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ALD允許在原子層水平上精確控制膜厚度。而且，可以相對容易地形成不同材料的多層結構。由于其高反應活性和精度，它在精細和高效的半導體領域（如微電子和納米技術）中非常有用。由于ALD通常在相對較低的溫度下操作，因此在使用易碎的底物例如生物樣品時是有用的，并且在使用易于熱解的前體時也是有利的。由于它具有出色的投射能力，因此可以輕松地應用于結構復雜的粉末和形狀。 眾所周知，ALD工藝非常耗時。例如，氧化鋁的膜形成為每個循環0.11nm，并且每小時的標準膜形成量為100至300nm。由于ALD通常用于制造微電子和納米技術的基材，因此不需要厚膜形成。通常，當需要大約μm的膜厚度時，就膜形成時間而言，ALD...

利用PECVD生長的氧化硅薄膜具有以下優點：1.均勻性和重復性好，可大面積成膜，適合批量生長2.可在低溫下成膜，對基底要求比較低3.臺階覆蓋性比較好 4.薄膜成分和厚度容易控制，生長方法階段 5.應用范圍廣，設備簡單，易于產業化。評價氧化硅薄膜的質量，簡單的方法是采用BOE腐蝕氧化硅薄膜，腐蝕速率越慢，薄膜質量越致密，反之，腐蝕速率越快，薄膜質量越差。另外，沉積速率的快慢也會影響到薄膜的質量，沉積速率過快，會導致氧化硅薄膜速率過快，說明薄膜質量比較差。真空鍍膜技術四五十年代開始出現工業應用。沈陽真空鍍膜加工磁控濺射包括很多種類各有不同工作原理和應用對象。但有一共同點：利用磁場與電場交互作用，使...

真空鍍膜是指在高真空的條件下加熱金屬或非金屬材料，使其蒸發并凝結于鍍件（金屬、半導體或絕緣體）表面而形成薄膜的一種方法。例如，真空鍍鋁、真空鍍鉻等。真空鍍膜是真空應用領域的一個重要方面，它是以真空技術為基礎，利用物理或化學方法，并吸收電子束、分子束、離子束、等離子束、射頻和磁控等一系列新技術，為科學研究和實際生產提供薄膜制備的一種新工藝。簡單地說，在真空中把金屬、合金或化合物進行蒸發或濺射，使其在被涂覆的物體（稱基板、基片或基體）上凝固并沉積的方法，稱為真空鍍膜。磁控濺射常用來沉積TSV結構的阻擋層和種子層，通過對相關參數的調整和引入負偏壓。開封真空鍍膜廠家真空鍍膜：眾所周知，在某些材料的表面...

真空鍍膜的方法：真空蒸鍍法：真空蒸鍍是將裝有基片的真空室抽成真空,然后加熱被蒸發的鍍料,使其原子或分子從表面氣化逸出,形成蒸氣流,入射到基片表面,凝結形成固體薄膜的技術。根據蒸發源的不同可以將真空蒸鍍分為電阻加熱蒸發源、電子束蒸發源、高頻感應蒸發源及激光束蒸發源蒸鍍法。電阻蒸發源是用低電壓大電流加熱燈絲和蒸發舟,利用電流的焦耳熱是鍍料熔化、蒸發或升華。這種方式結構簡單,造價低廉,使用相當普遍。采用真空蒸鍍法在純棉織物表面制備負載TiO2織物,紫外線透過率都比未負載的純棉織物的低,具有好的抗紫外線性能,制備TiO2薄膜時,膜層較均勻,當在玻璃表面蒸鍍一層鉻鈦、鎳鈦合金等裝飾薄膜,裝飾效果,光學、...

真空鍍膜的方法：化學氣相沉積：在等離子化學氣相沉積法中,等離子體中電子溫度高達104K,電子與氣相分子的碰撞可以促進氣體分子的分解、化合、激發和電離過程,生成活性很高的各種化學基團,產生大量反應活性物種而使整個反應體系卻保持較低溫度。而普通的CVD法沉積溫度高(一般為1100℃),當在鋼材表面沉積氮化鈦薄膜時,由于溫度很高,致使膜層與基體間常有脆性相出現,致使刀具的切削壽命降低。利用直流等離子化學氣相沉積法,在硬質臺金上沉積TiN膜結構與性能均勻。觀察窗的玻璃較好用鉛玻璃，觀察時應戴上鉛玻璃眼鏡，以防X射線侵害人體。廈門真空鍍膜工藝真空鍍膜是指在高真空的條件下加熱金屬或非金屬材料，使其蒸發并凝...

使用磁控濺射法沉積硅薄膜,通過優化薄膜沉積的工藝參數(包括本地真空、濺射功率、濺射氣壓等）,以期用濺射法終后制備出高質量的器件級硅薄膜提供科學數據。磁控濺射法是一種簡單、低溫、快速的成膜技術,能夠不使用有毒氣體和可燃性氣體進行摻雜和成膜,直接用摻雜靶材濺射沉積,此法節能、高效、環保。可通過對氫含量和材料結構的控制實現硅薄膜帶隙和性能的調節。與其它技術相比,磁控濺射法優勢是它的沉積速率快,具有誘人的成膜效率和經濟效益，實驗簡單方便。真空鍍膜的操作規程：在離子轟擊和蒸發時，應特別注意高壓電線接頭，不得觸動，以防觸電。深圳新型真空鍍膜PECVD( Plasma Enhanced Chemical...

真空鍍膜：真空濺射法：真空濺射法是物理的氣相沉積法中的后起之秀。隨著高純靶材料和高純氣體制備技術的發展，濺射鍍膜技術飛速發展，在多元合金薄膜的制備方面顯示出獨到之處。其原理為：稀薄的空氣在異常輝光放電產生的等離子體在電場的作用下，對陰極靶材料表面進行轟擊，把靶材料表面的分子、原子、離子及電子等濺射出來，被濺射出來的粒子帶有一定的動能，沿一定的方法射向基體表面，在基體表面形成鍍層。特點為：鍍膜層與基材的結合力強；鍍膜層致密、均勻；設備簡單，操作方便，容易控制。主要的濺射方法有直流濺射、射頻濺射、磁控濺射等。目前應用較多的是磁控濺射法。真空鍍膜技術有真空濺射鍍膜。肇慶真空鍍膜工藝磁控濺射技術可制備...

真空鍍膜：反應性離子鍍：如果采用電子束蒸發源蒸發，在坩堝上方加20V～100V的正偏壓。在真空室中導入反應性氣體，如氮氣、氧氣、乙炔、甲烷等反應性氣體代替氬氣，或在此基礎上混入氬氣。電子束中的高能電子可以達到幾千至幾萬電子伏特的能量，不僅可以使鍍料熔化蒸發，而且能在熔化的鍍料表面激勵出二次電子。二次電子在上方正偏壓作用下加速，與鍍料蒸發中性粒子發生碰撞而電離成離子，在工件表面發生離化反應，從而獲得氧化物（如TeO2、SiO2、Al2O3、ZnO、SnO2、Cr2O3、ZrO2、InO2等）。其特點是沉積率高，工藝溫度低。真空鍍膜技術有真空離子鍍膜。連云港小家電真空鍍膜ALD允許在原子層水平上精...

真空鍍膜的方法：真空蒸鍍法：電子束蒸發源利用燈絲發射的熱電子,經加速陽極加速,獲得動能轟擊處于陽極的蒸發材料,是蒸發材料加熱氣化,實現蒸發鍍膜。這種技術相對于蒸發鍍膜,可以制作高熔點和高純的薄膜,是高真空鍍鈦膜技術中是一種新穎的蒸鍍材料的熱源。高頻感應蒸發源是利用蒸發材料在高頻電磁場的感應下產生強大的渦流損失和磁滯損失,從而將鍍料金屬蒸發的蒸鍍技術。這種技術比電子束蒸發源蒸發速率更大,且蒸發源的溫度均勻穩定。真空鍍膜鍍料離子的遷移：由氣化源供出原子、分子或離子經過碰撞以及高壓電場后，高速沖向工件。廣州真空鍍膜儀真空鍍膜：等離子體鍍膜：在物理的氣相沉積中通常采用冷陰極電弧蒸發，以固體鍍料作為陰極...

真空鍍膜技術初現于20世紀30年代，四五十年代開始出現工業應用，工業化大規模生產開始于20世紀80年代，在電子、宇航、包裝、裝潢、燙金印刷等工業中取得普遍的應用。真空鍍膜是指在真空環境下，將某種金屬或金屬化合物以氣相的形式沉積到材料表面(通常是非金屬材料)，屬于物理的氣相沉積工藝。因為鍍層常為金屬薄膜，故也稱真空金屬化。廣義的真空鍍膜還包括在金屬或非金屬材料表面真空蒸鍍聚合物等非金屬功能性薄膜。在所有被鍍材料中，以塑料較為常見，其次，為紙張鍍膜。相對于金屬、陶瓷、木材等材料，塑料具有來源充足、性能易于調控、加工方便等優勢，因此種類繁多的塑料或其他高分子材料作為工程裝飾性結構材料，大量應用于汽車...

真空鍍膜的方法：濺射鍍膜：在射頻電壓下,利用電子和離子運動特征的不同,在靶表面感應出負的直流脈沖,從而產生濺射的射頻濺射。這種技術Z早由1965年IBM公司研制,對絕緣體也可以濺射鍍膜。為了在更高的真空范圍內提高濺射沉積速率,不是利用導入是氬氣,而是通過部分被濺射的原子(如Cu)自身變成離子,對靶產生濺射實現鍍膜的自濺射鍍膜技術。在高真空下,利用離子源發出的離子束對靶濺射,實現薄膜沉積的離子束濺射。其中由二極濺射發展而來的磁控濺射技術,解決了二極濺射鍍膜速度比蒸鍍慢得多、等離子體的離化率低和基片的熱效應等明顯問題。磁控濺射是現在用于鈦膜材料的制備Z為普遍的一種真空等離子體技術,實現了在低溫、低...

磁控濺射還可用于不同金屬合金的共濺射，同時使用多個靶電源和不同靶材，例如TiW合金，通過單獨調整Ti、W的濺射速率，同時開始濺射2種材料，則在襯底上可以形成Ti/W合計，對不同材料的速率進行調節，即能滿足不同組分的要求.磁控濺射由于其內部電場的存在，還可在襯底端引入一個負偏壓，使濺射速率和材料粒子的方向性增加。所以磁控濺射常用來沉積TSV結構的阻擋層和種子層，通過對相關參數的調整和引入負偏壓，可以實現高深寬比的薄膜濺射，且深孔內壁薄膜連續和良好的均勻性熱氧化是在一定的溫度和氣體條件下，使硅片表面氧化一定厚度的氧化硅的。主要有干法氧化和濕法氧化。吉林功率器件真空鍍膜廠家真空鍍膜技術初現于20世紀...

真空鍍膜：反應磁控濺射法：制備化合物薄膜可以用各種化學氣相沉積或物理的氣相沉積方法。但目前從工業大規模生產的要求來看，物理的氣相沉積中的反應磁控濺射沉積技術具有明顯的優勢，因而被普遍應用，這是因為：反應磁控濺射所用的靶材料(單元素靶或多元素靶)和反應氣體(氧、氮、碳氫化合物等)通常很容易獲得很高的純度，因而有利于制備高純度的化合物薄膜。反應磁控濺射中調節沉積工藝參數，可以制備化學配比或非化學配比的化合物薄膜，從而達到通過調節薄膜的組成來調控薄膜特性的目的。真空鍍膜的操作規程：把零件放入酸洗或堿洗槽中時，應輕拿輕放，不得碰撞及濺出。珠海光電器件真空鍍膜外協真空鍍膜：等離子體鍍膜：每個弧斑存在極短...

真空鍍膜：電子束蒸發法：電子束蒸發法是將蒸發材料放入水冷銅坩鍋中，直接利用電子束加熱，使蒸發材料氣化蒸發后凝結在基板表面形成膜，是真空蒸發鍍膜技術中的一種重要的加熱方法和發展方向。電子束蒸發克服了一般電阻加熱蒸發的許多缺點，特別適合制作熔點薄膜材料和高純薄膜材料。激光蒸發法：采用激光束蒸發源的蒸鍍技術是一種理想的薄膜制備方法。這是由于激光器是可以安裝在真空室之外，這樣不但簡化了真空室內部的空間布置，減少了加熱源的放氣，而且還可完全避免了蒸發氣對被鍍材料的污染，達到了膜層純潔的目的。此外，激光加熱可以達到極高的溫度，利用激光束加熱能夠對某些合金或化合物進行快速蒸發。這對于保證膜的成分，防止膜的分...

蒸發法鍍膜是將固體材料置于真空室內，在真空條件下，將固體材料加熱蒸發，蒸發出來的原子或分子能自由地彌布到容器的器壁上。當把一些加工好的基板材料放在其中時，蒸發出來的原子或分子就會吸附在基板上逐漸形成一層薄膜。根據蒸發源不同，真空蒸發鍍膜法又可 以分為四種：電阻蒸發源蒸鍍法；電子束蒸發源蒸鍍法；高頻感應蒸發源蒸鍍法；激光束蒸發源蒸鍍法。本實驗采用電阻蒸發源蒸鍍法制備金屬薄膜材料。蒸發鍍膜，要求從蒸發源出來的蒸汽分子或原子，到達被鍍膜基片的距離要小于鍍膜室內殘余氣體分子的平均自由程，這樣才能保證蒸發物的蒸汽分子能無碰撞地到達基片表面。保證薄膜純凈和牢固，蒸發物也不至于氧化。真空鍍膜在鋼材、鎳、鈾、...

真空鍍膜是指在高真空的條件下加熱金屬或非金屬材料，使其蒸發并凝結于鍍件（金屬、半導體或絕緣體）表面而形成薄膜的一種方法。例如，真空鍍鋁、真空鍍鉻等。真空鍍膜是真空應用領域的一個重要方面，它是以真空技術為基礎，利用物理或化學方法，并吸收電子束、分子束、離子束、等離子束、射頻和磁控等一系列新技術，為科學研究和實際生產提供薄膜制備的一種新工藝。簡單地說，在真空中把金屬、合金或化合物進行蒸發或濺射，使其在被涂覆的物體（稱基板、基片或基體）上凝固并沉積的方法，稱為真空鍍膜。真空鍍膜技術首先用于生產光學鏡片。浙江反射濺射真空鍍膜廠家真空鍍膜：反應磁控濺射法：制備化合物薄膜可以用各種化學氣相沉積或物理的氣相...

真空鍍膜的方法：化學氣相沉積：在等離子化學氣相沉積法中,等離子體中電子溫度高達104K,電子與氣相分子的碰撞可以促進氣體分子的分解、化合、激發和電離過程,生成活性很高的各種化學基團,產生大量反應活性物種而使整個反應體系卻保持較低溫度。而普通的CVD法沉積溫度高(一般為1100℃),當在鋼材表面沉積氮化鈦薄膜時,由于溫度很高,致使膜層與基體間常有脆性相出現,致使刀具的切削壽命降低。利用直流等離子化學氣相沉積法,在硬質臺金上沉積TiN膜結構與性能均勻。評價氧化硅薄膜的質量：腐蝕速率越慢，薄膜質量越致密，反之，腐蝕速率越快，薄膜質量越差。四川磁控濺射真空鍍膜代工磁控濺射的工作原理是指電子在電場E的作...

真空鍍膜的方法：化學氣相沉積：在等離子化學氣相沉積法中,等離子體中電子溫度高達104K,電子與氣相分子的碰撞可以促進氣體分子的分解、化合、激發和電離過程,生成活性很高的各種化學基團,產生大量反應活性物種而使整個反應體系卻保持較低溫度。而普通的CVD法沉積溫度高(一般為1100℃),當在鋼材表面沉積氮化鈦薄膜時,由于溫度很高,致使膜層與基體間常有脆性相出現,致使刀具的切削壽命降低。利用直流等離子化學氣相沉積法,在硬質臺金上沉積TiN膜結構與性能均勻。真空濺鍍的鍍層可通過調節電流大小和時間來壘加，但不能太厚，一般厚度在0.2~2um。黑龍江磁控濺射真空鍍膜廠家磁控濺射的優勢在于可根據靶材的性質來選...

電子束蒸發與熱蒸發的區別在于：電子束蒸發是用一束電子轟擊物體，產生高能量進行蒸發， 熱蒸發通過加熱完成這一過程。與熱蒸發相比，電子束蒸發提供了高能量；但將薄膜的厚度控制在 5nm 量級將是困難的。在這種情況下，帶有厚度監控器的良好熱蒸發器將更合適。 與熱蒸發相比，電子束蒸發具有許多優點 1、電子束蒸發可以將材料加熱到比熱蒸發更高的溫度。這允許高溫材料和難熔金屬（例如鎢、鉭或石墨）的非常高的沉積速率和蒸發。 2、電子束蒸發可以沉積更薄、純度更高的薄膜。坩堝的水冷將電子束加熱嚴格限制在由源材料占據的區域，從而消除了相鄰組件的任何不必要的污染。 3、電子束蒸發源有各種尺寸和配置，包括單腔或多腔。真空...

真空鍍膜的物理過程：PVD（物理的氣相沉積技術）的基本原理可分為三個工藝步驟：（1）金屬顆粒的氣化：即鍍料的蒸發、升華或被濺射從而形成氣化源（2）鍍料粒子（（原子、分子或離子）的遷移：由氣化源供出原子、分子或離子經過碰撞，產生多種反應。（3）鍍料粒子在基片表面的沉積。電子束蒸發法是真空蒸發鍍膜中常用的一種方法，是在高真空條件下利用電子束進行直接加熱蒸發材料，使蒸發材料氣化并向襯底輸運，在基底上凝結形成薄膜的方法。在電子束加熱裝置中，被加熱的材料放置于水冷的坩堝當中，可避免蒸發材料與坩堝壁發生反應影響薄膜的質量，因此，電子束蒸發沉積法可以制備高純薄膜。在真空中制備膜層，包括鍍制晶態的金屬、半導體...

真空鍍膜的方法：離子鍍：在機加工刀具方面,鍍制的TiN、TiC以其硬度高、耐磨性好,不粘刀等特性,使得刀具的使用壽命可提高3~10倍,生產效率也提高。在固體潤滑膜方面,Z新研制的多相納米復合膜TiN-MoS2/Ti及TiN-MoS2/WSe2,這類薄膜具有摩擦系數低,摩擦噪聲小,抗潮濕氧化能力較高,高低溫性能好,抗粉塵磨損能力較強及磨損壽命較長等特點,被普遍運用于車輛零部件上。與此同時,離子鍍鈦也在航空航天,光學器件等領域應用普遍,收效顯著。廣東省科學院半導體研究所。各種真空鍍膜技術都需要一個特定的真空環境。遼寧共濺射真空鍍膜服務真空鍍膜：物理的氣相沉積技術是指在真空條件下采用物理方法將材料源...

真空鍍膜：技術原理：PVD(PhysicalVaporDeposition)即物理的氣相沉積，分為：真空蒸發鍍膜、真空濺射鍍膜和真空離子鍍膜。我們通常所說的PVD鍍膜，指的就是真空離子鍍膜和真空濺射鍍；通常說的NCVM鍍膜，就是指真空蒸發鍍膜。真空蒸鍍基本原理：在真空條件下，使金屬、金屬合金等蒸發，然后沉積在基體表面上，蒸發的方法常用電阻加熱，電子束轟擊鍍料，使蒸發成氣相，然后沉積在基體表面，歷史上，真空蒸鍍是PVD法中使用較早的技術。磁控濺射還可用于不同金屬合金的共濺射，同時使用多個靶qiang電源和不同靶材。福建反射濺射真空鍍膜工藝蒸發法鍍膜是將固體材料置于真空室內，在真空條件下，將固體材...

真空鍍膜技術在國民經濟各個領域有著廣泛應用，特別是近幾年來，我國國民經濟的迅速發展、人民生活水平的不斷提高和高科技薄膜產品的不斷涌現。尤其是在電子材料與元器件工業領域中占有極其重要的地位。制膜方法可以分為氣相生成法、氧化法、離子注人法、擴散法、電鍍法、涂布法、液相生長法等。氣相生成法又可以分為物理沉積法化學沉積法和放電聚合法等。本次實驗是使用物理沉積法，由于這種方法基本上都是處于真空環境下進行的，因此稱它們為真空鍍膜技術。真空蒸發、濺射鍍膜和離子鍍等通常稱為物理沉積法，是基本的薄膜制備技術。真空蒸發鍍膜法是在真空室中，加熱蒸發容器中待形成薄膜的原材料，使其原子或分子從表面氣化逸出，形成蒸氣流，...

在二極濺射中增加一個平行于靶表面的封閉磁場，借助于靶表面上形成的正交電磁場，把二次電子束縛在靶表面特定區域來增強電離效率，增加離子密度和能量，從而實現高速率濺射的過程。隨著碰撞次數的增加，二次電子的能量消耗殆盡，逐漸遠離靶表面，并在電場E的作用下沉積在基片上。由于該電子的能量很低，傳遞給基片的能量很小，致使基片溫升較低。磁控濺射是入射粒子和靶的碰撞過程。入射粒子在靶中經歷復雜的散射過程，和靶原子碰撞，把部分動量傳給靶原子，此靶原子又和其他靶原子碰撞，形成級聯過程。在這種級聯過程中某些表面附近的靶原子獲得向外運動的足夠動量，離開靶被濺射出來。真空鍍膜的操作規程：工作完畢應斷電、斷水。上海電子束蒸...

離子輔助鍍膜是在真空熱蒸發基礎上發展起來的一種輔助鍍膜方法。當膜料蒸發時，淀積分子在基板表面不斷受到來自離子源的荷能離子的轟擊，通過動量轉移，使淀積粒子獲得較大動能，提高了淀積粒子的遷移率，從而使膜層聚集密度增加，使得薄膜生長發生了根本變化，使薄膜性能得到了改善。常用的離子源有克夫曼離子源、霍爾離子源。霍爾離子源是近年發展起來的一種低能離子源。這種源沒有柵極，陰極在陽極上方發出熱電子，在磁場作用下提高了電子碰撞工作氣體的幾率，從而提高了電離效率。正離子因陰極與陽極間的電位差而被引出。離子能量一般很低（50-150eV），但離子流密度較高，發散角大，維護容易。真空鍍膜技術是利用物理、化學手段將固...

真空鍍膜的物理過程：PVD（物理的氣相沉積技術）的基本原理可分為三個工藝步驟：（1）金屬顆粒的氣化：即鍍料的蒸發、升華或被濺射從而形成氣化源（2）鍍料粒子（（原子、分子或離子）的遷移：由氣化源供出原子、分子或離子經過碰撞，產生多種反應。（3）鍍料粒子在基片表面的沉積。熱蒸發主要是三個過程：1.蒸發材料從固態轉化為氣態的過程。2.氣化原子或分子在蒸發源與基底之間的運輸 3.蒸發原子或分子在襯底表面上淀積過程，即是蒸汽凝聚、成核、核生長、形成連續薄膜的過程。真空鍍膜是以真空技術為基礎，利用物理或化學方法，為科學研究和實際生產提供薄膜制備的一種新工藝。廣東磁控濺射真空鍍膜實驗室真空鍍膜：技術原理：濺...

真空鍍膜的方法：濺射鍍膜：濺射鍍膜是指在真空室中,利用荷能粒子轟擊靶表面,使靶材的原子或分子從表面發射出來,進而在基片上沉積的技術。在濺射鍍鈦的實驗中,電子、離子或中性粒子均可作為轟擊靶的荷能粒子,而由于離子在電場下易于加速并獲得較大動能,所以一般是用Ar+作為轟擊粒子。與傳統的蒸發鍍膜相比,濺射鍍膜可以在低溫、低損傷的條件下實現高速沉積、附著力較強、制取高熔點物質的薄膜,在大面積連續基板上可以制取均勻的膜層。濺射鍍膜被稱為可以在任何基板上沉積任何材料的薄膜技術,因此應用十分普遍。薄膜中存在的各種缺陷是產生本征應力的主要原因，這些缺陷一般都是非平衡缺陷，有自行消失的傾向。廣州共濺射真空鍍膜實驗...

真空鍍膜：電阻加熱蒸發法：電阻加熱蒸發法就是采用鎢、鉬等高熔點金屬，做成適當形狀的蒸發源，其上裝入待蒸發材料，讓電流通過，對蒸發材料進行直接加熱蒸發，或者把待蒸發材料放入坩鍋中進行間接加熱蒸發。利用電阻加熱器加熱蒸發的鍍膜設備構造簡單、造價便宜、使用可靠，可用于熔點不太高的材料的蒸發鍍膜，尤其適用于對膜層質量要求不太高的大批量的生產中。目前在鍍鋁制品的生產中仍然大量使用著電阻加熱蒸發的工藝。電阻加熱方式的缺點是：加熱所能達到的較高溫度有限，加熱器的壽命也較短。近年來，為了提高加熱器的壽命，國內外已采用壽命較長的氮化硼合成的導電陶瓷材料作為加熱器。真空鍍膜機、真空鍍膜設備多弧離子鍍膜產品質量的高...

真空鍍膜技術在國民經濟各個領域有著廣泛應用，特別是近幾年來，我國國民經濟的迅速發展、人民生活水平的不斷提高和高科技薄膜產品的不斷涌現。尤其是在電子材料與元器件工業領域中占有極其重要的地位。制膜方法可以分為氣相生成法、氧化法、離子注人法、擴散法、電鍍法、涂布法、液相生長法等。氣相生成法又可以分為物理沉積法化學沉積法和放電聚合法等。本次實驗是使用物理沉積法，由于這種方法基本上都是處于真空環境下進行的，因此稱它們為真空鍍膜技術。真空蒸發、濺射鍍膜和離子鍍等通常稱為物理沉積法，是基本的薄膜制備技術。真空蒸發鍍膜法是在真空室中，加熱蒸發容器中待形成薄膜的原材料，使其原子或分子從表面氣化逸出，形成蒸氣流，...

真空鍍膜的方法：濺射鍍膜：濺射鍍膜有很多種方式。按電極結構、電極相對位置以及濺射的過程,可以分為二極濺射、三極或四極濺射、磁控濺射、對向靶濺射、和ECR濺射。除此之外還根據制作各種薄膜的要求改進的濺射鍍膜技術。比較常用的有:在Ar中混入反應氣體如O2、N2、CH4、C2H2等,則可制得鈦的氧化物、氮化物、碳化物等化合物薄膜的反應濺射。在成膜的基板上施加直到500V的負電壓,使離子轟擊膜層的同時成膜,由此改善膜層致密性的偏壓濺射。真空鍍膜機的優點:可采用屏蔽式進行部分鍍鋁，以獲得任意圖案或透明窗口，能看到內裝物。廣東光電器件真空鍍膜技術真空鍍膜：反應性離子鍍：如果采用電子束蒸發源蒸發，在坩堝上方...