氮化鋁膜是指用氣相沉積、液相沉積、表面轉化或其它表面技術制備的氮化鋁覆蓋層。氮化鋁(AIN)是AI-N二元系中穩定的相,它具有共價鍵、六方纖鋅礦結構,在常壓下不能熔化,而是在2500K分解它的直接能帶間隙高達6.2eV,也可以通過摻雜成為寬帶隙半導體材料。氮化鋁(AIN)是AI-N二元系中穩定的相,它具有共價鍵、六方纖鋅礦結構,在常壓下不能熔化,而是在2500K分解它的直接能帶間隙高達6.2eV,也可以通過摻雜成為寬帶隙半導體材料。氮化鋁的電阻率較高,熱膨脹系數低,硬度高,化學穩定性好但與一般絕緣體不同,它的熱導率也很高。氮化鋁在整個可見光和紅外頻段都具有很高的光學透射率。關于氮化鋁的導熱機理...
生產方法:將氨和鋁直接進行氮化反應,經粉碎、分級制得氮化鋁粉末。或者將氧化鋁和炭充分混合,在電爐中于1700℃還原制得氮化鋁。將高純度鋁粉脫脂(用抽提或在氮氣流中加熱到150℃)后,放到鎳盤中,將盤放在石英或瓷制反應管內,在提純的氮氣流中慢慢地進行加熱。氮化反應在820℃左右時發出白光迅速地進行。此時,必須大量通氮以防止反應管內出現減壓。這個激烈的反應完畢后,在氮氣流中冷卻。由于產物內包有金屬鋁,可將其粉碎,并在氮氣流中于1100~1200℃溫度下再加熱1~2h,即得到灰白色氮化鋁。另外,將鋁在1200~1400℃下蒸發氣化,使其與氮氣反應即得到氮化鋁的須狀物(金屬晶須)。此外,也有將AlCl...
具有優良的耐磨損性能,可用作研磨材料和耐磨損零件,但由于造價高,只能用于磨損嚴重的部位。將某些易氧化的金屬或非金屬表面包裹AlN涂層,可以提高其抗氧化、耐磨的性能;也可以用作防腐蝕涂層,如腐蝕性物質的處理器和容器的襯里等。純度高、致密度高、氣孔率少的氮化鋁陶瓷呈透明狀,可用來制作電子光學器件。也可用作雷達和紅外線的透過材料,因此,在**方面同樣具有良好的發展。氮化鋁陶瓷同樣可以用來制作納米陶瓷管,可以用在發熱板,作載熱材料,在微電子工業用途范圍較廣。氮化鋁陶瓷基片是理想的大規模集成電路散熱基板和封裝材料。杭州多孔氮化鋁粉體廠家直銷氮化鋁粉體的成型工藝有多種,傳統的成型工藝諸如模壓,熱壓,等靜壓...
粉末注射成型是將現代塑料注射成型技術引入粉末冶金領域而形成的一門新型近終形成型技術。據中國粉體網編輯了解,該技術的很大特點是可以直接制備出復雜形狀的零件,而且由于是流態充模,基本上沒有模壁摩擦,成型坯的密度均勻,尺寸精度高。因此,國際上普遍認為該技術的發展將會導致零部件成型與加工技術的一場**,被譽為“21世紀的零部件成型技術”。粘結劑是注射成型技術的重點,首先,粘結劑是粉末的載體,它在很大程度上決定喂料注射成型的流變性能和注射性能;其次,一種良好的粘結劑還必須具有維形作用,即保證樣品從注射完成到脫脂結束都能維持形狀而不發生變化。為了同時滿足上述要求,粘結劑一般由多種有機物組元組成。氮化鋁有較...
氮化鋁膜是指用氣相沉積、液相沉積、表面轉化或其它表面技術制備的氮化鋁覆蓋層 。氮化鋁膜在微電子和光電子器件、襯底材料、絕緣層材料、封裝材料上有著十分廣闊的應用前景。由于它的聲表面波速度高,具有壓電性,可用作聲表面波器件。此外,氮化鋁還具有良好的耐磨損和耐腐蝕性能,可用作防護膜。氮化鋁膜很早用化學氣相沉積(CVI)制備,其沉積溫度高達1000攝氏度以上。后來,通過采用等離子體增強化學氣相沉積,或用物相沉積((PVD)方法,其沉積溫度逐步降到500攝氏度以下、甚至可以在接近室溫條件下沉積。大多數氮化鋁膜為多晶,但已在藍寶石基材上成功地外延生長制成單晶氮化鋁膜。此外,也曾沉積出非晶氮化鋁膜。氮化鋁陶...
由于AlN基板不具有電導性,因此在用作大功率LED散熱基板之前必須對其表面進行金屬化和圖形化。但AlN與金屬是兩類物理化學性質完全不同的材料,兩者差異表現很為突出的就是形成化合物的成鍵方式不同。AlN是強共價鍵化合物,而金屬一般都表現為金屬鍵化合物,因此與其它化學鍵的化合物相比,在高溫下AlN與金屬的浸潤性較差,實現金屬化難度較高。因此,如何實現AlN基板表面金屬化和圖形化成為大功率LED散熱基板發展的一個至關重要問題。目前使用很較廣的AlN基板金屬化的方法主要有:機械連接法、厚膜法、活性金屬釬焊法、共燒法、薄膜法、直接覆銅法。影響氮化鋁陶瓷熱導率的主要因素有晶格的氧含量、致密度、顯微結構、粉...
熱導率K在聲子傳熱中的關系式為:K=1/3cvλ;上式c為陶瓷體本身的熱容,v為聲子的平均運動速度,λ為聲子的平均自由程。材料本身的熱容(c)接近常數,氮化鋁的熱容大是氮化鋁的熱導率高的原因之一,聲子速度(v)與晶體密度和彈性力學性質有關,也可視為常數,所以,聲子的傳播距離(平均自由程),是影響很終宏觀上氮化鋁陶瓷的熱導率表現的關鍵。所以我們通過氮化鋁內部聲子的熱傳導機理可知,要想熱導率高,就要使聲子的傳播更遠(自由程大),也即減少傳播的阻力,這種阻力一般來自于聲子擴散過程中的各種散射。燒結后的陶瓷內部通常會有各種晶體缺陷、雜質、氣孔以及引入的第二相,這些因素的作用使聲子發生散射,也就影響了很...
氮化鋁陶瓷的注射成型:排膠工藝,由于注射成型坯體中有機物含量較高,排膠過快會造成坯體開裂、起泡、分層和變形,因此,如何快速高效排膠成為注射成型的一大難點。排膠工藝包括熱排膠和溶劑排膠。起初主要采用熱排膠,簡單地把有機物燒除,這種方式能耗高、時間長。為了提高排膠效率,一些學者探索了溶劑排膠的工藝。由于粘結劑中石蠟占比重較大,溶劑排膠主要是將坯體中的石蠟溶解,其他粘結劑仍能維持坯體形狀。溶劑排膠結合熱工藝排膠可以縮短排膠時間。注射成型的工藝特點:可近凈尺寸成型各種復雜形狀,很少(或無需)進行機械加工;成型產品生坯密度均勻,且表面光潔度及強度高;成型產品燒結體性能優異且一致性好;易于實現機械化和自動...
為什么要用氮化鋁陶瓷基板?因為LED大燈的工作溫度非常高。而亮度跟功率是掛鉤的,功率越大,溫度越高,再度提高亮度只有通過精細的冷卻設計或者散熱器件的加大,但是效果并不理想。能夠使其達到理想效果的只有氮化鋁陶瓷基板。首先氮化鋁陶瓷基板的導熱率很高,氮化鋁基片可達170-260W/mK,是鋁基板的一百倍。其次,氮化鋁陶瓷基板還有非常優良的絕緣性,與燈珠更匹配的熱膨脹技術等一系列優點。應用于電動汽車和混合動力汽車中的電力電子器件市場規模很大。而電力器件模塊氮化鋁陶瓷基板的技術和商業機遇都令人期待。高溫自蔓延法和低溫碳熱還原合成工藝是很有發展前景的氮化鋁粉末合成方法。東莞超細氮化鋁品牌氮化鋁是氮和鋁的...
氮化鋁是氮和鋁的化合物,化學式為AIN,六方晶系。顏色淡藍或綠色。莫氏硬度5。理論密度3.26g/cm2。升華分解溫度2450C,導熱系數高(0.072cal/(cm·C))膨脹系數6.09×10~/C,抗熱震性能好,能耐2200~20℃的急冷急熱。AIN在800C可能被氧化,因而作耐火材料時需加注意,但在1300C左右具有較好的抗氧化性能。溫度更高,因氧化物保護層開裂破壞,氧化加速。AIN不易被液體銅、鋁、鉛潤濕。它與AI2O2非常相容,在1600C下可形成y一氧氮化鋁(y-AION)。y-AION即Sialon(塞隆),化學式3AIN·7ALO2。7-AION的機械性質與AIN相近,而抗化...
熱導率K在聲子傳熱中的關系式為:K=1/3cvλ;上式c為陶瓷體本身的熱容,v為聲子的平均運動速度,λ為聲子的平均自由程。材料本身的熱容(c)接近常數,氮化鋁的熱容大是氮化鋁的熱導率高的原因之一,聲子速度(v)與晶體密度和彈性力學性質有關,也可視為常數,所以,聲子的傳播距離(平均自由程),是影響很終宏觀上氮化鋁陶瓷的熱導率表現的關鍵。所以我們通過氮化鋁內部聲子的熱傳導機理可知,要想熱導率高,就要使聲子的傳播更遠(自由程大),也即減少傳播的阻力,這種阻力一般來自于聲子擴散過程中的各種散射。燒結后的陶瓷內部通常會有各種晶體缺陷、雜質、氣孔以及引入的第二相,這些因素的作用使聲子發生散射,也就影響了很...
氮化鋁粉體制備技術發展趨勢:AlN粉體作為一種性能優異的粉體原料,國內外研究者通過不斷的科技創新來解決現有工藝存在的技術問題,同時也在不斷探索新的、更高效的制備技術。在微米級AlN粉體合成方面,目前很主要的工藝仍是碳熱還原法和直接氮化法,這兩種工藝具有技術成熟、設備簡單、得到產品質量好等特點,已在工業中得到大規模應用。獲得更高純度、粒度可控、形貌均勻分散的高性能粉體是AlN制備技術的發展方向,針對不同應用領域應開發多種規格的粉體,以滿足導熱陶瓷基板、AlN單晶半導體、高純靶材、導熱填料等領域對AlN粉體原料的要求。同時,在生產中也需要對現有技術及裝備進行不斷優化,進一步提高產品的批次穩定性,增...
氮化鋁陶瓷的制備技術:凝膠注模成型技術原理是首先將粉體、溶劑、分散劑混合球磨,制備具有高固相、粘度的粉體-溶劑濃懸浮液,加入合適的有機單體,添加引發劑或固化劑或者通過外界條件如溫度等的變化使陶瓷漿料中的單體交聯固化,很終在坯體中形成三維網狀結構將陶瓷顆粒固定,使漿料原位固化成型。與其他成型工藝技術相比,凝膠注模成型優點如下:適用范圍較廣;成型坯體缺陷和變形小,是一種近凈尺寸成型工藝;坯體強度較高,成型坯體可進行機加工;坯體中有機物含量很低,排膠后成品變形小;陶瓷生坯和燒結體密度高、均勻性好;成本低、工藝可控。目前,凝膠注模成型的主要問題有:水機注凝成型需要對氮化鋁粉體做抗水解處理,非水基成型則...
提高氮化鋁陶瓷熱導率的途徑:選擇合適的燒結工藝,致密度對氮化鋁陶瓷的熱導率有重要影響,致密度較低的氮化鋁陶瓷很難有較高的熱導率,因此必須選擇合適的燒結工藝實現氮化鋁陶瓷的致密化。常壓燒結:常壓燒結的燒結溫度通常為1600℃至2000℃,當添加了Y2O3燒結助劑后,氮化鋁粉會產生液相燒結,燒結溫度一般在1700℃至1900℃,特別是1800℃很常用,保溫時間為2h。燒結溫度還要受到氮化鋁粉粒度、添加劑含量及種類等的影響。熱壓溫度相對能低一些,一般是在1500℃至1700℃,保溫時間為0.5h,施加的壓力為20MPa左右。在1500℃至1800℃范圍內,提高氮化鋁燒結溫度通常會明顯提高氮化鋁燒結體...
目前AlN基片較常用的燒結工藝一般有5種,即熱壓燒結、無壓燒結、放電等離子燒結(SPS)、微波燒結和自蔓延燒結。熱壓燒結是在加熱粉體的同時進行加壓,利用通電產生的焦耳熱和加壓造成的塑性變形來促進燒結過程的進行。相對于無壓燒結來說,熱壓燒結的燒結溫度要低得多,而且燒結體致密,氣孔率低,但其加熱、冷卻所需時間較長,且只能制備形狀不太復雜的樣品。熱壓燒結是目前制備高熱導率致密化AlN陶瓷的主要工藝。由于AlN具有很強的共價性,故其在常壓燒結時需要的燒結溫度很高。在常壓燒結條件下,添加了Y2O3的AlN粉能產生液相燒結的溫度為1600℃以上,且燒結溫度要受AlN粒度、添加劑種類及添加劑的含量等因素的影...
氮化鋁粉體制備技術發展趨勢:AlN粉體作為一種性能優異的粉體原料,國內外研究者通過不斷的科技創新來解決現有工藝存在的技術問題,同時也在不斷探索新的、更高效的制備技術。在微米級AlN粉體合成方面,目前很主要的工藝仍是碳熱還原法和直接氮化法,這兩種工藝具有技術成熟、設備簡單、得到產品質量好等特點,已在工業中得到大規模應用。獲得更高純度、粒度可控、形貌均勻分散的高性能粉體是AlN制備技術的發展方向,針對不同應用領域應開發多種規格的粉體,以滿足導熱陶瓷基板、AlN單晶半導體、高純靶材、導熱填料等領域對AlN粉體原料的要求。同時,在生產中也需要對現有技術及裝備進行不斷優化,進一步提高產品的批次穩定性,增...
納米氮化鋁粉體主要用途:導熱塑料中的應用:納米氮化鋁粉體可以大幅度提高塑料的導熱率。通過實驗產品以5-10%的比例添加到塑料中,可以使塑料的導熱率從原來的0.3提高到5。導熱率提高了1l6倍多。相比較目前市場上的導熱填料(氧化鋁或哦氧化鎂等)具有添加量低,對制品的機械性能有提高作用,導熱效果提高更明顯等特點。目前相關應用廠家已經大規模采購納米氮化鋁粉體,新型的納米導熱塑料將投放市場。高導熱硅橡膠的應用:與硅匹配性能好,在橡膠中容易分散,在不影響橡膠的機械性能的前提下(實驗證明對橡膠的機械性能還有提高作用)可大幅度提升硅橡膠的導熱率,在添加過程中不象氧化物等使黏度上升很快,添加量很小(根據導熱要...
氮化鋁陶瓷具有優良的絕緣性、導熱性、耐高溫性、耐腐蝕性以及與硅的熱膨脹系數相匹配等優點,成為新一代大規模集成電路、半導體模塊電路及大功率器件的理想散熱和封裝材料。成型工藝是陶瓷制備的關鍵技術,是提高產品性能和降低生產成本的重要環節之一。隨著工業技術的高速發展,傳統的成型方法已難以滿足人們對陶瓷材料在性能和形狀方面的要求。陶瓷的濕法成型近年來成為研究的重點,因為濕法成型具有工藝簡單、生產效率高、成本低和可制備復雜形狀制品等優點,易于工業化推廣。濕法成型包括流延成型、注漿成型、注射成型和注凝成型等。復合材料,環氧樹脂/AlN復合材料作為封裝材料,需要良好的導熱散熱能力,且這種要求愈發嚴苛。溫州多孔...
氮化鋁陶瓷的流延成型:料漿均勻流到或涂到支撐板上,或用刀片均勻的刷到支撐面上,形成漿膜,經干燥形成一定厚度的均勻的素坯膜的一種料漿成型方法。流延成型工藝包括漿料制備、流延成型、干燥及基帶脫離等過程。溶劑和分散劑:高固相含量的流延漿料是流延成型制備高性能氮化鋁陶瓷的關鍵因素之一。溶劑和分散劑是高固相含量的流延漿料的關鍵。溶劑必須滿足以下條件:必須與其他添加成分相溶,如分散劑、粘結劑和增塑劑等;化學性質穩定,不與粉料發生化學反應;對粉料顆粒的潤濕性能好;易于揮發與燒除;使用安全、衛生且對環境污染小。氮化鋁一般難以燒結致密,使用添加劑可以在較低溫度產生液相,潤濕晶粒,從而達到致密化。舟山微米氧化鋁價...
氮化鋁在陶瓷在常溫和高溫下都具有良好的耐蝕性、穩定性,在2450℃下才會發生分解,可以用作高溫耐火材料,如坩堝、澆鑄模具。氮化鋁陶瓷能夠不被銅、鋁、銀等物質潤濕以及耐鋁、鐵、鋁合金的溶蝕,可以成為良好的容器和高溫保護層,如熱電偶保護管和燒結器具;也可以抵御高溫腐蝕性氣體的侵蝕,用于制備氮化鋁陶瓷靜電卡盤這種重要的半導體制造裝備的零部件。由于氮化鋁對砷化鎵等熔鹽表現穩定,用氮化鋁坩堝代替玻璃來合成砷化鎵半導體,可以消除來自玻璃中硅的污染,獲得高純度的砷化鎵半導體。氮化鋁的價格高居不下,每公斤上千元的價格也在一定程度上限制了它的應用。陶瓷氮化硼銷售廠家氮化鋁的特性:熱導率高(約320W/m·K),...
AlN自擴散系數小難以燒結,一般采用添加堿土金屬化合物及稀土鑭系化合物,通過液相燒結實現燒結致密化。燒結助劑能在燒結初期和中期明顯促進AlN陶瓷燒結,并且在燒結的后期從陶瓷材料中部分揮發,從而制備純度及致密化程度都較高的AlN陶瓷材料及制品。在此過程中,助燒劑的種類、添加方式、添加量等均會對AlN陶瓷材料及制品的結構與性能產生明顯程度的影響。選擇AlN陶瓷燒結助劑應遵循以下原則:能在較低的溫度下與AlN顆粒表面的氧化鋁發生共熔,產生液相,這樣才能降低燒結溫度;產生的液相對AlN顆粒有良好的浸潤性,才能有效起到燒結助劑作用;燒結助劑與氧化鋁有較強的結合能力,以除去雜質氧,凈化AlN晶界;液相的流...
提高氮化鋁陶瓷熱導率的途徑:加入適當的燒結助劑,引入添加劑主要有兩方面的作用:促進氮化鋁陶瓷致密化。氮化鋁是共價化合物,具有熔點高、自擴散系數小的特點,一般難以燒結致密,使用添加劑可以在較低溫度產生液相,潤濕晶粒,從而達到致密化。凈化晶格。氮化鋁低氧有很強的親和力,晶格中經常固溶了氧,產生鋁空位,降低了聲子的平均自由程,熱導率也因此降低。合適的添加劑可以有效與晶格中氧反應生成第二相,凈化晶格,提高熱導率。大量的研究表明,稀土金屬氧化物和氟化物、堿土金屬氧化物和氟化物等均可以作為助燒劑提高氮化鋁的熱導率。但添加劑的量應適當,過多會增加雜質含量,從而影響熱導率;過少又起不到燒結助劑的作用。復合助劑...
氮化鋁粉體的制備工藝:高溫自蔓延合成法:高溫自蔓延合成法是直接氮化法的衍生方法,它是將Al粉在高壓氮氣中點燃后,利用Al和N2反應產生的熱量使反應自動維持,直到反應完全,其化學反應式為:2Al(s)+N2(g)→2AlN(s);其優點是高溫自蔓延合成法的本質與鋁粉直接氮化法相同,但該法不需要在高溫下對Al粉進行氮化,只需在開始時將其點燃,故能耗低、生產效率高、成本低。其缺點是要獲得氮化完全的粉體,必需在較高的氮氣壓力下進行,直接影響了該法的工業化生產。化學氣相沉淀法:它是在遠高于理論反應溫度,使反應產物蒸氣形成很高的過飽和蒸氣壓,導致其自動凝聚成晶核,而后聚集成顆粒。關于氮化鋁的導熱機理,國內...
燒結是指陶瓷粉體經壓力壓制后形成的素坯在高溫下的致密化過程,在燒結溫度下陶瓷粉末顆粒相互鍵聯,晶粒長大,晶界和坯體內空隙逐漸減少,坯體體積收縮,致密度增大,直至形成具有一定強度的多晶燒結體。氮化鋁作為共價鍵化合物,難以進行固相燒結。通常采用液相燒結機制,即向氮化鋁原料粉末中加入能夠生成液相的燒結助劑,并通過溶解產生液相,促進燒結。AlN燒結動力:粉末的比表面能、晶格缺陷、固液相之間的毛細力等。要制備高熱導率的AlN陶瓷,在燒結工藝中必須解決兩個問題:是要提高材料的致密度,第二是在高溫燒結時,要盡量避免氧原子溶入的晶格中。氮化鋁還是由六方氮化硼轉變為立方氮化硼的催化劑。東莞導熱氮化硼價格致密度不...
提高氮化鋁陶瓷熱導率的途徑:選擇合適的燒結工藝,致密度對氮化鋁陶瓷的熱導率有重要影響,致密度較低的氮化鋁陶瓷很難有較高的熱導率,因此必須選擇合適的燒結工藝實現氮化鋁陶瓷的致密化。常壓燒結:常壓燒結的燒結溫度通常為1600℃至2000℃,當添加了Y2O3燒結助劑后,氮化鋁粉會產生液相燒結,燒結溫度一般在1700℃至1900℃,特別是1800℃很常用,保溫時間為2h。燒結溫度還要受到氮化鋁粉粒度、添加劑含量及種類等的影響。熱壓溫度相對能低一些,一般是在1500℃至1700℃,保溫時間為0.5h,施加的壓力為20MPa左右。在1500℃至1800℃范圍內,提高氮化鋁燒結溫度通常會明顯提高氮化鋁燒結體...
氮化鋁的應用:壓電裝置應用:氮化鋁具備高電阻率,高熱導率(為Al2O3的8-10倍),與硅相近的低膨脹系數,是高溫和高功率的電子器件的理想材料。電子封裝基片材料:常用的陶瓷基片材料有氧化鈹、氧化鋁、氮化鋁等,其中氧化鋁陶瓷基板的熱導率低,熱膨脹系數和硅不太匹配;氧化鈹雖然有優良的性能,但其粉末有劇毒。在現有可作為基板材料使用的陶瓷材料中,氮化硅陶瓷抗彎強度很高,耐磨性好,是綜合機械性能很好的陶瓷材料,同時其熱膨脹系數很小。而氮化鋁陶瓷具有高熱導率、好的抗熱沖擊性、高溫下依然擁有良好的力學性能。高致密度是氮化鋁陶瓷具有高熱導率的前提。蘇州超細氮化硼哪家好氮化鋁陶瓷的注凝成型:該工藝的基本原理是在...
AlN陶瓷金屬化的方法主要有:化學鍍金屬化法是在沒有外電流通過的情況下,利用還原劑將溶液中的金屬離子還原在呈催化活性的物體表面上,在物體表面形成金屬鍍層。化學鍍法金屬化的結合強度很大程度上依賴于基體表面的粗糙度,在一定范圍內,基體表面的粗糙度越大,結合強度越高;另一方面,化學鍍金屬化法的附著性不佳,且金屬圖形的制備仍需圖形化工藝實現。激光金屬化法利用激光的熱效應使AlN表面發生熱分解,直接生成金屬導電層。激光照射到AlN陶瓷表面后,陶瓷表面吸收激光的能量,表面溫度上升。當AlN表面溫度達到熱分解溫度時,AlN表面就會發生熱分解,析出金屬鋁。具有成本低、效率高、設備維護簡單等優點,在生產實踐中得...
納米氮化鋁粉體主要用途:導熱硅膠和導熱環氧樹脂:超高導熱納米AIN復合的硅膠具有良好的導熱性,良好的電絕緣性,較寬的電絕緣性使用溫度(工作溫度-60℃ --200℃ ,較低的稠度和良好的施工性能。產品已達或超過進口產品,因為可取代同類進口產品而較廣應用于電子器件的熱傳遞介質,提高工作效率。如CPU與散熱器填隙、大功率三極管、可控硅元件、二極管、與基材接觸的細縫處的熱傳遞介質。納米導熱膏是填充IC或三極管與散熱片之間的空隙,增大它們之間的接觸面積,達到更好的散熱效果。其他應用領域:納米氮化鋁應用于熔煉有色金屬和半導體材料砷化銨的紺蝸、蒸發舟、熱電偶的保護管、高溫絕緣件、微波介電材料、耐高溫及耐腐...
高電阻率、高熱導率和低介電常數是電子封裝用基片材料的很基本要求。封裝用基片還應與硅片具有良好的熱匹配、易成型、高表面平整度、易金屬化、易加工、低成本等特點和一定的力學性能。陶瓷由于具有絕緣性能好、化學性質穩定、熱導率高、高頻特性好等優點,成為很常用的基片材料。常用的陶瓷基片材料有氧化鈹、氧化鋁、氮化鋁等,其中氧化鋁陶瓷基板的熱導率低,熱膨脹系數和硅不太匹配;氧化鈹雖然有優良的性能,但其粉末有劇毒;而氮化鋁陶瓷具有高熱導率、好的抗熱沖擊性、高溫下依然擁有良好的力學性能,被認為是很理想的基板材料。氮化鋁陶瓷擁有高硬度和高溫強度性能,可用作切割工具、砂輪和拉絲模以及制造工具材料、金屬陶瓷材料的原料。...
氮化鋁陶瓷有哪些特性和應用呢:高導熱性和出色的電絕緣性使氮化鋁適用于各種極端環境。氮化鋁是一種高性能材料,特別適用于要求嚴苛的電氣應用。我們將較廣的技術理解與與客戶合作的承諾相結合,確保我們的材料解決方案滿足嚴格的規格,同時提供的性能。氮化鋁可以通過干壓和燒結或使用適當的燒結助劑通過熱壓生產,這些過程的結果是一種在包括氫氣和二氧化碳氣氛在內的一系列惰性環境中在高溫下穩定的材料。氮化鋁主要用于電子領域,特別是當散熱是一項重要功能時。氮化鋁的特性也使其特別適用于制造耐腐蝕產品。典型的氮化鋁特性包括:非常好的導熱性、熱膨脹系數與硅相似、良好的介電性能、良好的耐腐蝕性、在半導體加工環境中的穩定性。典型...