在執行晶圓的前、后段工藝過程時,晶圓需要經過無數次的IC清潔劑清洗步驟,其次數取決于晶圓的設計和互連的層數。此外,由于清洗工藝過程要剝離晶圓表面的光刻膠,同時還必須去除復雜的腐蝕殘余物質,金屬顆粒以及其他污染物等,所以清洗過程是及其復雜的過程。清洗介質的選擇從...
STM-C190變色防止劑,STM-C190可直接取代磷酸三鈉中和處理制程。配比濃度(5%-10%),消耗很低。在錫表面沉積一層有機薄膜,可改善鍍層因儲存或熱處理(烘烤、Reflow)造成的外觀變色狀況。STM-C160除銹活化劑,單劑操作,配比濃度20-40...
隨著芯片尺寸加大,工藝線寬減小,從9Onm工藝開始,以往IC清潔劑在清洗過程中使用的超聲波清洗遇到一些問題,如造成半導體器件結構損傷,在65nm及以下工藝,其損傷程度可能會加劇。芯片中的深溝槽結構清洗時清洗液和漂洗去離子水很難進入結構內部,難以達到清洗目的。高...
隨著芯片尺寸加大,工藝線寬減小,從9Onm工藝開始,以往IC清潔劑在清洗過程中使用的超聲波清洗遇到一些問題,如造成半導體器件結構損傷,在65nm及以下工藝,其損傷程度可能會加劇。芯片中的深溝槽結構清洗時清洗液和漂洗去離子水很難進入結構內部,難以達到清洗目的。高...
IC封裝藥液清洗晶圓是以整個批次或單一晶圓,藉由化學品的浸泡或噴灑來去除臟污,并用超純水來洗滌雜質,主要是去除晶片表面所有的污染物,如微塵粒(PartICle)、有機物(OrganIC)、無機物、金屬離子等雜質。在超大型集成電路(ULSI)制程中,晶圓清洗技術...
IC清潔劑帶電清洗設備、絕緣液,電子精密清洗、光學清洗、脫水清洗。ThermalShock(冷熱沖擊測試液),適合低溫槽應用。熱傳導液、冷卻介質。干燥脫水劑。溶劑、噴霧罐推進劑。溶媒稀釋劑、潤滑劑稀釋劑、特殊用途的溶劑等。主要應用場合:可用于各類數據處理電子設...
IC封裝藥液適用于金屬表面,塑料表面,玻璃表面等的清洗和光亮,可以高效去除其表面的松香焊藥,吸塑膠以及墻上粘貼的膠紙,并且有很好的光亮效果。對表面的深層頑固污漬的去除有很好的效果。可采用浸泡法和擦拭法進行除膠。浸泡十分鐘~3小時后,取出工件,再用棉布或軟毛刷將...
IC封裝藥液適當使用,可有效的減少生產中的不良品。使用時將脫膠劑倒入容器中,然后在脫膠劑中加一厘米厚水封面用于防火防揮發。將需去除膠層的零件完全浸泡于脫膠劑中,因膠層厚薄不同,約數分鐘或幾十分鐘不等,膠層和粘接灌封膠料會自動全部脫除。脫除后用水沖洗干凈即可。脫...
在擦拭完畢后,用清水沖洗表面,盡量是使用熱水,這樣可以讓表面更快的干燥,同時還可以預防生銹。IC除銹劑在我們生活中有著非常重要的應用,那么大家是否了解IC除銹劑在使用時需要注意的事項都有哪些嗎?下面詳細為大家介紹:為了更好的除銹效果,如果,被處理的工件表面腐蝕...
IC封裝藥液起著把金屬與腐蝕介質完全隔開的作用,防止金屬與腐蝕介質接觸,從而使金屬基本停止溶解形成鈍態達到防腐蝕的作用。防變色劑一般分為兩種:一種為有機封閉劑,一種為油性封閉劑。有機封閉劑:閃點高(110度),可水溶性,不易燃燒,使用安全,環保,無鉻,無排放;...
IC封裝藥液使用浸泡、滌刷或噴灑方式均可,浸泡方法較佳。除銹后應用大量水沖洗其殘留物,如果除銹后需防銹,則需應大量水沖洗后,用5%氫氧化鈉溶液進行中和鈍化、擦干后再噴灑IC除銹劑進行保護。IC除銹劑所釋放出的氣體易燃,所以IC除銹劑應遠離高溫、火花、火焰以及產...
IC清潔劑由于連續處理過程中濃度不斷變化,要定期測定PH值,確定IC-502清洗劑含量濃度,保持在規定的濃度范圍內,及時補充添加,以確保清洗效果。注意事項:工件油污清洗干凈后用清水沖洗,水洗后的工件再做后續處理。工件如需防銹,油污清洗干凈后直接烘干,不需要水洗...
除銹后的工件自然晾干或晾干。需要油漆的工件應在干燥后使用磷化液涂上表面,然后上油漆。IC除銹劑也有保護作用,因此為了獲得較佳效果,可以根據工作條件選擇系列(油溶、水溶、硬膜、脫水)好的IC除銹劑。使用一段時間后,要及時清理表面的泡沫和沉淀物,進行濃度測試分析,...
電路板是應用較為普遍的電子產品元件單元,IC芯片是電路板中重要的組成部分。廢棄電路板與IC芯片的數量與日益增多的電子垃圾數量是成正比的,因此對廢棄電路板及IC芯片進行有效的綜合處理,無論對環境,還是社會經濟都具有極為重要的意義。目前,對廢舊電路板與IC芯片的回...
ITO酸性蝕刻液用途可用于多層印制板的內層電路圖形的制作或微波印制板陰板法直接蝕刻圖形的制作;而堿性蝕刻液一般適用于多層印制板的外層電路圖形的制作及純錫印制板的蝕刻。而總的來說,堿性與酸性蝕刻液用途要權衡對抗蝕層的破壞情況、蝕刻速度,溶液再生及銅的回收、環境保...
ITO酸性蝕刻液主要成分氯化銅、鹽酸、氯化鈉和氯化銨。它的機理是:酸性蝕刻液具有蝕刻速率易控制,蝕刻液在穩定狀態下能達到高的蝕刻質量的特性;同時,它的溶銅量大;酸性蝕刻液也較容易再生與回收,從而減少污染。有研究表明,酸性氯化銅蝕刻液的蝕刻系數通常為3,以硝酸為...
ITO酸性蝕刻液用途可用于多層印制板的內層電路圖形的制作或微波印制板陰板法直接蝕刻圖形的制作;而堿性蝕刻液一般適用于多層印制板的外層電路圖形的制作及純錫印制板的蝕刻。而總的來說,堿性與酸性蝕刻液用途要權衡對抗蝕層的破壞情況、蝕刻速度,溶液再生及銅的回收、環境保...
ITO顯影劑的兩液顯液:兩液顯影主要作用是用于加強陰影部分的影紋,減低高影調部分的密度。曝光時,陰影部分須比正常提高一個區。如果膠片容易發灰,在溶液B中加入少量的10%溴化鉀溶液。底片上的高密度部分的厚度,主要依靠A溶液顯影時間的控制,底片進入溶液B以后,高密...
ITO顯影液主要應用于半導體、顯示面板、太陽能電池等行業,對應的終端產品為芯片、智能終端、太陽能電池板。ITO顯影液是一種重要的濕電子化學品,也是半導體、顯示面板、太陽能電池制作過程中關鍵的原材料之一。顯影液質量的優劣,直接影響電子產品的質量,電子行業對顯影液...
ITO酸性蝕刻液主要成分氯化銅、鹽酸、氯化鈉和氯化銨。它的機理是:酸性蝕刻液具有蝕刻速率易控制,蝕刻液在穩定狀態下能達到高的蝕刻質量的特性;同時,它的溶銅量大;酸性蝕刻液也較容易再生與回收,從而減少污染。有研究表明,酸性氯化銅蝕刻液的蝕刻系數通常為3,以硝酸為...
ITO蝕刻液蝕刻過程中應注意的問題:減少側蝕和突沿,提高蝕刻系數側蝕產生突沿。通常印制板在蝕刻液中的時間越長,側蝕越嚴重。側蝕嚴重影響印制導線的精度,嚴重側蝕將使制作精細導線成為不可能。當側蝕和突沿降低時,蝕刻系數就升高,高的蝕刻系數表示有保持細導線的能力,使...
ITO顯影液主要應用于半導體、顯示面板、太陽能電池等行業,對應的終端產品為芯片、智能終端、太陽能電池板。ITO顯影液是一種重要的濕電子化學品,也是半導體、顯示面板、太陽能電池制作過程中關鍵的原材料之一。顯影液質量的優劣,直接影響電子產品的質量,電子行業對顯影液...
ITO蝕刻液的分類:已經使用的蝕刻液類型有六種類型:酸性氯化銅、堿性氯化銅、氯化鐵、過硫酸銨、硫酸/鉻酸、硫酸/雙氧水蝕刻液。酸性氯化銅,工藝體系,根據添加不同的氧化劑又可細分為氯化銅+空氣體系、氯化銅+氯酸鈉體系、氯化銅+雙氧水體系三種蝕刻工藝,在生產過程中...
銅網格黑化藥液按質量百分含量包括如下組分:亞硒酸0.05~5%,過硫酸鹽0~10%,穩定劑0.01~1%,阻止劑0.01~1%,其余為水。金屬網格的黑化方法使用該黑化藥液對金屬網格進行浸泡。銅網格黑化藥液緩解了目前涂布黑化層的物理黑化方式繁瑣、消影效果一般,容...
溫度對各種ITO蝕刻液速率的影響:1.堿性氯化銅蝕刻液。蝕刻速率與溫度有很大關系,蝕刻速率隨著溫度的升高而加快。蝕刻液溫度低于40℃,蝕刻速率很慢,而蝕刻速率過慢會增大側蝕量,影響蝕刻質量;溫度高于60℃,蝕刻速率明顯增大,但NH3的揮發量也很大程度增加,導致...
TIO蝕刻液的原料:①氟化銨:分子式為NH4F,白色晶體,易潮解,易溶于水和甲醇,較難溶于乙醇,能升華,在蝕刻液中起腐蝕作用,一般選用工業產品。②草酸:在蝕刻液中作還原劑使用,一般選用工業產品。③硫酸鈉:在蝕刻液中作為填充劑使用,一般選用工業產品。④氫氟酸:即...
ITO蝕刻液由氟化銨、草酸、硫酸鈉、氫氟酸、硫酸、硫酸銨、甘油、水組成。ITO蝕刻液的分類:已經使用的蝕刻液類型有六種類型:酸性氯化銅、堿性氯化銅、氯化鐵、過硫酸銨、硫酸/鉻酸、硫酸/雙氧水蝕刻液。酸性氯化銅,工藝體系,根據添加不同的氧化劑又可細分為氯化銅+空...
ITO導電玻璃制造工藝:(1)電化學擴散工藝:在玻璃上用電化學擴散方法可獲得摻雜超導薄膜。玻璃在電化學處理裝置中與熔融金屬或化合物接觸,在一定的電場作用下,熔融金屬或化合物中的離子會擴散到玻璃表面,玻璃中的一價堿金屬離子離解處來,等量地擴散至陰極表面,使玻璃表...
ITO顯影劑的兩液顯液:兩液顯影主要作用是用于加強陰影部分的影紋,減低高影調部分的密度。曝光時,陰影部分須比正常提高一個區。如果膠片容易發灰,在溶液B中加入少量的10%溴化鉀溶液。底片上的高密度部分的厚度,主要依靠A溶液顯影時間的控制,底片進入溶液B以后,高密...
銅網格黑化藥液按質量百分含量包括如下組分:亞硒酸0.05~5%,過硫酸鹽0~10%,穩定劑0.01~1%,阻止劑0.01~1%,其余為水。金屬網格的黑化方法使用該黑化藥液對金屬網格進行浸泡。銅網格黑化藥液緩解了目前涂布黑化層的物理黑化方式繁瑣、消影效果一般,容...