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磁控濺射的工藝研究：1、磁場：用來捕獲二次電子的磁場必須在整個靶面上保持一致，而且磁場強度應當合適。磁場不均勻就會產生不均勻的膜層。磁場強度如果不適當，那么即使磁場強度一致也會導致膜層沉積速率低下，而且可能在螺栓頭處發生濺射。這就會使膜層受到污染。如果磁場強度...

磁控濺射的工作原理是指電子在電場E的作用下，在飛向基片過程中與氬原子發生碰撞，使其電離產生出Ar正離子和新的電子；新電子飛向基片，Ar離子在電場作用下加速飛向陰極靶，并以高能量轟擊靶表面，使靶材發生濺射。在濺射粒子中，中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜，而...

磁控濺射的基本原理就是以磁場改變電子運動方向，束縛和延長運動路徑，提高電子的電離概率和有效地利用了電子的能量。因此在形成高密度等離子體的異常輝光放電中，正離子對靶材轟擊所引起的靶材濺射更加有效，同時受正交電磁場的束縛的電子只能在其能量將要耗盡時才能沉積在基片上...

直流磁控濺射所用的電源是直流高壓電源，通常在300～1000V，特點是濺射速率快，造價低，后期維修保養廉價。可是只能濺射金屬靶材，假如靶材是絕緣體，隨著濺射的深化，靶材會聚集很多的電荷，導致濺射無法持續。因而關于金屬靶材通常用直流磁控濺射，因為造價廉價，結構簡...

光刻過程：首先，通過金屬化過程，在硅襯底上布置一層只數納米厚的金屬層。然后在這層金屬上覆上一層光刻膠。這層光阻劑在曝光（一般是紫外線）后可以被特定溶液（顯影液）溶解。使特定的光波穿過光掩膜照射在光刻膠上，可以對光刻膠進行選擇性照射（曝光）。然后使用前面提到的顯...

磁控濺射就是在外加電場的兩極之間引入一個磁場。這個磁場使得電子受到洛倫茲力的束縛作用，其運動路線受到控制，因此大幅度增加了電子與Ar分子（原子）碰撞的幾率，提高了氣體分子的電離程度，從而使濺射效率得到很大的提升。濺射現象自發現以來己被普遍應用在多種薄膜的制備中...

微納加工技術是先進制造的重要組成部分，是衡量國家高級制造業水平的標志之一，具有多學科交叉性和制造要素極端性的特點，在推動科技進步、促進產業發展、拉動科技進步、保障**安全等方面都發揮著關鍵作用。微納加工技術的基本手段包括微納加工方法與材料科學方法兩種。很顯然，...

真空鍍膜的方法：離子鍍：在機加工刀具方面,鍍制的TiN、TiC以其硬度高、耐磨性好,不粘刀等特性,使得刀具的使用壽命可提高3~10倍,生產效率也提高。在固體潤滑膜方面,Z新研制的多相納米復合膜TiN-MoS2/Ti及TiN-MoS2/WSe2,這類薄膜具有摩擦...

真空鍍膜：磁控濺射法：濺射鍍膜較初出現的是簡單的直流二極濺射，它的優點是裝置簡單，但是直流二極濺射沉積速率低；為了保持自持放電，不能在低氣壓(

真空蒸發鍍膜是在真空室中，加熱蒸發容器待形成薄膜的原材料，使其原子或者分子從表面氣化逸出，形成蒸汽流，入射到襯底或者基片表面，凝結形成固態薄膜的方法。真空蒸發鍍膜法，設備比較簡單、容易操作、制成的薄膜純度高、質量好、膜厚容易控制，成膜速率快，效果高。在一定溫度...

隨著工業的需求和表面技術的發展，新型磁控濺射如高速濺射、自濺射等成為磁控濺射領域新的發展趨勢。高速濺射能夠得到大約幾個μm/min的高速率沉積，可以縮短濺射鍍膜的時間，提高工業生產的效率；有可能替代對環境有污染的電鍍工藝。當濺射率非常高，以至于在完全沒有惰性氣...

高速率磁控濺射的一個固有的性質是產生大量的濺射粒子而獲得高的薄膜沉積速率。高的沉積速率意味著高的粒子流飛向基片，導致沉積過程中大量粒子的能量被轉移到生長薄膜上，引起沉積溫度明顯增加。由于濺射離子的能量大約70%需要從陰極冷卻水中帶走，薄膜的較大濺射速率將受到濺...

真空鍍膜：眾所周知，在某些材料的表面上，只要鍍上一層薄膜，就能使材料具有許多新的、良好的物理和化學性能。20世紀70年代，在物體表面上鍍膜的方法主要有電鍍法和化學鍍法。前者是通過通電，使電解液電解，被電解的離子鍍到作為另一個電極的基體表面上，因此這種鍍膜的條件...

真空鍍膜：各種鍍膜技術都需要有一個蒸發源或靶子，以便把蒸發制膜的材料轉化成氣體。由于源或靶的不斷改進，擴大了制膜材料的選用范圍，無論是金屬、金屬合金、金屬間化合物、陶瓷或有機物質，都可以蒸鍍各種金屬膜和介質膜，而且還可以同時蒸鍍不同材料而得到多層膜。蒸發或濺射...

磁控濺射的濺射技術：直流濺射法：直流濺射法要求靶材能夠將從離子轟擊過程中得到的正電荷傳遞給與其緊密接觸的陰極，從而該方法只能濺射導體材料。因為轟擊絕緣靶材時，表面的離子電荷無法中和，這將導致靶面電位升高，外加電壓幾乎都加在靶上，兩極間的離子加速與電離的機會將變...

磁控濺射的優點：（1）基板有低溫性。相對于二級濺射和熱蒸發來說，磁控濺射加熱少。（2）有很高的沉積率。可濺射鎢、鋁薄膜和反應濺射TiO2、ZrO2薄膜（3）環保工藝。磁控濺射鍍膜法生產效率高，沒有環境污染。（4）涂層很好的牢固性，濺射薄膜與基板，機械強度得到了...

磁控濺射的工藝研究：1、功率：每一個陰極都具有自己的電源。根據陰極的尺寸和系統設計，功率可以在0~150KW之間變化。電源是一個恒流源。在功率控制模式下，功率固定同時監控電壓，通過改變輸出電流來維持恒定的功率。在電流控制模式下，固定并監控輸出電流，這時可以調節...

磁控濺射粉體鍍膜技術已經實現了銀包銅粉、銀包鋁粉、鋁包硅粉等多種微納米級粉體的量產.由該技術得到的功能性復合粉體具有優異的分散性,鍍層均勻度較高,鍍層與粉體的結合緊密度較高。磁控濺射鍍膜可以賦予超細粉體新的特性,例如在微米級二氧化硅表面鍍鋁,得到的復合粉體不但...

半導體器件通常利用不同的半導體材料、采用不同的工藝和幾何結構，已研制出種類繁多、功能用途各異的多種晶體二極，晶體二極管的頻率覆蓋范圍可從低頻、高頻、微波、毫米波、紅外直至光波。三端器件一般是有源器件，典型表示是各種晶體管（又稱晶體三極管）。晶體管又可以分為雙極...

磁控濺射的優點：（1）基板有低溫性。相對于二級濺射和熱蒸發來說，磁控濺射加熱少。（2）有很高的沉積率。可濺射鎢、鋁薄膜和反應濺射TiO2、ZrO2薄膜。（3）環保工藝。磁控濺射鍍膜法生產效率高，沒有環境污染。（4）涂層很好的牢固性，濺射薄膜與基板，機械強度得到...

磁控濺射技術可制備裝飾薄膜、硬質薄膜、耐腐蝕摩擦薄膜、超導薄膜、磁性薄膜、光學薄膜，以及各種具有特殊功能的薄膜，是一種十分有效的薄膜沉積方法，在各個工業領域應用非常廣。“濺射”是指具有一定能量的粒子（一般為Ar+離子）轟擊固體（靶材）表面，使得固體（靶材）分子...

磁控濺射是在陰極靶的表面上方形成一個正交電磁場。當濺射產生的二次電子在陰極位降區內被加速為高能電子后，并不直接飛向陽極，而是在正交電磁場作用下作來回振蕩的近似擺線的運動。高能電子不斷與氣體分子發生碰撞并向后者轉移能量，使之電離而本身變成低能電子。這些低能電子較...

光刻機的主要性能指標有：支持基片的尺寸范圍，分辨率、對準精度、曝光方式、光源波長、光強均勻性、生產效率等。分辨率是對光刻工藝加工可以達到的較細線條精度的一種描述方式。光刻的分辨率受受光源衍射的限制,所以與光源、光刻系統、光刻膠和工藝等各方面的限制。對準精度是在...

磁控濺射靶材的分類：根據材料的成分不同，靶材可分為金屬靶材、合金靶材、無機非金屬靶材等。其中無機非金屬靶材又可分為氧化物、硅化物、氮化物和氟化物等不同種類靶材。根據幾何形狀的不同，靶材可分為長（正）方體形靶材、圓柱體靶材和不規則形狀靶材；此外，靶材還可以分為實...

磁控濺射鍍膜的產品特點：1、磁控濺射所利用的環狀磁場迫使二次電子跳欄式地沿著環狀磁場轉圈.相應地,環狀磁場控制的區域是等離子體密度較高的部位.在磁控濺射時,可以看見濺射氣體——氬氣在這部位發出強烈的淡藍色輝光,形成一個光環.處于光環下的靶材是被離子轟擊較嚴重的...

氮化鎵是一種相對較新的寬帶隙半導體材料，具有更好的開關性能；特別是與現有的硅器件相比，具有更低的輸入和輸出電容以及零反向恢復電荷，可明顯降低功耗。氮化鎵是一種無機物，化學式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙的半導體，自1990年起常用在發光二極管中。此化...

磁控濺射靶材的原理：在被濺射的靶極與陽極之間加一個正交磁場和電場，在高真空室中充入所需要的惰性氣體，永久磁鐵在靶材料表面形成250～350高斯的磁場，同高壓電場組成正交電磁場。在電場的作用下，Ar氣電離成正離子和電子，靶上加有一定的負高壓，從靶極發出的電子受磁...

磁控濺射靶材鍍膜過程中，影響靶材鍍膜沉積速率的因素：濺射電壓：濺射電壓對成膜速率的影響有這樣一個規律：電壓越高，濺射速率越快，而且這種影響在濺射沉積所需的能量范圍內是緩和的、漸進的。在影響濺射系數的因素中，在濺射靶材和濺射氣體之后，放電電壓確實很重要。一般來說...

磁控濺射設備在光學范疇：IF關閉場非平衡磁控濺射技術也已應用于光學薄膜（例如抗反射涂層），低輻射率玻璃和通明導電玻璃中。特別地，通明導電玻璃現在普遍地用于平板顯示設備，太陽能電池，微波和射頻屏蔽設備和設備以及傳感器中。在機械加工工業中，自引入以來，外表功用膜，...

磁控濺射的材料性能：如果靶材是磁性材料，磁力線被靶材屏蔽，磁力線難以穿透靶材在靶材表面上方形成磁場，磁控的作用將大幅度降低。因此，濺射磁性材料時，一方面要求磁控靶的磁場要強一些，另一方面靶材也要制備的薄一些，以便磁力線能穿過靶材，在靶面上方產生磁控作用。磁控濺...