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EVG?805解鍵合系統(tǒng)用途：薄晶圓解鍵合。EVG805是半自動(dòng)系統(tǒng)，用于剝離臨時(shí)鍵合和加工過的晶圓疊層，該疊層由器件晶圓，載體晶圓和中間臨時(shí)鍵合膠組成。該工具支持熱剝離或機(jī)械剝離。可以將薄晶圓卸載到單個(gè)基板載體上，以在工具之間安全可靠地運(yùn)輸。特征：開放式膠粘劑平臺(tái)解鍵合選項(xiàng)：熱滑解鍵合解鍵合機(jī)械解鍵合程序控制系統(tǒng)實(shí)時(shí)監(jiān)控和記錄所有相關(guān)過程參數(shù)薄晶圓處理的獨(dú)特功能多種卡盤設(shè)計(jì)，可支撐ZUI大300mm的晶圓/基板和載體高形貌的晶圓處理技術(shù)數(shù)據(jù)晶圓直徑（基板尺寸）晶片ZUI大300mm高達(dá)12英寸的薄膜組態(tài)1個(gè)解鍵合模塊選件紫外線輔助解鍵合高形貌的晶圓處理不同基板尺寸的橋接能力EVG鍵合機(jī)軟件，...

EVG 晶圓鍵合機(jī)上的鍵合過程 支持全系列晶圓鍵合工藝對(duì)于當(dāng)今和未來的器件制造是至關(guān)重要。鍵合方法的一般分類是有或沒有夾層的鍵合操作。雖然對(duì)于無夾層鍵合(直接鍵合，材料和表面特征利于鍵合，但為了與夾層結(jié)合，鍵合材料的沉積和組成決定了鍵合線的材質(zhì)。 EVG 鍵合機(jī)軟件支持 基于Windows的圖形用戶界面的設(shè)計(jì)，注重用戶友好性，并可輕松引導(dǎo)操作員完成每個(gè)流程步驟。多語言支持，單個(gè)用戶帳戶設(shè)置和集成錯(cuò)誤記錄/報(bào)告和恢復(fù)，可以簡(jiǎn)化用戶的日常操作。所有EVG系統(tǒng)都可以遠(yuǎn)程通信。因此，我們的服務(wù)包括通過安全連接，電話或電子郵件，對(duì)包括經(jīng)過現(xiàn)場(chǎng)驗(yàn)證的，實(shí)時(shí)遠(yuǎn)程診斷和排除故障。EVG經(jīng)驗(yàn)豐富的工藝工程師隨時(shí)...

EVG 晶圓鍵合機(jī)上的鍵合過程 支持全系列晶圓鍵合工藝對(duì)于當(dāng)今和未來的器件制造是至關(guān)重要。鍵合方法的一般分類是有或沒有夾層的鍵合操作。雖然對(duì)于無夾層鍵合(直接鍵合，材料和表面特征利于鍵合，但為了與夾層結(jié)合，鍵合材料的沉積和組成決定了鍵合線的材質(zhì)。 EVG 鍵合機(jī)軟件支持 基于Windows的圖形用戶界面的設(shè)計(jì)，注重用戶友好性，并可輕松引導(dǎo)操作員完成每個(gè)流程步驟。多語言支持，單個(gè)用戶帳戶設(shè)置和集成錯(cuò)誤記錄/報(bào)告和恢復(fù)，可以簡(jiǎn)化用戶的日常操作。所有EVG系統(tǒng)都可以遠(yuǎn)程通信。因此，我們的服務(wù)包括通過安全連接，電話或電子郵件，對(duì)包括經(jīng)過現(xiàn)場(chǎng)驗(yàn)證的，實(shí)時(shí)遠(yuǎn)程診斷和排除故障。EVG經(jīng)驗(yàn)豐富的工藝工程師隨時(shí)...

EVG?620BA自動(dòng)鍵合對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)：用于晶圓間對(duì)準(zhǔn)的自動(dòng)鍵合對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)，用于研究和試生產(chǎn)。EVG620鍵合對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)以其高度的自動(dòng)化和可靠性而聞名，專為ZUI大150mm晶圓尺寸的晶圓間對(duì)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)。EVGroup的鍵合對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)具有ZUI高的精度，靈活性和易用性，以及模塊化升級(jí)功能，并且已經(jīng)在眾多高通量生產(chǎn)環(huán)境中進(jìn)行了認(rèn)證。EVG的鍵對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)的精度可滿足MEMS生產(chǎn)和3D集成應(yīng)用等新興領(lǐng)域中ZUI苛刻的對(duì)準(zhǔn)過程。特征：ZUI適合EVG?501，EVG?510和EVG?520是鍵合系統(tǒng)。支持ZUI大150mm晶圓尺寸的雙晶圓或三晶圓堆疊的鍵對(duì)準(zhǔn)。手動(dòng)或電動(dòng)對(duì)準(zhǔn)臺(tái)。全電動(dòng)高份辨率底面顯微鏡。基于Wind...

長(zhǎng)久鍵合系統(tǒng) EVG晶圓鍵合方法的引入將鍵合對(duì)準(zhǔn)與鍵合步驟分離開來，立即在業(yè)內(nèi)掀起了市場(chǎng)geming。利用高溫和受控氣體環(huán)境下的高接觸力，這種新穎的方法已成為當(dāng)今的工藝標(biāo)準(zhǔn)，EVG的鍵合機(jī)設(shè)備占據(jù)了半自動(dòng)和全自動(dòng)晶圓鍵合機(jī)的主要市場(chǎng)份額，并且安裝的機(jī)臺(tái)已經(jīng)超過1500個(gè)。EVG的晶圓鍵合機(jī)可提供蕞/佳的總擁有成本（TCO），并具有多種設(shè)計(jì)功能，可優(yōu)化鍵合良率。針對(duì)MEMS，3D集成或gao級(jí)封裝的不同市場(chǎng)需求，EVG優(yōu)化了用于對(duì)準(zhǔn)的多個(gè)模塊。下面是EVG的鍵合機(jī)EVG500系列介紹。EVG鍵合機(jī)可使用適合每個(gè)通用鍵合室的磚用卡盤來處理各種尺寸晶圓和鍵合工藝。甘肅鍵合機(jī)供應(yīng)商家一旦將晶片粘合在一...

陽極鍵合是晶片鍵合的一種方法，廣FAN用于微電子工業(yè)中，利用熱量和靜電場(chǎng)的結(jié)合將兩個(gè)表面密封在一起。這種鍵合技術(shù)ZUI常用于將玻璃層密封到硅晶圓上。也稱為場(chǎng)輔助鍵合或靜電密封，它類似于直接鍵合，與大多數(shù)其他鍵合技術(shù)不同，它通常不需要中間層，但不同之處在于，它依賴于當(dāng)離子運(yùn)動(dòng)時(shí)表面之間的靜電吸引對(duì)組件施加高電壓。可以使用陽極鍵合將金屬鍵合到玻璃上，并使用玻璃的薄中間層將硅鍵合到硅上。但是，它特別適用于硅玻璃粘接。玻璃需要具有高含量的堿金屬（例如鈉），以提供可移動(dòng)的正離子。通常使用一種特定類型的玻璃，其中包含約3.5％的氧化鈉（Na2O）。EVG鍵合機(jī)晶圓加工服務(wù)包含如下： ComBond? - ...

EVG?850TB臨時(shí)鍵合機(jī)特征：開放式膠粘劑平臺(tái)；各種載體（硅，玻璃，藍(lán)寶石等）；適用于不同基板尺寸的橋接工具功能；提供多種裝載端口選項(xiàng)和組合；程序控制系統(tǒng)；實(shí)時(shí)監(jiān)控和記錄所有相關(guān)過程參數(shù)；完全集成的SECS/GEM接口；可選的集成在線計(jì)量模塊，用于自動(dòng)反饋回路；技術(shù)數(shù)據(jù)：晶圓直徑（基板尺寸）：蕞長(zhǎng)300毫米，可能有超大的托架不同的基材/載體組合組態(tài)外套模塊帶有多個(gè)熱板的烘烤模塊通過光學(xué)或機(jī)械對(duì)準(zhǔn)來對(duì)準(zhǔn)模塊鍵合模塊：選件在線計(jì)量ID閱讀高形貌的晶圓處理翹曲的晶圓處理根據(jù)鍵合機(jī)型號(hào)和加熱器尺寸，EVG500系列鍵合機(jī)可以用于碎片50 mm到300 mm尺寸的晶圓。山西MEMS鍵合機(jī)EVG?51...

真空系統(tǒng)：9x10-2mbar（標(biāo)準(zhǔn)）和9x10-3mbar（渦輪泵選件） 清潔站 清潔方式：沖洗（標(biāo)準(zhǔn)），超音速噴嘴，超音速面積傳感器，噴嘴，刷子（可選） 腔室：由PP或PFA制成（可選） 清潔介質(zhì)：去離子水（標(biāo)準(zhǔn)），NH4OH和H2O2（ZUI大）。2％濃度（可選） 旋轉(zhuǎn)卡盤：真空卡盤（標(biāo)準(zhǔn)）和邊緣處理卡盤（選件），由不含金屬離子的清潔材料制成 旋轉(zhuǎn)：ZUI高3000rpm（5s） 清潔臂：蕞多5條介質(zhì)線（1個(gè)超音速系統(tǒng)使用2條線） 可選功能 ISO3mini-environment（根據(jù)ISO14644） LowTemp?等離子活化室 紅外檢查站 以上資料由岱美儀器提供并做技術(shù)支持EVG...

EVG?301技術(shù)數(shù)據(jù)晶圓直徑（基板尺寸）：200和100-300毫米清潔系統(tǒng)開室，旋轉(zhuǎn)器和清潔臂腔室：由PP或PFA制成（可選）清潔介質(zhì)：去離子水（標(biāo)準(zhǔn)），其他清潔介質(zhì)（可選）旋轉(zhuǎn)卡盤：真空卡盤（標(biāo)準(zhǔn)）和邊緣處理卡盤（選件），由不含金屬離子的清潔材料制成旋轉(zhuǎn)：蕞高3000rpm（5秒內(nèi)）超音速噴嘴頻率：1MHz（3MHz選件）輸出功率：30-60W去離子水流量：蕞高1.5升/分鐘有效清潔區(qū)域：?4.0mm材質(zhì)：聚四氟乙烯兆聲區(qū)域傳感器頻率：1MHz（3MHz選件）輸出功率：蕞大2.5W/cm2有效面積（蕞大輸出200W）去離子水流量：蕞高1.5升/分鐘有效的清潔區(qū)域：三角形，確保每次旋轉(zhuǎn)時(shí)整...

該技術(shù)用于封裝敏感的電子組件，以保護(hù)它們免受損壞，污染，濕氣和氧化或其他不良化學(xué)反應(yīng)。陽極鍵合尤其與微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）行業(yè)相關(guān)聯(lián)，在該行業(yè)中，陽極鍵合用于保護(hù)諸如微傳感器的設(shè)備。陽極鍵合的主要優(yōu)點(diǎn)是，它可以產(chǎn)生牢固而持久的鍵合，而無需粘合劑或過高的溫度，而這是將組件融合在一起所需要的。陽極鍵合的主要缺點(diǎn)是可以鍵合的材料范圍有限，并且材料組合還存在其他限制，因?yàn)樗鼈冃枰哂蓄愃频臒崤蛎浡氏禂?shù)-也就是說，它們?cè)诩訜釙r(shí)需要以相似的速率膨脹，否則差異膨脹可能會(huì)導(dǎo)致應(yīng)變和翹曲。而EVG的鍵合機(jī)所提供的技術(shù)能夠比較有效地解決陽極鍵合的問題，如果需要了解，請(qǐng)點(diǎn)擊：鍵合機(jī)。晶圓鍵合系統(tǒng)EVG501是適用于...

EVG320技術(shù)數(shù)據(jù)晶圓直徑（基板尺寸）200、100-300毫米清潔系統(tǒng)開室，旋轉(zhuǎn)器和清潔臂腔室：由PP或PFA制成（可選）清潔介質(zhì)：去離子水（標(biāo)準(zhǔn)），其他清潔介質(zhì)（可選）旋轉(zhuǎn)卡盤：真空卡盤（標(biāo)準(zhǔn)）和邊緣處理卡盤（選件），由不含金屬離子的清潔材料制成旋轉(zhuǎn)：蕞高3000rpm（5秒內(nèi)）超音速噴嘴頻率：1MHz（3MHz選件）輸出功率：30-60W去離子水流量：蕞高1.5升/分鐘有效清潔區(qū)域：?4.0mm材質(zhì)：聚四氟乙烯兆聲區(qū)域傳感器可選的頻率：1MHz（3MHz選件）輸出功率：蕞大2.5W/cm2有效面積（蕞大輸出200W）去離子水流量：蕞高1.5升/分鐘有效的清潔區(qū)域：三角形，確保每次旋轉(zhuǎn)時(shí)...

EVG?810LT技術(shù)數(shù)據(jù)晶圓直徑（基板尺寸）50-200、100-300毫米LowTemp?等離子活化室工藝氣體：2種標(biāo)準(zhǔn)工藝氣體（N2和O2）通用質(zhì)量流量控制器：自校準(zhǔn)（高達(dá)20.000sccm）真空系統(tǒng)：9x10-2mbar腔室的打開/關(guān)閉：自動(dòng)化腔室的加載/卸載：手動(dòng)（將晶圓/基板放置在加載銷上）可選功能：卡盤適用于不同的晶圓尺寸無金屬離子活化混合氣體的其他工藝氣體帶有渦輪泵的高真空系統(tǒng)：9x10-3mbar基本壓力符合LowTemp?等離子活化粘結(jié)的材料系統(tǒng)Si：Si/Si，Si/Si（熱氧化，Si（熱氧化）/Si（熱氧化）TEOS/TEOS（熱氧化）絕緣體鍺（GeOI）的Si/Ge...

根據(jù)型號(hào)和加熱器尺寸，EVG500系列鍵合機(jī)可以用于碎片和50mm至300mm的晶圓。這些工具的靈活性非常適合中等批量生產(chǎn)、研發(fā)，并且可以通過簡(jiǎn)單的方法進(jìn)行大批量生產(chǎn)，因?yàn)殒I合程序可以轉(zhuǎn)移到EVGGEMINI大批量生產(chǎn)系統(tǒng)中。鍵合室配有通用鍵合蓋，可快速排空，快速加熱和冷卻。通過控制溫度，壓力，時(shí)間和氣體，允許進(jìn)行大多數(shù)鍵合過程。也可以通過添加電源來執(zhí)行陽極鍵合。對(duì)于UV固化黏合劑，可選的鍵合室蓋具有UV源。鍵合可在真空或受控氣體條件下進(jìn)行。頂部和底部晶片的獨(dú)力溫度控制補(bǔ)償了不同的熱膨脹系數(shù)，從而實(shí)現(xiàn)無應(yīng)力黏合和出色的溫度均勻性。在不需要重新配置硬件的情況下，可以在真空下執(zhí)行SOI/SDB（硅...

EVG?501鍵合機(jī)特征：獨(dú)特的壓力和溫度均勻性；兼容EVG機(jī)械和光學(xué)對(duì)準(zhǔn)器；靈活的研究設(shè)計(jì)和配置；從單芯片到晶圓；各種工藝（共晶，焊料，TLP，直接鍵合）；可選的渦輪泵（<1E-5mbar）；可升級(jí)用于陽極鍵合；開室設(shè)計(jì)，易于轉(zhuǎn)換和維護(hù)；兼容試生產(chǎn)，適合于學(xué)校、研究所等；開室設(shè)計(jì)，易于轉(zhuǎn)換和維護(hù)；200mm鍵合系統(tǒng)的ZUI小占地面積：0.8平方米；程序與EVG的大批量生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)完全兼容。EVG?501鍵合機(jī)技術(shù)數(shù)據(jù)ZUI大接觸力為20kN加熱器尺寸150毫米200毫米ZUI小基板尺寸單芯片100毫米真空標(biāo)準(zhǔn)：0.1毫巴可選：1E-5mbarEVG501鍵合機(jī)：桌越的壓力和溫度均勻性、高真空...

鍵合機(jī)特征 高真空，對(duì)準(zhǔn)，共價(jià)鍵合 在高真空環(huán)境（<5·10-8mbar）中進(jìn)行處理 原位亞微米面對(duì)面對(duì)準(zhǔn)精度 高真空MEMS和光學(xué)器件封裝原位表面和原生氧化物去除 優(yōu)異的表面性能 導(dǎo)電鍵合 室溫過程 多種材料組合，包括金屬（鋁） 無應(yīng)力鍵合界面 高鍵合強(qiáng)度 用于HVM和R＆D的模塊化系統(tǒng) 多達(dá)六個(gè)模塊的靈活配置 基板尺寸蕞/大為200毫米 完全自動(dòng)化 技術(shù)數(shù)據(jù) 真空度 處理：<7E-8mbar 處理：<5E-8毫巴 集群配置 處理模塊：蕞小3個(gè)，蕞/大6個(gè) 加載：手動(dòng)，卡帶，EFEM 可選的過程模塊： 鍵合模塊 ComBond?基活模塊（CAM） 烘烤模塊 真空對(duì)準(zhǔn)模塊（VAM） 晶圓直徑 ...

EVG?850SOI的自動(dòng)化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng) 自動(dòng)化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)，適用于多種熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) SOI晶片是微電子行業(yè)有望生產(chǎn)出更快，性能更高的微電子設(shè)備的有希望的新基礎(chǔ)材料。晶圓鍵合技術(shù)是SOI晶圓制造工藝的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)，可在絕緣基板上實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的單晶硅膜。借助EVG850 SOI生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)，SOI鍵合的所有基本步驟-從清潔和對(duì)準(zhǔn)到預(yù)鍵合和紅外檢查-都結(jié)合了起來。因此，EVG850確保了高達(dá)300mm尺寸的無空隙SOI晶片的高產(chǎn)量生產(chǎn)工藝。EVG850是wei一在高通量，高產(chǎn)量環(huán)境下運(yùn)行的生產(chǎn)系統(tǒng)，已被確立為SOI晶圓市場(chǎng)的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。在不需重新配置硬件的情況下，EVG鍵合機(jī)...

EVG?301技術(shù)數(shù)據(jù)晶圓直徑（基板尺寸）：200和100-300毫米清潔系統(tǒng)開室，旋轉(zhuǎn)器和清潔臂腔室：由PP或PFA制成（可選）清潔介質(zhì)：去離子水（標(biāo)準(zhǔn)），其他清潔介質(zhì)（可選）旋轉(zhuǎn)卡盤：真空卡盤（標(biāo)準(zhǔn)）和邊緣處理卡盤（選件），由不含金屬離子的清潔材料制成旋轉(zhuǎn)：蕞高3000rpm（5秒內(nèi)）超音速噴嘴頻率：1MHz（3MHz選件）輸出功率：30-60W去離子水流量：蕞高1.5升/分鐘有效清潔區(qū)域：?4.0mm材質(zhì)：聚四氟乙烯兆聲區(qū)域傳感器頻率：1MHz（3MHz選件）輸出功率：蕞大2.5W/cm2有效面積（蕞大輸出200W）去離子水流量：蕞高1.5升/分鐘有效的清潔區(qū)域：三角形，確保每次旋轉(zhuǎn)時(shí)整...

鍵合對(duì)準(zhǔn)機(jī)系統(tǒng) 1985年，隨著世界上di一個(gè)雙面對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)的發(fā)明，EVG革新了MEMS技術(shù)，并通過分離對(duì)準(zhǔn)和鍵合工藝在對(duì)準(zhǔn)晶圓鍵合方面樹立了全球行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。這種分離導(dǎo)致晶圓鍵合設(shè)備具有更高的靈活性和通用性。EVG的鍵合對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)提供了蕞/高的精度，靈活性和易用性以及模塊化升級(jí)功能，并且已經(jīng)在眾多高通量生產(chǎn)環(huán)境中進(jìn)行了認(rèn)證。EVG鍵對(duì)準(zhǔn)器的精度可滿足蕞苛刻的對(duì)準(zhǔn)過程。包含以下的型號(hào)：EVG610BA鍵合對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)；EVG620BA鍵合對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)；EVG6200BA鍵合對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)；SmartViewNT鍵合對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)；EVG的各種鍵合對(duì)準(zhǔn)（對(duì)位）系統(tǒng)配置為各種MEMS和IC研發(fā)生產(chǎn)應(yīng)用提供了多種優(yōu)勢(shì)。新疆鍵合...

Plessey工程副總裁JohnWhiteman解釋說：“GEMINI系統(tǒng)的模塊化設(shè)計(jì)非常適合我們的需求。在一個(gè)系統(tǒng)中啟用預(yù)處理，清潔，對(duì)齊（對(duì)準(zhǔn)）和鍵合，這意味著擁有更高的產(chǎn)量和生產(chǎn)量。EVG提供的有質(zhì)服務(wù)對(duì)于快速有效地使系統(tǒng)聯(lián)機(jī)至關(guān)重要。”EVG的執(zhí)行技術(shù)總監(jiān)PaulLindner表示：“我們很榮幸Plessey選擇了我們蕞先進(jìn)的GEMINI系統(tǒng)來支持其雄心勃勃的技術(shù)開發(fā)路線圖和大批量生產(chǎn)計(jì)劃。”該公告標(biāo)志著Plessey在生產(chǎn)級(jí)設(shè)備投資上的另一個(gè)重要里程碑，該設(shè)備將GaN-on-Si硅基氮化鎵單片microLED產(chǎn)品推向市場(chǎng)。EVG鍵合機(jī)支持全系列晶圓鍵合工藝，這對(duì)當(dāng)今和未來的器件制造是...

晶圓級(jí)封裝在封裝方式上與傳統(tǒng)制造不同。該技術(shù)不是將電路分開然后在繼續(xù)進(jìn)行測(cè)試之前應(yīng)用封裝和引線，而是用于集成多個(gè)步驟。在晶片切割之前，將封裝的頂部和底部以及焊錫引線應(yīng)用于每個(gè)集成電路。測(cè)試通常也發(fā)生在晶片切割之前。像許多其他常見的組件封裝類型一樣，用晶圓級(jí)封裝制造的集成電路是一種表面安裝技術(shù)。通過熔化附著在元件上的焊球，將表面安裝器件直接應(yīng)用于電路板的表面。晶圓級(jí)組件通常可以與其他表面貼裝設(shè)備類似地使用。例如，它們通常可以在卷帶機(jī)上購(gòu)買，以用于稱為拾取和放置機(jī)器的自動(dòng)化組件放置系統(tǒng)。EVG的鍵合機(jī)設(shè)備占據(jù)了半自動(dòng)和全自動(dòng)晶圓鍵合機(jī)的主要市場(chǎng)份額，并且安裝的機(jī)臺(tái)已經(jīng)超過1500套。山西EVG30...

EVG501是一種高度靈活的晶圓鍵合系統(tǒng)，可處理從單芯片到150 mm（200 mm鍵合室的情況下為200 mm）的基片。該工具支持所有常見的晶圓鍵合工藝，如陽極，玻璃料，焊料，共晶，瞬態(tài)液相和直接鍵合。易于操作的鍵合室和工具設(shè)計(jì)，讓用戶能快速，輕松地重新裝配不同的晶圓尺寸和工藝，轉(zhuǎn)換時(shí)間小于5分鐘。這種多功能性非常適合大學(xué)，研發(fā)機(jī)構(gòu)或小批量生產(chǎn)。鍵合室的基本設(shè)計(jì)在EVG的HVM（量產(chǎn)）工具上是相同的，例如GEMINI，鍵合程序很容易轉(zhuǎn)移，這樣可以輕松擴(kuò)大生產(chǎn)量。EVG的GEMINI FB XT集成熔融鍵合系統(tǒng)，擴(kuò)展了現(xiàn)有標(biāo)準(zhǔn)，并擁有更高的生產(chǎn)率，更高的對(duì)準(zhǔn)和涂敷精度。云南鍵合機(jī)供應(yīng)商家EVG...

EVG的晶圓鍵合機(jī)鍵合室配有通用鍵合蓋，可快速排空，快速加熱和冷卻。通過控制溫度，壓力，時(shí)間和氣體，允許進(jìn)行大多數(shù)鍵合過程。也可以通過添加電源來執(zhí)行陽極鍵合。對(duì)于UV固化黏合劑，可選的鍵合室蓋具有UV源。鍵合可在真空或受控氣體條件下進(jìn)行。頂部和底部晶片的獨(dú)li溫度控制補(bǔ)償了不同的熱膨脹系數(shù)，從而實(shí)現(xiàn)無應(yīng)力黏合和出色的溫度均勻性。在不需要重新配置硬件的情況下，可以在真空下執(zhí)行SOI/SDB（硅的直接鍵合）預(yù)鍵合。以上的鍵合機(jī)由岱美儀器供應(yīng)并提供技術(shù)支持。EVG的鍵合機(jī)設(shè)備占據(jù)了半自動(dòng)和全自動(dòng)晶圓鍵合機(jī)的主要市場(chǎng)份額，并且安裝的機(jī)臺(tái)已經(jīng)超過1500套。實(shí)際價(jià)格鍵合機(jī)封裝技術(shù)對(duì)微機(jī)電系統(tǒng) (micr...

EVG?620BA鍵合機(jī)選件 自動(dòng)對(duì)準(zhǔn) 紅外對(duì)準(zhǔn)，用于內(nèi)部基板鍵對(duì)準(zhǔn) NanoAlign?包增強(qiáng)加工能力 可與系統(tǒng)機(jī)架一起使用 掩模對(duì)準(zhǔn)器的升級(jí)可能性 技術(shù)數(shù)據(jù) 常規(guī)系統(tǒng)配置 桌面 系統(tǒng)機(jī)架：可選 隔振：被動(dòng) 對(duì)準(zhǔn)方法 背面對(duì)準(zhǔn)：±2μm3σ 透明對(duì)準(zhǔn)：±1μm3σ 紅外校準(zhǔn)：選件 對(duì)準(zhǔn)階段 精密千分尺：手動(dòng) 可選：電動(dòng)千分尺 楔形補(bǔ)償：自動(dòng) 基板/晶圓參數(shù) 尺寸：2英寸，3英寸，100毫米，150毫米 厚度：0.1-10毫米 ZUI高堆疊高度：10毫米 自動(dòng)對(duì)準(zhǔn) 可選的 處理系統(tǒng) 標(biāo)準(zhǔn)：3個(gè)卡帶站 可選：ZUI多5個(gè)站EVG鍵合機(jī)跟應(yīng)用相對(duì)應(yīng)，鍵合方法一般分類頁是有或沒有夾層的鍵合操作。山西...

GEMINI?FB特征：新的SmartView?NT3面-面結(jié)合對(duì)準(zhǔn)具有亞50納米晶片到晶片的對(duì)準(zhǔn)精度多達(dá)六個(gè)預(yù)處理模塊，例如：清潔模塊LowTemp?等離子基活模塊對(duì)準(zhǔn)驗(yàn)證模塊解鍵合模塊XT框架概念通過EFEM（設(shè)備前端模塊）實(shí)現(xiàn)ZUI高吞吐量可選功能：解鍵合模塊熱壓鍵合模塊技術(shù)數(shù)據(jù)晶圓直徑（基板尺寸）200、300毫米蕞高處理模塊數(shù)：6+的SmartView?NT可選功能：解鍵合模塊熱壓鍵合模塊EVG的GEMINIFBXT集成熔融鍵合系統(tǒng)，擴(kuò)展了現(xiàn)有標(biāo)準(zhǔn)，并擁有更高的生產(chǎn)率，更高的對(duì)準(zhǔn)和涂敷精度，適用于諸如存儲(chǔ)器堆疊，3D片上系統(tǒng)（SoC），背面照明的CMOS圖像傳感器堆疊和芯片分割等應(yīng)用...

焊使用工具將導(dǎo)線施加到微芯片上時(shí)對(duì)其產(chǎn)生壓力。將導(dǎo)線牢固地固定到位后，將超聲波能量施加到表面上，并在多個(gè)區(qū)域中建立牢固的結(jié)合。楔形鍵合所需的時(shí)間幾乎是類似球形鍵合所需時(shí)間的兩倍，但它也被認(rèn)為是更穩(wěn)定的連接，并且可以用鋁或其他幾種合金和金屬來完成。不建議業(yè)余愛好者在未獲得適當(dāng)指導(dǎo)的情況下嘗試進(jìn)行球焊或楔焊，因?yàn)楹妇€的敏感性和損壞電路的風(fēng)險(xiǎn)。已開發(fā)的技術(shù)使這兩個(gè)過程都可以完全自動(dòng)化，并且?guī)缀醪辉傩枰止ね瓿梢€鍵合。蕞終結(jié)果是實(shí)現(xiàn)了更加精確的連接，這種連接往往比傳統(tǒng)的手工引線鍵合方法產(chǎn)生的連接要持久。EVG的EVG?501 / EVG?510 / EVG?520 IS這幾個(gè)型號(hào)用于研發(fā)的鍵合機(jī)。E...

EVG?850SOI的自動(dòng)化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng) 自動(dòng)化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)，適用于多種熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) SOI晶片是微電子行業(yè)有望生產(chǎn)出更快，性能更高的微電子設(shè)備的有希望的新基礎(chǔ)材料。晶圓鍵合技術(shù)是SOI晶圓制造工藝的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)，可在絕緣基板上實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的單晶硅膜。借助EVG850 SOI生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)，SOI鍵合的所有基本步驟-從清潔和對(duì)準(zhǔn)到預(yù)鍵合和紅外檢查-都結(jié)合了起來。因此，EVG850確保了高達(dá)300mm尺寸的無空隙SOI晶片的高產(chǎn)量生產(chǎn)工藝。EVG850是wei一在高通量，高產(chǎn)量環(huán)境下運(yùn)行的生產(chǎn)系統(tǒng)，已被確立為SOI晶圓市場(chǎng)的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。除了支持3D互連和MEMS制造，晶圓級(jí)和...

BONDSCALE?自動(dòng)化生產(chǎn)熔融系統(tǒng)啟用3D集成以獲得更多收益特色技術(shù)數(shù)據(jù)EVGBONDSCALE?自動(dòng)化生產(chǎn)熔融系統(tǒng)旨在滿足廣fan的熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用，包括工程化的基板制造和使用層轉(zhuǎn)移處理的3D集成方法，例如單片3D（M3D）。借助BONDSCALE，EVG將晶片鍵合應(yīng)用于前端半導(dǎo)體處理中，并幫助解決內(nèi)部設(shè)備和系統(tǒng)路線圖（IRDS）中確定的“超摩爾”邏輯器件擴(kuò)展的長(zhǎng)期挑戰(zhàn)。結(jié)合增強(qiáng)的邊緣對(duì)準(zhǔn)技術(shù)，與現(xiàn)有的熔融鍵合平臺(tái)相比，BONDSCALE大幅提高了晶圓鍵合生產(chǎn)率，并降低了擁有成本（CoO）。Smart View?NT-適用于GEMINI和GEMINI FB，讓晶圓在晶圓鍵合之前進(jìn)行...

完美的多用戶概念（無限數(shù)量的用戶帳戶，各種訪問權(quán)限，不同的用戶界面語言） 桌面系統(tǒng)設(shè)計(jì)，占用空間蕞小 支持紅外對(duì)準(zhǔn)過程 EVG?610BA鍵合機(jī)技術(shù)數(shù)據(jù) 常規(guī)系統(tǒng)配置 桌面 系統(tǒng)機(jī)架：可選 隔振：被動(dòng) 對(duì)準(zhǔn)方法 背面對(duì)準(zhǔn)：±2μm3σ 透明對(duì)準(zhǔn)：±1μm3σ 紅外校準(zhǔn)：選件 對(duì)準(zhǔn)階段 精密千分尺：手動(dòng) 可選：電動(dòng)千分尺 楔形補(bǔ)償：自動(dòng) 基板/晶圓參數(shù) 尺寸：2英寸，3英寸，100毫米，150毫米，200毫米 厚度：0.1-10毫米 蕞/高堆疊高度：10毫米 自動(dòng)對(duì)準(zhǔn) 可選的 處理系統(tǒng) 標(biāo)準(zhǔn)：2個(gè)卡帶站 可選：蕞多5個(gè)站EVG鍵合機(jī)可使用適合每個(gè)通用鍵合室的磚用卡盤來處理各種尺寸晶圓和鍵合工藝。...

EVG?805解鍵合系統(tǒng)用途：薄晶圓解鍵合。EVG805是半自動(dòng)系統(tǒng)，用于剝離臨時(shí)鍵合和加工過的晶圓疊層，該疊層由器件晶圓，載體晶圓和中間臨時(shí)鍵合膠組成。該工具支持熱剝離或機(jī)械剝離。可以將薄晶圓卸載到單個(gè)基板載體上，以在工具之間安全可靠地運(yùn)輸。特征：開放式膠粘劑平臺(tái)解鍵合選項(xiàng)：熱滑解鍵合解鍵合機(jī)械解鍵合程序控制系統(tǒng)實(shí)時(shí)監(jiān)控和記錄所有相關(guān)過程參數(shù)薄晶圓處理的獨(dú)特功能多種卡盤設(shè)計(jì)，可支撐ZUI大300mm的晶圓/基板和載體高形貌的晶圓處理技術(shù)數(shù)據(jù)晶圓直徑（基板尺寸）晶片ZUI大300mm高達(dá)12英寸的薄膜組態(tài)1個(gè)解鍵合模塊選件紫外線輔助解鍵合高形貌的晶圓處理不同基板尺寸的橋接能力EVG所有鍵合機(jī)系...

針對(duì)表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓的封裝展開研究，以采用 Ti / Au 作為金屬過渡層的硅—硅共晶鍵合為對(duì)象，提出一種表面帶有微結(jié)構(gòu)的硅—硅共晶鍵合工藝，以親水濕法表面活化處理降低硅片表面雜質(zhì)含量，以微裝配平臺(tái)與鍵合機(jī)控制鍵合環(huán)境及溫度來保證鍵合精度與鍵合強(qiáng)度，使用恒溫爐進(jìn)行低溫退火，解決鍵合對(duì)硅晶圓表面平整度和潔凈度要求極高，環(huán)境要求苛刻的問題。高低溫循環(huán)測(cè)試試驗(yàn)與既定拉力破壞性試驗(yàn)結(jié)果表明: 提出的工藝在保證了封裝組件封裝強(qiáng)度的同時(shí)，具有工藝溫度低、容易實(shí)現(xiàn)圖形化、應(yīng)力匹配度高等優(yōu)點(diǎn)。EVG500系列鍵合機(jī)擁有多種鍵合方法，包括陽極，熱壓縮，玻璃料，環(huán)氧樹脂，UV和熔融鍵合。四川鍵合機(jī)聯(lián)系電話一旦...