HCFC類IC清潔劑及其清洗工藝特點:這是一種含氫的氟氯烴,其蒸發潛熱小、揮發性好,在大氣中容易分解,破壞臭氧層的作用比較小,屬于一種過渡性產品,規定在2040年以前淘汰,所以,我們不推薦使用該類清洗劑。其存在的問題主要有兩個:一是過渡性。因為對臭氧層還有破壞...
IC封裝藥液在酸性、中性、堿性條件下均能溶解透明,且長期穩定。與磷酸酯類物質相比,本劑具有好于磷酸酯類物質”三倍以上的防腐蝕效果。“磷酸酯類物質”含磷,易生菌,容易產生大量泡沫。而本劑不含磷、不易生菌、無泡。對黑色金屬和其它有色金屬都有輔助的防腐蝕作用;無毒、...
IC除銹劑可以在不破壞基材表面外觀的前提下實現防銹功能,而且在某些特定條件下還可以增加表面的光亮度。IC除銹劑的使用工藝簡單,配方中的物質種類容易獲得,并且制備成本低,適用范圍較廣。從解決問題的角度出發,未雨綢繆,把問題遏殺在萌芽階段是解決問題的比較好途徑和手...
IC除銹劑可以在不破壞基材表面外觀的前提下實現防銹功能,而且在某些特定條件下還可以增加表面的光亮度。IC除銹劑的使用工藝簡單,配方中的物質種類容易獲得,并且制備成本低,適用范圍較廣。從解決問題的角度出發,未雨綢繆,把問題遏殺在萌芽階段是解決問題的比較好途徑和手...
除銹后的工件自然晾干或晾干。需要油漆的工件應在干燥后使用磷化液涂上表面,然后上油漆。IC除銹劑也有保護作用,因此為了獲得較佳效果,可以根據工作條件選擇系列(油溶、水溶、硬膜、脫水)好的IC除銹劑。使用一段時間后,要及時清理表面的泡沫和沉淀物,進行濃度測試分析,...
ITO導電玻璃制造工藝:(1)電化學擴散工藝:在玻璃上用電化學擴散方法可獲得摻雜超導薄膜。玻璃在電化學處理裝置中與熔融金屬或化合物接觸,在一定的電場作用下,熔融金屬或化合物中的離子會擴散到玻璃表面,玻璃中的一價堿金屬離子離解處來,等量地擴散至陰極表面,使玻璃表...
ITO酸性蝕刻液用途可用于多層印制板的內層電路圖形的制作或微波印制板陰板法直接蝕刻圖形的制作;而堿性蝕刻液一般適用于多層印制板的外層電路圖形的制作及純錫印制板的蝕刻。而總的來說,堿性與酸性蝕刻液用途要權衡對抗蝕層的破壞情況、蝕刻速度,溶液再生及銅的回收、環境保...
ITO蝕刻液由氟化銨、草酸、硫酸鈉、氫氟酸、硫酸、硫酸銨、甘油、水組成。ITO蝕刻液的分類:已經使用的蝕刻液類型有六種類型:酸性氯化銅、堿性氯化銅、氯化鐵、過硫酸銨、硫酸/鉻酸、硫酸/雙氧水蝕刻液。酸性氯化銅,工藝體系,根據添加不同的氧化劑又可細分為氯化銅+空...
影響ITO酸性氯化銅蝕刻液蝕刻速率的因素:1、Cu+含量的影響:根據蝕刻反應機理,隨著銅的蝕刻就會形成一價銅離子。較微量的Cu+就會明顯的降低蝕刻速率。所以在蝕刻操作中要保持Cu+的含量在一個低的范圍內。2、Cu2+含量的影響:溶液中的Cu2+含量對蝕刻速率有...
ITO蝕刻液一般分為酸性蝕刻液和堿性蝕刻液兩種。酸性蝕刻液主要成分氯化銅、鹽酸、氯化鈉和氯化銨。它的機理是:酸性蝕刻液具有蝕刻速率易控制,蝕刻液在穩定狀態下能達到高的蝕刻質量的特性;同時,它的溶銅量大;酸性蝕刻液也較容易再生與回收,從而減少污染。有研究表明,酸...
ITO顯影液是一種重要的濕電子化學品,也是半導體、顯示面板、太陽能電池制作過程中關鍵的原材料之一。顯影液質量的優劣,直接影響電子產品的質量,電子行業對顯影液的一般要求是超凈和高純。半導體、顯示面板、太陽能電池等行業發展速度快,屬于國家大力發展的戰略新興行業。顯...
TIO蝕刻液的原料:①氟化銨:分子式為NH4F,白色晶體,易潮解,易溶于水和甲醇,較難溶于乙醇,能升華,在蝕刻液中起腐蝕作用,一般選用工業產品。②草酸:在蝕刻液中作還原劑使用,一般選用工業產品。③硫酸鈉:在蝕刻液中作為填充劑使用,一般選用工業產品。④氫氟酸:即...
常用的彩色顯影劑有CD-2、CD-3、CD-4等。在使用中,顯影劑與保護劑、促進劑、阻止劑等配成ITO顯影液使用。當ITO顯影液的濃度偏低時,堿性弱,顯影速度慢,易出現顯影不凈、版面起臟、暗調小白點糊死等現象。ITO顯影液是一種化學用品的成分,主要是用硫酸、硝...
ITO酸性蝕刻液主要成分氯化銅、鹽酸、氯化鈉和氯化銨。它的機理是:酸性蝕刻液具有蝕刻速率易控制,蝕刻液在穩定狀態下能達到高的蝕刻質量的特性;同時,它的溶銅量大;酸性蝕刻液也較容易再生與回收,從而減少污染。有研究表明,酸性氯化銅蝕刻液的蝕刻系數通常為3,以硝酸為...
ITO導電玻璃制造工藝:(1)電化學擴散工藝:在玻璃上用電化學擴散方法可獲得摻雜超導薄膜。玻璃在電化學處理裝置中與熔融金屬或化合物接觸,在一定的電場作用下,熔融金屬或化合物中的離子會擴散到玻璃表面,玻璃中的一價堿金屬離子離解處來,等量地擴散至陰極表面,使玻璃表...
廢水濃縮設備在設計過程中秉著、有效、好用、靠譜、經濟發展的標準開展設計方案,選用、好用、完善、靠譜的工藝處理,考慮水體起伏很大、水流量不穩定的滲水規定,確保廢水處理達到環保標準。選用有效加工工藝,有效布局,在提升系統軟件整體高效率的基本上恰如其分的對廢水處理加...
ITO蝕刻液影響蝕刻速率的因素:酸性氯化銅蝕刻液。Cl-含量的影響。溶液中氯離子濃度與蝕刻速率有著密切的關系,當鹽酸濃度升高時,蝕刻時間減少。在含有6N的HCl溶液中蝕刻時間至少是在水溶液里的1/3,并且能夠提高溶銅量。但是,鹽酸濃度不可超過6N,高于6N鹽酸...
ITO顯影劑的兩液顯液:兩液顯影主要作用是用于加強陰影部分的影紋,減低高影調部分的密度。曝光時,陰影部分須比正常提高一個區。如果膠片容易發灰,在溶液B中加入少量的10%溴化鉀溶液。底片上的高密度部分的厚度,主要依靠A溶液顯影時間的控制,底片進入溶液B以后,高密...
ITO導電玻璃是在鈉鈣基或硅硼基基片玻璃的基礎上,利用磁控濺射的方法鍍上一層氧化銦錫(俗稱ITO)膜加工制作成的。液晶顯示器特用ITO導電玻璃,還會在鍍ITO層之前,鍍上一層二氧化硅阻擋層,以阻止基片玻璃上的鈉離子向盒內液晶里擴散。檔次高的液晶顯示器特用ITO...
影響ITO蝕刻液側蝕的因素很多,下面概述幾點:1)蝕刻方式:浸泡和鼓泡式蝕刻會造成較大的側蝕,潑濺和噴淋式蝕刻側蝕較小,尤以噴淋蝕刻效果較好。2)蝕刻液的種類:不同的蝕刻液化學組分不同,其蝕刻速率就不同,蝕刻系數也不同。例如:酸性氯化銅蝕刻液的蝕刻系數通常為3...
蝕刻液分類1、堿性氯化銅蝕刻液2、酸性氯化銅蝕刻液3、氯化鐵蝕刻液4、過硫酸銨蝕刻液5、硫酸/鉻酸蝕刻液目前已經使用的蝕刻液類型有六種類型:酸性氯化銅堿性氯化銅氯化鐵過硫酸銨硫酸/鉻酸硫酸/雙氧水蝕刻液。酸性氯化銅,工藝體系,根據添加不同的氧化劑又可細分為化銅...
另外電解蝕刻沿保護層側向的腐蝕小,對于需要大面積蝕刻的凸字標牌,可使筆畫不變形、立體感強、裝飾效果好。因此在某些化學蝕刻法不能解決的情況下,可考慮使用電解蝕刻法。雖然電解蝕刻相比傳統的化學蝕刻有很大的優勢,但電解蝕刻法也有其不足的地方。比如電解蝕刻需要電源設備...
電解蝕刻的原理電解蝕刻實際就是電解某種金屬材料,如電解銅、鐵等。具體的做法是將要蝕刻的制件做陽極,用耐蝕金屬材料做輔助陰極。然后把陽極連接電源的正極,輔助陰極連接電源的負極。當電流通過電極和電解質溶液時,在電極的表面及電解質溶液中發生電化學反應,利用這種反應將...
圣天邁堿性蝕刻液的ph值比較好是多少蝕刻液的PH值應保持在8、0至8、8之間。溶液PH值的影響:當PH值降到8、0以下時,一方面是對金屬抗蝕層不利,另一方面,蝕刻液中的銅不能被完全絡合成銅氨絡離子,溶液要出現沉淀,并在槽底形成泥狀沉淀;這些泥狀沉淀能在加熱器上...
化學蝕刻應用比較普遍,可以蝕刻各種標牌、電梯板、工藝品、電路板等。但對某些特殊的金屬材料或要求較高、蝕刻較深的裝飾品,就有一定的困難。在這種情況下,可以采用電解蝕刻的方法解決問題。電解蝕刻和化學蝕刻相比較,你會發現電解蝕刻能處理各種金屬材料,而化學蝕刻一般是處...
蝕刻液-溫度對蝕刻速率的影響:隨著溫度的升高,蝕刻速率加快,但是溫度也不宜過高,一般控制在45~55℃范圍內。溫度太高會引起HCl過多地揮發,造成溶液組分比例失調。另外,如果蝕刻液溫度過高,某些抗蝕層會被損壞。堿性氯化銅蝕刻液1)蝕刻機理:CuCl2+4NH3...
蝕刻部位的金屬被氧化變成水合離子或絡合離子進入電解質溶液。因此,蝕刻部位的金屬不斷地溶解并在金屬的表面留下當量電子。電解蝕刻主要是利用電流加快蝕刻部位金屬的溶解,而不是化學蝕刻那樣要加入各種添加劑,特別是催速劑。電解蝕刻油墨電解蝕刻油墨,是絲印噴涂在金屬表面,...
制備鈦碳化鋁的蝕刻液中鹽酸的濃度是多少鋁蝕刻液配方:4濃鹽酸20-50%水20-80%蝕刻溫度:40-50度5磷酸80-85%蝕刻溫度:40-60度6氫氧化鈉10-20%水80-90度1、蝕刻液,是一種銅版畫雕刻用原料。2、通過侵蝕材料的特性來進行雕刻的一種液...
產品的開發周期:針對金屬蝕刻加工工藝的新產品開發可以更靈活,費用低。設計人員在新品開發時,可以提前和我們溝通,這樣可以經過雙方的討論,來規避一些設計上的缺陷。比如:設計的材料厚度,設計的加工管控精度,可以蝕刻的**小孔,**小的縫隙等。金屬蝕刻加工可實現的一些...
蝕刻液-溫度對蝕刻速率的影響:隨著溫度的升高,蝕刻速率加快,但是溫度也不宜過高,一般控制在45~55℃范圍內。溫度太高會引起HCl過多地揮發,造成溶液組分比例失調。另外,如果蝕刻液溫度過高,某些抗蝕層會被損壞。堿性氯化銅蝕刻液1)蝕刻機理:CuCl2+4NH3...