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雙極管共發射極接法的電壓-電流關系輸入特性曲線簡單地看，輸入特性曲線類似于發射結的伏安特性曲線，現討論iB和vBE之間的函數關系。因為有集電結電壓的影響，它與一個單獨的PN結的伏安特性曲線不同。 為了排除vCE的影響，在討論輸入特性曲線時，應使vCE=const(常數)。vCE的影響，可以用三極管的內部的反饋作用解釋，即vCE對iB的影響。共發射極接法的輸入特性曲線見。其中vCE=0V的那一條相當于發射結的正向特性曲線。當vCE≥1V時， vCB= vCE - vBE>0，集電結已進入反偏狀態，開始收集電子，且基區復合減少， IC / IB增大，特性曲線將向右稍微移動一些。但vCE再增加時，曲...

電子制作中常用的三極管有9 0× ×系列，包括低頻小功率硅管9013（NPN）、9012（PNP），低噪聲管9014（NPN），高頻小功率管9018（NPN）等。它們的型號一般都標在塑殼上，而樣子都一樣，都是TO-92標準封裝。在老式的電子產品中還能見到3DG6（低頻小功率硅管）、3AX31 （低頻小功率鍺管） 等，它們的型號也都印在金屬的外殼上。一部分的3表示為三極管。 二部分表示器件的材料和結構，A： PNP型鍺材料 B： NPN型鍺材料 C： PNP型硅材料 D： NPN型硅材料 三部分表示功能，U：光電管 K：開關管 X：低頻小功率管 G：高頻小功率管 D：低頻大功率管 A：高頻大...

三極管基極的判別：根據三極管的結構，我們知道三極管的基極是三極管中兩個PN結的公共極，因此，在判別三極管的基極時，只要找出兩個PN結的公共極，即為三極管的基極。具體方法是將多用電表調至電阻擋的R×1k擋，先用紅表筆放在三極管的一只腳上，用黑表筆去碰三極管的另兩只腳，如果兩次全通，則紅表筆所放的腳就是三極管的基極。如果一次沒找到，則紅表筆換到三極管的另一個腳，再測兩次；如還沒找到，則紅表筆再換一下，再測兩次。如果還沒找到，則改用黑表筆放在三極管的一個腳上，用紅表筆去測兩次看是否全通，若一次沒成功再換。這樣多量12次，總可以找到基極。 三極管封裝形式指定該管的外觀形狀，如果其它參數都正確，封裝...

選用三極管需要了解三極管的主要參數。若手中有一本晶體管特性手冊好。三極管的參數很多，其中必須了解的四個極限參數：ICM、BVCEO、PCM、fT、TON TOFF 等，可滿足95%以上的使用需要。ICM是集電極大允許電流。三極管工作時當它的集電極電流超過一定數值時，它的電流放大系數β將下降。為此規定三極管的電流放大系數β變化不超過允許值時的集電極大電流稱為ICM。所以在使用中當集電極電流IC超過ICM時不至于損壞三極管，但會使β值減小，影響電路的工作性能。三極管輸出信號的能量實際上是由直流電源提供的，只是經過三極管的控制，使之轉換成信號能量，提供給負載。上海原裝三極管接線圖三極管極限參數 集電...

三極管負載電阻被直接跨接于三極管的集電極與電源之間，而位居三極管主電流的回路上，輸入電壓Vin則控制三極管開關的開啟(open) 與閉合(closed) 動作，當三極管呈開啟狀態時，負載電流便被阻斷，反之，當三極管呈閉合狀態時，電流便可以流通。詳細的說，當Vin為低電壓時，由于基極沒有電流，因此集電極亦無電流，致使連接于集電極端的負載亦沒有電流，而相當于開關的開啟（關閉狀態），此時三極管乃工作于截止(cut off)區。同理，當Vin為高電壓時，由于有基極電流流動，因此使集電極流過更大的放大電流，因此負載回路便被導通，而相當于開關的閉合（連接狀態），此時三極管乃工作于飽和區(saturatio...

三極管由于集電結是反向偏置電壓，空間電荷區的內電場被進一步加強(PN結變寬)，這樣反而對基區擴散到集電結邊境的載流子電子有很強的吸引力(電子帶負電，同性相斥異性相吸)，使它們很快漂移過集電結(電場的吸引或排斥作用引起的載流子移動叫做漂移)，從而形成集電極電流Icn(方向與電子漂移方向相反)。很明顯，Icn=Ien-Ibn，因為百萬大軍一小部分在基區，剩下的大部分在集電區。在多數載流子電子進入到集電區后，集電區(N型)的少數載流子空穴與基區(P型)的少數載流子電子也會產生漂移運動，形成了電流Icbo，而另有一些會跨過基區到達發射區從而形成Iceo。盟科電子的BAT54,歐美國家用的電子標簽，選用...

制造三極管時，有意識地使發射區的多數載流子濃度大于基區的，同時基區做得很薄，而且，要嚴格控制雜質含量，這樣，一旦接通電源后，由于發射結正偏，發射區的多數載流子（電子）及基區的多數載流子（空穴）很容易地越過發射結互相向對方擴散，但因前者的濃度基大于后者，所以通過發射結的電流基本上是電子流，這股電子流稱為發射極電流子。由于基區很薄,加上集電結的反偏，注入基區的電子大部分越過集電結進入集電區而形成集電極電流Ic，只剩下很少（1-10%）的電子在基區的空穴進行復合，被復合掉的基區空穴由基極電源Eb重新補給。 晶體三極管具有電流放大作用，其實質是三極管能以基極電流微小的變化量來控制集電極電流較大的變...

電子制作中常用的三極管有9 0× ×系列，包括低頻小功率硅管9013（NPN）、9012（PNP），低噪聲管9014（NPN），高頻小功率管9018（NPN）等。它們的型號一般都標在塑殼上，而樣子都一樣，都是TO-92標準封裝。在老式的電子產品中還能見到3DG6（低頻小功率硅管）、3AX31 （低頻小功率鍺管） 等，它們的型號也都印在金屬的外殼上。一部分的3表示為三極管。 二部分表示器件的材料和結構，A： PNP型鍺材料 B： NPN型鍺材料 C： PNP型硅材料 D： NPN型硅材料 三部分表示功能，U：光電管 K：開關管 X：低頻小功率管 G：高頻小功率管 D：低頻大功率管 A：高頻大功率...

制造三極管時，有意識地使發射區的多數載流子濃度大于基區的，同時基區做得很薄，而且，要嚴格控制雜質含量，這樣，一旦接通電源后，由于發射結正偏，發射區的多數載流子（電子）及基區的多數載流子（空穴）很容易地越過發射結互相向對方擴散，但因前者的濃度基大于后者，所以通過發射結的電流基本上是電子流，這股電子流稱為發射極電流子。由于基區很薄,加上集電結的反偏，注入基區的電子大部分越過集電結進入集電區而形成集電極電流Ic，只剩下很少（1-10%）的電子在基區的空穴進行復合，被復合掉的基區空穴由基極電源Eb重新補給。 三極管從三個區引出相應的電極，分別為基極b發射極e和集電極c。湖州直插三極管命名 三極管...

三極管的電子運動原理：發射結加正向電壓，擴散運動形成發射極電流IE發射結加正向電壓且發射區雜質濃度高，所以大量自由電子因擴散運動越過發射結到達基區。與此同時，空穴也從基區向發射區擴散，但由于基區雜質濃度低，所以空穴形成的電流非常小，近似分析時可忽略不計。可見，擴散運動形成了發射極電流IE。由于基區很薄，雜質濃度很低，集電結又加了反向電壓，所以擴散到基區的電子中只有極少部分與空穴復合，其余部分均作為基區的非平衡少子到達集電結。又由于電源 VBE的作用，電子與空穴的復合運動將源源不斷地進行，形成基極電流IB。SOT-23 PNP貼片三極管，型號MMBT3906 S8550。廣東達林頓三極管現貨 ...

三極管基極有電流流動時；由于B極和E極之間有正向電壓，所以電子從發射極向基極移動，又因為C極和E極間施加了反向電壓，因此，從發射極向基極移動的電子，在高電壓的作用下，通過基極進入集電極。于是，在基極所加的正電壓的作用下，發射極的大量電子被輸送到集電極，產生很大的集電極電流。基極無電流流動時；在B極和E極之間不能施加電壓的狀態時，由于C極和E極間施加了反向電壓，所以集電極的電子受電源正電壓吸引而在C極和E極之間產生空間電荷區，阻礙了從發射極向集電極的電子流動，因而就沒有集電極電流產生。深圳三極管廠家哪家好？選深圳市盟科電子科技有限公司。江門小信號三極管出廠價 三極管基極的判別：根據三極管的結構...

半導體三極管也稱為晶體三極管，可以說它是電子電路中重要的器件。它主要的功能是電流放大和開關作用。三極管顧名思義具有三個電極。二極管是由一個PN結構成的，而三極管由兩個PN結構成，共用的一個電極成為三極管的基極（用字母b表示）。其他的兩個電極成為集電極（用字母c表示）和發射極（用字母e表示）。由于不同的組合方式，形成了一種是NPN型的三極管，另一種是PNP型的三極管。三極管的種類很多，并且不同型號各有不同的用途。三極管大都是塑料封裝或金屬封裝，常見三極管的外觀，有一個箭頭的電極是發射極，箭頭朝外的是NPN型三極管，而箭頭朝內的是PNP型。實際上箭頭所指的方向是電流的方向。 S8550LT1 ...

在制造三極管時，有意識地使發射區的多數載流子濃度大于基區的，同時基區做得很薄，而且，要嚴格控制雜質含量，這樣，一旦接通電源后，由于發射結正偏，發射區的多數載流子（電子）及基區的多數載流子（空穴）很容易地越過發射結互相向對方擴散，但因前者的濃度基大于后者，所以通過發射結的電流基本上是電子流，這股電子流稱為發射極電子流。由于基區很薄，加上集電結的反偏，注入基區的電子大部分越過集電結進入集電區而形成集電極電流Icn，只剩下很少（1-10%）的電子在基區的空穴進行復合，被復合掉的基區空穴由基極電源Eb重新補給，從而形成了基極電流Ibn。 三極管的口訣：三顛倒，找基極；PN結，定管型；順箭頭，偏轉大...

三極管的工作原理：是輸出信號范圍的要求，如果沒有加偏置，那么只有對那些增加的信號放大，而對減小的信號無效(因為沒有偏置時集電極電流為0，不能再減小了)。而加上偏置，事先讓集電極有一定的電流，當輸入的基極電流變小時，集電極電流就可以減小;當輸入的基極電流增大時，集電極電流就增大。這樣減小的信號和增大的信號都可以被放大了。因為發射區多子濃度高，使大量電子從發射區擴散到基區，擴散運動形成發射極電流 ；因為基區薄且多子濃度低，使極少數擴散到基區的電子與空穴復合，復合運動形成基極電流 ；因為集電區面積大，在外電場作用下大部分擴散到基區的電子漂移到集電區，漂移運動形成集電極電流 。晶體三極管（以下簡稱...

三極管（也稱晶體管）在中文含義里面只是對三個引腳的放大器件的統稱，我們常說的三極管，可能是幾種器件。可以看到，雖然都叫三極管，其實在英文里面的說法是千差萬別的，三極管這個詞匯其實也是中文特有的一個象形意義上的的詞匯。“Triode”（電子三極管）這個是英漢詞典里面 “三極管” 的英文翻譯，與電子三極管初次出現有關，是真正意義上的三極管這個詞初所指的物品。其余的在中文里稱作三極管的器件，實際翻譯時不可以翻譯成Triode。三極管按功能分: 開關管、功率管、達林頓管、光敏管等。PNP型三極管特點 三極管的基本結構：基本放大電路是放大電路中基本的結構，是構成復雜放大電路的基本單元。它利用雙極型半導...

三極管放大電路的原理：共發射極放大電路共發射極放大器是應用普遍的放大器。所謂的共發射極放大器就是信號輸入和信號輸出都要依靠發射極完成的放大器。是一種典型的共發射極放大器。在該放大器內，VT是放大管，C1是輸入信號耦合電容，C2是輸出信號耦合電容，R1、R2是VT基極的直流偏置電阻，R3是VT的集電極負載電阻，VCC是供電電壓，Ui是輸入信號，Uo是輸出信號。直流偏置供電電壓VCC通過R1、R2分壓后，加到VT的基極，為基極提供直流偏置電壓，基極電壓Ub≈VCCR2/（R1+R2）。流過R1的電流分兩路到地：一路通過R2到地，另一路通過VT的發射極到地。三極管發射極箭頭指向也是PN結在正向電壓下...

三極管放大電路的原理：共發射極放大電路共發射極放大器是應用普遍的放大器。所謂的共發射極放大器就是信號輸入和信號輸出都要依靠發射極完成的放大器。是一種典型的共發射極放大器。在該放大器內，VT是放大管，C1是輸入信號耦合電容，C2是輸出信號耦合電容，R1、R2是VT基極的直流偏置電阻，R3是VT的集電極負載電阻，VCC是供電電壓，Ui是輸入信號，Uo是輸出信號。直流偏置供電電壓VCC通過R1、R2分壓后，加到VT的基極，為基極提供直流偏置電壓，基極電壓Ub≈VCCR2/（R1+R2）。流過R1的電流分兩路到地：一路通過R2到地，另一路通過VT的發射極到地。三極管從三個區引出相應的電極，分別為基極b...

三極管的工作原理：放大原理因三極管三個區制作工藝的設定以及內部的兩個PN結相互影響，使三極管呈現出單個PN結所沒有的電流放大的功能。外加偏置電源配置：要求發射結正偏，集電結反偏。三極管在實際的放大電路中使用時，還需要外加合適的偏置電路。原因是：由于三極管BE結的非線性，基極電流必須在輸入電壓大到一定程度后才能產生(對于硅管，常取0.7v)。當基極與發射極之間的電壓小于0.7v時，基極電流就可以認為是0。放大區的特點是，隨著IB的增加，IC也增加，IC主要受控于IB，與VCE關系不大，上圖清晰地描述了這個現象。通俗點說就是用IB來控制IC，所有三極管是電流控制型器件。還是以水杯模型來加深記憶，放...

晶體三極管（以下簡稱三極管）按材料分有兩種：鍺管和硅管。而每一種又有NPN和PNP兩種結構形式，但使用多的是硅NPN和鍺PNP兩種三極管，（其中，N是負極的意思（英文中Negative），N型半導體在高純度硅中加入磷取代一些硅原子，在電壓刺激下產生自由電子導電，而P是正極的意思（Positive）是加入硼取代硅，產生大量空穴利于導電）。兩者除了電源極性不同外，其工作原理都是相同的對于NPN管，它是由2塊N型半導體中間夾著一塊P型半導體所組成，發射區與基區之間形成的PN結稱為發射結，而集電區與基區形成的PN結稱為集電結，三條引線分別稱為發射極e （Emitter）、基極b (Base)和集電極c...

三極管由于集電結是反向偏置電壓，空間電荷區的內電場被進一步加強(PN結變寬)，這樣反而對基區擴散到集電結邊境的載流子電子有很強的吸引力(電子帶負電，同性相斥異性相吸)，使它們很快漂移過集電結(電場的吸引或排斥作用引起的載流子移動叫做漂移)，從而形成集電極電流Icn(方向與電子漂移方向相反)。很明顯，Icn=Ien-Ibn，因為百萬大軍一小部分在基區，剩下的大部分在集電區。在多數載流子電子進入到集電區后，集電區(N型)的少數載流子空穴與基區(P型)的少數載流子電子也會產生漂移運動，形成了電流Icbo，而另有一些會跨過基區到達發射區從而形成Iceo。三極管，全稱應為半導體三極管，也稱雙極型晶體管、...

電子制作中常用的三極管有9 0× ×系列，包括低頻小功率硅管9013（NPN）、9012（PNP），低噪聲管9014（NPN），高頻小功率管9018（NPN）等。它們的型號一般都標在塑殼上，而樣子都一樣，都是TO-92標準封裝。在老式的電子產品中還能見到3DG6（低頻小功率硅管）、3AX31 （低頻小功率鍺管） 等，它們的型號也都印在金屬的外殼上。一部分的3表示為三極管。 二部分表示器件的材料和結構，A： PNP型鍺材料 B： NPN型鍺材料 C： PNP型硅材料 D： NPN型硅材料 三部分表示功能，U：光電管 K：開關管 X：低頻小功率管 G：高頻小功率管 D：低頻大功率管 A：高頻大...

共基極放大電路共基極放大器的應用較前兩種放大器要少得多。是一種典型的共基極放大器。在該放大器內，VT是放大管，C1是輸入信號耦合電容，C2是輸出信號耦合電容，C3是基極的交流接地電容，R1、R2是VT基極的直流偏置電阻，R3是VT的集電極負載電阻，R4是VT的發射極電阻，VCC是供電電壓，Ui是輸入信號，Uo是輸出信號。直流偏置電源電壓VCC不通過R3加到VT的集電極，為它供電，而且通過R1、R2分壓后，加到VT的基極，為基極提供直流偏置電壓，Ub≈VCCR2/（R1+R2）。流過R1的電流分兩路到地：一路是通過R2到地，另一路是通過VT的發射結、R4到地。盟科電子三極管可以用作小信號放大。深...

三極管鍺管的穿透電流比較大，一般由幾十微安到幾百微安，硅管的穿透電流就比較小，一般只有零點幾微安到幾微安。 I ceo 雖然不大，卻與溫度有著密切的關系，它們遵循著所謂的“加倍規則”，這就是溫度每升高 10℃ ， I ceo 約增大一倍。例如，某鍺管在常溫 20℃ 時， I ceo 為 20μA ，在使用中管芯溫度上升到 50℃ ， I ceo 就增大到 160μA 左右。測量 I ceo 的電路很簡單，三極管的基極開路，在集電極與發射極之間接入電源 V CC （ 6V ），串聯在電路中的電流表（可用萬用表中的 0.1mA 擋）所指示的電流值就是 I ceo 。三極管的封裝形式有金屬封裝和塑料...

三極管的工作原理：放大原理因三極管三個區制作工藝的設定以及內部的兩個PN結相互影響，使三極管呈現出單個PN結所沒有的電流放大的功能。外加偏置電源配置：要求發射結正偏，集電結反偏。三極管在實際的放大電路中使用時，還需要外加合適的偏置電路。原因是：由于三極管BE結的非線性，基極電流必須在輸入電壓大到一定程度后才能產生(對于硅管，常取0.7v)。當基極與發射極之間的電壓小于0.7v時，基極電流就可以認為是0。放大區的特點是，隨著IB的增加，IC也增加，IC主要受控于IB，與VCE關系不大，上圖清晰地描述了這個現象。通俗點說就是用IB來控制IC，所有三極管是電流控制型器件。還是以水杯模型來加深記憶，放...

三極管有90×&TImes;系列，包括低頻小功率硅管9013（NPN）、9012（PNP），低噪聲管9014（NPN），高頻小功率管9018（NPN）等。它們的型號一般都標在塑殼上，而樣子都一樣，都是TO-92標準封裝。在老式的電子產品中還能見到3DG6（低頻小功率硅管）、3AX31（低頻小功率鍺管）等，它們的型號也都印在金屬的外殼上。我國生產的晶體管有一套命名規則，電子工程技術人員和電子愛好者應該了解三極管符號的含義。符號的一部分“3”表示三極管。符號的二部分表示器件的材料和結構：A——PNP型鍺材料；B——NPN型鍺材料；C——PNP型硅材料；D——NPN型硅材料。符號的三部分表示功能...

三極管的穿透電流ICEO的數值近似等于管子的倍數β和集電結的反向電流ICBO的乘積。ICBO隨著環境溫度的升高而增長很快，ICBO的增加必然造成ICEO的增大。而ICEO的增大將直接影響管子工作的穩定性，所以在使用中應盡量選用ICEO小的管子。通過用萬用表電阻直接測量三極管e－c極之間的電阻方法，可間接估計ICEO的大小，具體方法如下：萬用表電阻的量程一般選用R×100或R×1K擋，對于PNP管，黑表管接e極，紅表筆接c極，對于NPN型三極管，黑表筆接c極，紅表筆接e極。要求測得的電阻越大越好。e－c間的阻值越大，說明管子的ICEO越小；反之，所測阻值越小，說明被測管的ICEO越大。一般說來，...

三極管將電阻Rc換成一個燈泡，那么當基極電流為0時，集電極電流為0，燈泡滅。如果基極電流比較大時(大于流過燈泡的電流除以三極管的放大倍數β)，三極管就飽和，相當于開關閉合，燈泡就亮了。由于控制電流只需要比燈泡電流的β分之一大一點就行了，所以就可以用一個小電流來控制一個大電流的通斷。如果基極電流從0慢慢增加，那么燈泡的亮度也會隨著增加(在三極管未飽和之前)。但是在實際使用中要注意，在開關電路中，飽和狀態若在深度飽和時會影響其開關速度，飽和電路在基極電流乘放大倍數等于或稍大于集電極電流時是淺度飽和，遠大于集電極電流時是深度飽和。因此我們只需要控制其工作在淺度飽和工作狀態就可以提高其轉換速度。三極管...

三極管的穿透電流ICEO的數值近似等于管子的倍數β和集電結的反向電流ICBO的乘積。ICBO隨著環境溫度的升高而增長很快，ICBO的增加必然造成ICEO的增大。而ICEO的增大將直接影響管子工作的穩定性，所以在使用中應盡量選用ICEO小的管子。通過用萬用表電阻直接測量三極管e－c極之間的電阻方法，可間接估計ICEO的大小，具體方法如下：萬用表電阻的量程一般選用R×100或R×1K擋，對于PNP管，黑表管接e極，紅表筆接c極，對于NPN型三極管，黑表筆接c極，紅表筆接e極。要求測得的電阻越大越好。e－c間的阻值越大，說明管子的ICEO越小；反之，所測阻值越小，說明被測管的ICEO越大。一般說來，...

三極管放大電路的原理：信號放大輸入信號Ui經C1耦合到VT的基極，使VT的基極電流Ib隨Ui變化而變化，致使VT的發射極電流Ie隨之變化，并且變化量為（1+β）Ib。Ie在R2兩端產生隨之變化的壓降U2。U2經C2耦合后得到交流輸出信號Uo。由于Uo與Ui的相位相同，所以該放大器也叫射極跟隨放大器，簡稱射極跟隨器。通過以上分析可知，共集電極放大器的輸入信號Ui是從放大器的基極、發射極之間輸入的，輸出信號Uo取自發射極。由于U2等于Ub?0.6V，所以該放大器有電流放大功能，而沒有電壓放大功能。TO-252封裝三極管選型可以找盟科電子。寧波低頻三極管制造商三極管的工作原理：是輸出信號范圍的要求，...

數字三極管數字三極管：Digital Transistor。是內部已經集成了電阻的三極管，屬于集成電路元件。俗稱帶阻三極管，也就是內部自帶電阻，常用來做電子開關，和同反相器功能相同。這樣做的好處是，集成度高，省掉了電阻的組裝，方便、減少用戶的使用成本。但是數字三極管配的電阻一般都是固定的，和普通三極管相比，使用靈活性要稍微差一些。電阻集成：一般集成一到兩個電阻。有的在基極上串聯一只電阻, 一般稱為R1； 有的在基極與發射極之間還并聯一只電阻R2 。電阻R1 與電阻R2 可按多種方式搭配，因此數字晶體管的品種很多。三極管產品參數VCEO集電極發射極反向擊穿電壓，表示臨界飽和時的飽和電壓。杭州貼片...