磁控濺射是由二極濺射基礎上發展而來,在靶材表面建立與電場正交磁場,解決了二極濺射沉積速率低,等離子體離化率低等問題,成為鍍膜工業主要方法之一。磁控濺射與其它鍍膜技術相比具有以下特點:可制備成靶的材料廣,幾乎所有金屬,合金和陶瓷材料都可以制成靶材;在適當條件下多...
磁控濺射技術原理如下:電子在電場的作用下加速飛向基片的過程中與氬原子發生碰撞,電離出大量的氬離子和電子,電子飛向基片。氬離子在電場的作用下加速轟擊靶材,濺射出大量的靶材原子,呈中性的靶原子沉積在基片上成膜。二次電子在加速飛向基片的過程中受到磁場洛倫茲力的影響,...
真空鍍膜:電子束蒸發可以蒸發高熔點材料,比起一般的電阻加熱蒸發熱效率高、束流密度大、蒸發速度快,制成的薄膜純度高、質量好,厚度可以較準確地控制,可以普遍應用于制備高純薄膜和導電玻璃等各種光學材料薄膜。電子束蒸發的特點是不會或很少覆蓋在目標三維結構的兩側,通常只...
GaN材料系列具有低的熱產生率和高的擊穿電場,是研制高溫大功率電子器件和高頻微波器件的重要材料。目前,隨著MBE技術在GaN材料應用中的進展和關鍵薄膜生長技術的突破,成功地生長出了GaN多種異質結構。用GaN材料制備出了金屬場效應晶體管(MESFET)、異質結...
磁控濺射技術原理如下:濺射鍍膜的原理是稀薄氣體在異常輝光放電產生的等離子體在電場的作用下,對陰極靶材表面進行轟擊,把靶材表面的分子、原子、離子及電子等濺射出來,被濺射出來的粒子帶有一定的動能,沿一定的方向射向基體表面,在基體表面形成鍍層。濺射鍍膜較初出現的是簡...
磁控濺射鍍膜常見領域應用:1.一些不適合化學氣相沉積(MOCVD)的材料可以通過磁控濺射沉積,這種方法可以獲得均勻的大面積薄膜。2.機械工業:如表面功能膜、超硬膜、自潤滑膜等.這些膜能有效提高表面硬度、復合韌性、耐磨性和高溫化學穩定性,從而大幅度提高產品的使用...
磁控濺射靶材的分類如下:根據材料的成分不同,靶材可分為金屬靶材、合金靶材、無機非金屬靶材等。其中無機非金屬靶材又可分為氧化物、硅化物、氮化物和氟化物等不同種類靶材。根據幾何形狀的不同,靶材可分為長方體形靶材、圓柱體靶材和不規則形狀靶材;此外,靶材還可以分為實心...
反應磁控濺射特點:(1)采用雙靶中頻電源解決反應磁控濺射過程中因陽極被絕緣介質膜覆蓋而造成的等離子體不穩定現象,同時還解決了電荷積累放電的問題。(2)利用等離子發射譜監測等離子體中的金屬粒子含量,調節反應氣體流量使等離子體放電電壓穩定,從而使沉積速率穩定。(3...
磁控濺射的濺射技術:直流濺射法:直流濺射法要求靶材能夠將從離子轟擊過程中得到的正電荷傳遞給與其緊密接觸的陰極,從而該方法只能濺射導體材料。因為轟擊絕緣靶材時,表面的離子電荷無法中和,這將導致靶面電位升高,外加電壓幾乎都加在靶上,兩極間的離子加速與電離的機會將變...
磁控濺射的工藝研究:1、磁場。用來捕獲二次電子的磁場必須在整個靶面上保持一致,而且磁場強度應當合適。磁場不均勻就會產生不均勻的膜層。磁場強度如果不適當,那么即使磁場強度一致也會導致膜層沉積速率低下,而且可能在螺栓頭處發生濺射。這就會使膜層受到污染。如果磁場強度...
影響磁控濺射鍍膜結果的因素:1、濺射功率的影響,在基體和涂層材料確定的情況下,工藝參數的選擇對于涂層生長速率和涂層質量都有很大的影響.其中濺射功率的設定對這兩方面都有極大的影響。2、氣壓的影響,磁控濺射是在低氣壓下進行高速濺射,為此需要提高氣體的離化率,使氣體...
磁控濺射的基本原理是利用Ar一O2混合氣體中的等離子體在電場和交變磁場的作用下,被加速的高能粒子轟擊靶材表面,能量交換后,靶材表面的原子脫離原晶格而逸出,轉移到基體表面而成膜。磁控濺射的特點是成膜速率高,基片溫度低,膜的粘附性好,可實現大面積鍍膜。該技術可以分...
特殊濺射沉積技術:反應濺射參數與生成物性能的關系:在純Ar狀態下濺射沉積的時純鋁膜,當氮氣被引入真空室后,靶面發生變化,隨氮氣的量不斷上升,填充因子下降,膜內AlN含量上升,膜的介質性提高,方塊電阻增加,當氮氣達到某一值時,沉積膜就是純的AlN。同時電流不變的...
電子束蒸發蒸鍍如鎢(W)、鉬(Mo)等高熔點材料,需要在坩堝的結構上做一定的改進,以提高鍍膜的效率。高熔點的材料采用錠或者顆粒狀放在坩堝當中,因為水冷坩堝導熱過快,材料難以達到其蒸發的溫度。經過實驗的驗證,蒸發高熔點的材料可以用薄片來蒸鍍,將1mm材料薄片架空...
磁控濺射的種類:用磁控靶源濺射金屬和合金很容易,點火和濺射很方便。這是因為靶,等離子體和被濺零件/真空腔體可形成回路。但若濺射絕緣體,則回路斷了。于是人們采用高頻電源,回路中加入很強的電容,這樣在絕緣回路中靶材成了一個電容。但高頻磁控濺射電源昂貴,濺射速率很小...
直流濺射的結構原理:真空室中裝有輝光放電的陰極,靶材就裝在此極表面上,接受離子轟擊;安裝鍍膜基片或工件的樣品臺以及真空室接地,作為陽極。操作時將真空室抽至高真空后,通入氬氣,并使其真空度維持在1.0Pa左右,再加上2-3kV的直流電壓于兩電極之上,即可產生輝光...
影響磁控濺射鍍膜結果的因素:1、濺射功率的影響,在基體和涂層材料確定的情況下,工藝參數的選擇對于涂層生長速率和涂層質量都有很大的影響.其中濺射功率的設定對這兩方面都有極大的影響。2、氣壓的影響,磁控濺射是在低氣壓下進行高速濺射,為此需要提高氣體的離化率,使氣體...
真空鍍膜:等離子體鍍膜:在物理的氣相沉積中通常采用冷陰極電弧蒸發,以固體鍍料作為陰極,采用水冷使冷陰極表面形成許多亮斑,即陰極弧斑。弧斑就是電弧在陰極附近的弧根。在真空條件下,用引弧針引弧,使真空金壁(陽極)和鍍材(陰極)之間進行弧光放電,陰極表面快速移動著多...
磁控濺射的工藝研究:1、磁場:用來捕獲二次電子的磁場必須在整個靶面上保持一致,而且磁場強度應當合適。磁場不均勻就會產生不均勻的膜層。磁場強度如果不適當,那么即使磁場強度一致也會導致膜層沉積速率低下,而且可能在螺栓頭處發生濺射。這就會使膜層受到污染。如果磁場強度...
真空鍍膜:多弧離子鍍:多弧離子鍍又稱作為電弧離子鍍,由于在陰極上有多個弧斑持續呈現,所以稱作為“多弧”。多弧離子鍍的主要特點說明:陰極電弧蒸發離化源可從固體陰極直接產生等離子體,而不產生熔池,所以可以任意方位布置,也可采用多個蒸發離化源。鍍料的離化率高,一般達...
射頻磁控濺射,又稱射頻磁控濺射,是一種制備薄膜的工藝,特別是在使用非導電材料時,薄膜是在放置在真空室中的基板上生長的。強大的磁鐵用于電離目標材料,并促使其以薄膜的形式沉淀在基板上。使用鉆頭的人射頻磁控濺射過程的第一步是將基片材料置于真空中真空室。然后空氣被移除...
正膠光刻的基本流程:襯底清洗、前烘以及預處理,涂膠、軟烘、曝光、顯影、圖形檢查,后烘。負膠光刻的基本流程:襯底清洗、前烘以及預處理、涂膠、軟烘、曝光、后烘、顯影、圖形檢查。正膠曝光前,光刻膠不溶于顯影液,曝光后,曝光區溶于顯影液,圖形與掩膜版圖形相同;而負性光...
真空磁控濺射涂層技術與真空蒸發涂層技術的區別:真空磁控濺射涂層技術不同于真空蒸發涂層技術。濺射是指荷能顆粒轟擊固體表面,使固體原子或分子從表面射出的現象。大多數粒子是原子狀態,通常稱為濺射原子。用于轟擊目標的濺射顆粒可以是電子、離子或中性顆粒,因為離子很容易加...
一般微電子化學品具有一定的腐蝕性,對生產設備有較高的要求,且生產環境需要進行無塵或微塵處理。制備較優微電子化學品還需要全封閉、自動化的工藝流程,以避免污染,提高質量。因此,光刻膠等微電子化學品生產在安全生產、環保設備、生產工藝系統、過程控制體系以及研發投資等方...
磁控濺射法:磁控濺射法是在高真空充入適量的氬氣,在陰極和陽極之間施加幾百K直流電壓,在鍍膜室內產生磁控型異常輝光放電,使氬氣發生電離。優勢特點:較常用的制備磁性薄膜的方法是磁控濺射法。氬離子被陰極加速并轟擊陰極靶表面,將靶材表面原子濺射出來沉積在基底表面上形成...
微機電系統也叫做微電子機械系統、微系統、微機械等,指尺寸在幾毫米乃至更小的高科技裝置。微機電系統其內部結構一般在微米甚至納米量級,是一個單獨的智能系統。微機電系統是在微電子技術(半導體制造技術)基礎上發展起來的,融合了光刻、腐蝕、薄膜、LIGA、硅微加工、非硅...
二極管的主要原理就是利用PN結的單向導電性,在PN結上加上引線和封裝就成了一個二極管。晶體二極管為一個由P型半導體和N型半導體形成的PN結,在其界面處兩側形成空間電荷層,并建有自建電場。當不存在外加電壓時,由于PN結兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起...
磁控濺射的工藝研究:1、磁場:用來捕獲二次電子的磁場必須在整個靶面上保持一致,而且磁場強度應當合適。磁場不均勻就會產生不均勻的膜層。磁場強度如果不適當,那么即使磁場強度一致也會導致膜層沉積速率低下,而且可能在螺栓頭處發生濺射。這就會使膜層受到污染。如果磁場強度...
用硅片制造晶片主要是制造晶圓上嵌入電子元件(如電晶體、電容、邏輯閘等)的電路,這是所需技術較復雜、投資較大的工藝。作為一個例子,單片機的加工工序多達幾百道,而且需要的加工設備也比較先進,成本較高。盡管細節處理程序會隨著產品類型和使用技術的改變而發生變化,但是它...
電子束蒸發是目前真空鍍膜技術中一種成熟且主要的鍍膜方法,它解決了電阻加熱方式中鎢舟材料與蒸鍍源材料直接接觸容易互混的問題。同時在同一蒸發沉積裝置中可以安置多個坩堝,實現同時或分別蒸發,沉積多種不同的物質。通過電子束蒸發,任何材料都可以被蒸發,不同材料需要采用不...