(fā)生器經(jīng)過隔直電容器C加脈沖信號。常州市國潤電子有限公司力于提供快恢復(fù)二極管 ，歡迎新老客戶來電！廣東快恢復(fù)二極管MURF1660CT

管質(zhì)量的好壞取決于芯片工藝。目前，行業(yè)內(nèi)使用的二極管芯片工藝主要有兩種：玻璃鈍化（GPP）和酸洗（OJ）。二極管的GPP工藝結(jié)構(gòu)，其芯片P-N結(jié)是在鈍化玻璃的保護之下。玻璃是將玻璃粉采用800度左右的燒結(jié)熔化，冷卻后形成玻璃層。這玻璃層和芯片熔為一體，無法用機械的方法分開。而二極管的OJ工藝結(jié)構(gòu)，其芯片P-N結(jié)是在涂膠的保護之下。采用涂膠保護結(jié)，然后在200度左右溫度進行固化，保護P-N結(jié)獲得電壓。OJ的保護膠是覆蓋在P-N結(jié)的表面。玻璃鈍化（GPP）和酸洗（OJ）特性對比玻璃鈍化（GPP）和酸洗（OJ）芯片工藝由于結(jié)構(gòu)的不同，當(dāng)有外力產(chǎn)生時，冷熱沖擊，OJ工藝結(jié)構(gòu)的二極管，由于保護膠和硅片不貼合，會產(chǎn)生漏氣，導(dǎo)致器件出現(xiàn)一定比率的失效。GPP工藝結(jié)構(gòu)的TVS二極管，可靠性很高，在150度的HTRB時，表現(xiàn)仍然很出色；而OJ工藝的產(chǎn)品能夠承受100度左右的HTRB。四川快恢復(fù)二極管MUR3060PT快恢復(fù)二極管 ，就選常州市國潤電子有限公司，歡迎客戶來電！

  繼電器并聯(lián)快恢復(fù)二極管電路形式見圖1，其作用主要是為了保護晶體管等驅(qū)動元器件。流經(jīng)線圈的電流變化時，線圈會產(chǎn)生自激電壓來抑制電流的變化，當(dāng)線圈中的電流變化越快時，所產(chǎn)生的電壓越高。在繼電器開通到關(guān)斷的瞬間，由于線圈有電感的性質(zhì)，所以瞬間會在繼電器的線圈的低電壓端產(chǎn)生一個瞬間電壓尖峰,通常能高達(dá)數(shù)十倍的線圈額定工作電壓。當(dāng)圖中晶體管VT由導(dǎo)通變?yōu)榻刂箷r，流經(jīng)繼電器線圈的電流將迅速減小，這時線圈會產(chǎn)生很高的自感電動勢與電源電壓疊加后加在VT的c、e兩極間，會使晶體管擊穿，并聯(lián)上快恢復(fù)二極管后，即可將線圈的自感電動勢鉗位于快恢復(fù)二極管的正向?qū)妷海酥倒韫芗s，鍺管約，從而避免擊穿晶體管等驅(qū)動元器件。并聯(lián)快恢復(fù)二極管時一定要注意快恢復(fù)二極管的極性不可接反，否則容易損壞晶體管等驅(qū)動元器件。繼電器線圈斷電瞬間，線圈上可產(chǎn)生高于線圈額定工作電壓值30倍以上的反峰電壓，對電子線路有極大的危害，通常采用并聯(lián)瞬態(tài)抑制（又叫削峰）快恢復(fù)二極管或電阻的方法加以抑制，使反峰電壓不超過50V，但并聯(lián)快恢復(fù)二極管會延長繼電器的釋放時間3~5倍。

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恢復(fù)二極管，也稱為快恢復(fù)二極管或快速恢復(fù)二極管，是一種特殊的二極管，其主要設(shè)計目的是在開關(guān)電源、逆變器、醫(yī)療設(shè)備、電動車充電器等高頻開關(guān)電路中具有快速開關(guān)速度和高能效性能。與普通二極管相比，恢復(fù)二極管具有更快的恢復(fù)時間和更低的開關(guān)損耗，這使得它們在高頻開關(guān)電路中更加有效和可靠。恢復(fù)二極管的恢復(fù)時間通常在幾百納秒至幾微秒之間，而普通二極管的恢復(fù)時間通常在幾微秒以上。恢復(fù)二極管的工作原理是通過優(yōu)化結(jié)構(gòu)和材料，減少二極管在拒絕正向電流的過程中的存儲電荷和電荷漂移時間。常州市國潤電子有限公司力于提供快恢復(fù)二極管 ，有想法可以來我司咨詢。江蘇快恢復(fù)二極管MUR860

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20世紀(jì)80年代初，絕緣柵雙極晶體管(IGBT)和功率M0S場效應(yīng)管(P0WERM0SFET)的研制成功，并得到急劇發(fā)展和商業(yè)化，這不僅對電力電子逆變器向高頻化發(fā)展提供了堅實的器件基礎(chǔ)，同時，為用電設(shè)備高頻化(20kHz以上)和高頻設(shè)備固態(tài)化，為高效、節(jié)電、節(jié)材，實現(xiàn)機電體化，小型輕量化和智能化提供了重要的技術(shù)基礎(chǔ)。與此同時，給IGBT,功率MOSFET等高頻逆變裝置配套的、且不可缺少的FRED也得到了很快的發(fā)展。因為，隨著裝置工作開關(guān)頻率的提高，若沒有FRED給高頻逆變裝置的開關(guān)器件作續(xù)流、吸收、箝位、隔離輸出整流器和輸入整流器。那么IGBT、功率MOSFET、IGCT等開關(guān)器件就不能發(fā)揮它們的功能和獨特作用，這是由于FRED的關(guān)斷特性參數(shù)(反向恢復(fù)時間trr、反向恢復(fù)電荷Qrr，反向峰值電流IRM)的作用所致，合適參數(shù)的FRED與高頻開關(guān)器件的協(xié)調(diào)工作。使高頻逆變電路內(nèi)因開關(guān)器件換相所引起的過電壓尖峰，高頻干擾電壓以及EMI降低，使開關(guān)器件的功能得到充分發(fā)揮，F(xiàn)RED模塊現(xiàn)已批量在大功率開關(guān)電源、高頻逆變電焊機、高頻逆變開關(guān)型電鍍電源、高頻快速充電器以及高頻調(diào)速裝置等場合使用，結(jié)果非常令人滿意。本文將簡要介紹該FRED模塊的工藝結(jié)構(gòu)，技術(shù)參數(shù)。廣東快恢復(fù)二極管MURF1660CT