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放電離子燒結是一種新型的快速燒結技術的方法，融合等離子活化,熱壓,電阻加熱等技術,具有燒結速度快，晶顆均勻等特點。放電離子燒結除具有熱壓燒結過程中的焦耳熱和壓力造成的塑性變形等要素外，還能在坯體顆粒之間產生直流脈沖電壓,利用顆粒間放電產生體加熱，使材料快速燒結。并且產生的放電等離子，撞擊顆粒導致物質蒸發，可以達到活化顆粒和凈化顆粒表面的作用。利用放電離子燒結氮化鋁陶瓷，可以在極短的時間內完成氮化鋁陶瓷的燒結。 微波燒結是利用微波與介質的相互作用產生介電損耗而使坯體整體加熱的燒結方法。同時，微波可以使粉末顆粒活性提高，有利于物質的傳遞。微波燒結也是一種快速燒結法，雖...

氮化鋁的理論密度為3100±10kg/m3，實際測得α- Si3N4的真比重為3184 kg/m3，β- Si3N4的真比重為3187 kg/m3。氮化鋁陶瓷的體積密度因工藝而變化較大，一般為理論密度的80%以上，大約在2200～3200 kg/m3之間，氣孔率的高低是密度不同的主要原因，反應燒結氮化鋁的氣孔率一般在20%左右，密度是2200～2600 kg/m3，而熱壓氮化鋁氣孔率在5%以下，密度達3000～3200 kg/m3，與用途相近的其他材料比較，不僅密度低于所有高溫合金，而且在高溫結構陶瓷中也是密度較低的一種。鑫鼎精密陶瓷專業加工隔熱氮化鋁片。常州機械零件氮化鋁陶瓷球 ...

由于具有優良的熱、電、力學性能。氮化鋁陶瓷引起了國內外研究者關注，隨著現代科學技術的飛速發展，對所用材料的性能提出了更高的要求。氮化鋁陶瓷也必將在許多領域得到更多的應用!雖然多年來通過許多研究者的不懈努力，在粉末的制備、成形、燒結等方面的研究均取得了長足進展。目前氮化鋁的商品化程度并不高，這也是影響氮化鋁陶瓷進一步發展的關鍵因素。為了促進氮化鋁研究和應用的進一步發展，必須做好下面兩個研究工作。研究低成本的粉末制備工藝和方法!制約氮化鋁商品化的主要因素就是價格問題。若能以較低的成本制備出氮化鋁粉末，將會很大提高其商品化程度!高溫自蔓延法和低溫碳熱還原合成工藝是很有發展前景的粉末合...

由于具有優良的熱、電、力學性能。氮化鋁陶瓷引起了國內外研究者關注，隨著現代科學技術的飛速發展，對所用材料的性能提出了更高的要求。氮化鋁陶瓷也必將在許多領域得到更為很大的應用!雖然多年來通過許多研究者的不懈努力，在粉末的制備、成形、燒結等方面的研究均取得了長足進展。為了促進氮化鋁研究和應用的進一步發展，必須做好下面兩個研究工作。研究低成本的粉末制備工藝和方法!制約氮化鋁商品化的主要因素就是價格問題。若能以較低的成本制備出氮化鋁粉末，將會提高其商品化程度!高溫自蔓延法和低溫碳熱還原合成工藝是很有發展前景的粉末合成方法。二者具有低成本和適合大規模生產的特點!研究復雜形狀的氮化鋁陶瓷零部件...

用氮化鋁陶瓷作成的基板材料可以滿足現代電子功率器件發展的需要。 高電阻率、同熱導率和低介電常數是集成電路對封裝用基片的基本要求.封裝用基片還應與硅片具有良好的熱匹配. 易成型 高表面平整度、易金屬化、易加工、低成本等特點和一定的力學性能.大多數陶瓷是離子鍵或共價鍵極強的材料,具有優異的綜合性能.是電子封裝中常用的基片材料,具有較高的絕緣性能和優異的高頻特性,同時線膨脹系數與電子元器件非常相近,,化學性能非常穩定且熱導率高.長期以來,絕大多數大功率混合集成電路的基板材料-直沿用A1203和BeO陶瓷,但A1203基板的熱導率低，熱膜脹系數和硅不太匹配∶BeO雖然具有優良的綜合性能.但其...

氮化鋁陶瓷可做高溫絕緣材料，其性能指標的優劣主要取決于合成方式與純度，材料內未被氮化的游離硅，在制備中帶入的堿金屬、堿土金屬、鐵、鈦、鎳等雜志，均可惡化氮化鋁陶瓷的電性能。 氮化鋁陶瓷具有較高的機械強度，一般熱壓制品的抗折強度500～700MPa ,高的可達1000～1200MPa;反應燒結后的抗折強度200MPa ,高的可300～400MPa。雖然反應燒結制品的室溫強度不高, 但在1200～1350℃的高溫下 ,其強度仍不下降。氮化鋁的高溫蠕變小,例如,反應燒結的氮化硅在1200℃時荷重為24MPa,1000h后其形變為0.5 % 精密加工工業氮化鋁陶瓷異形件。蘇州...

氮化鋁陶瓷相較其他陶瓷材料，與硅相匹配的熱膨脹系數，加上很好的熱導性，更有利于應用于電子產業。根據《AlN陶瓷熱導率及抗彎強度影響因素研究的新進展》的研究中提到，AlN因其熱膨脹系數與Si匹配度高而被關注，而傳統的基板材料如Al2O3由于其熱導率低，其值約為AlN陶瓷的1/5且線膨脹系數與Si不匹配，已經不能夠滿足實際需求。BeO與SiC陶瓷基板的熱導率也相對較高，但BeO毒性高，SiC絕緣性不好。而AlN作為一種新型高導熱陶瓷材料，具有熱膨脹系數與Si接近、散熱性能優良、無毒等特性，有望成為替代電子工業用陶瓷基板Al2O3、SiC和BeO的較好材料。找源頭加工氮化鋁陶瓷廠家--...

氮化鋁是一種六方纖鋅礦結構的共價鍵化合物，室溫強度高、熱膨脹系數小、抗熔融金屬侵蝕的能力強、介電性能良好，這些得天獨厚的優點使其成為高導熱材料而引起國內外的普遍關注。作為高性能的介電陶瓷，氮化鋁可以取代碳化硅，甚至部分取代氧化鋁. 氮化鋁陶瓷結構件的優點：(1)機械強度高，硬度接近剛玉。熱壓氮化硅的室溫抗彎強度可高達780-980MPa，有的甚至更高，可與合金鋼相比，強度可保持在1200℃以下。(2)機械自潤滑，表面摩擦系數小，耐磨，彈性模量大，耐高溫。(3)熱膨脹系數小，導熱系數大，抗熱震性好。(4)密度低，比重小。(5)耐腐蝕、抗氧化。(6)電絕緣性好。...

氮化鋁陶瓷可用于制造能夠在高溫或者存在一定輻射的場景下使用的高頻大功率器件， 如高功率電子器件、高密度固態存儲器等。作為第三代半導體材料之一的氮化鋁，具 有寬帶隙、高熱導率、高電阻率、良好的紫外透過率、高擊穿場強等優良性能。氮化鋁的禁帶寬度為 6.2 eV，極化作用較強，在機械、微電子、光學以及聲表面波 器件(SAW)制造、高頻寬帶通信等領域都有應用，如氮化鋁壓電陶瓷及薄膜等。另外， 高純度的 氮化鋁陶瓷是透明的，具有優良的光學性能，再結合其電學性能，可制作紅外 導流罩、傳感器等功能器件。定制氮化鋁陶瓷圓棒加工廠家--鑫鼎陶瓷。肇慶耐腐蝕氮化鋁陶瓷盤 氮化鋁陶瓷是一種綜...

為了降低氮化鋁陶瓷的燒結溫度，促進陶瓷材料的致密化，可以利用熱壓燒結制備氮化鋁陶瓷。我們口中所說的熱壓燒結,其實就是在一定壓力下燒結陶瓷，可以使加熱燒結和加壓成型同時進行。在高溫下坯體持續受到壓力作用，粉末原料處于熱塑性狀態，有利物質的流動和擴散，并且外加壓力抵消了形變阻力促進了粉末顆粒之間的接觸。熱壓燒結陶瓷晶體內容易產生晶格畸變，由于熱壓燒結較常壓燒結燒結溫度低,但是它的保溫時間是比較短的，所以晶顆較細小。由于熱壓燒結所制備的氮化鋁陶瓷致密化程度高，氣孔率小，很多學者都對氮化鋁的熱壓燒結進行了研究。加工定制氮化鋁陶瓷基板。濟南醫用行業氮化鋁陶瓷棒 氮化鋁在熱界面材料（TI...

用氮化鋁陶瓷做成的陶瓷基板有以下應用價值：一，是高導熱氮化鋁陶瓷基片的主要原料。二，因其熱導率高，膨脹系數低，強度高，耐高溫，耐化學腐蝕，電阻率高，介電損耗小是大規模集成電路散熱和封裝的主要材料。三，高頻陶瓷pcb電壓件，大規模超大集成電路基片四，高頻通訊行業高電壓，低熱膨脹系數、低介電損耗的可靠材料。以上就是氮化鋁陶瓷基板材料的介紹以及氮化鋁陶瓷基板的應用價值，氮化鋁陶瓷基板在很多領域散熱的作用是其他基材所不能替代的。精密加工工業氮化鋁陶瓷異形件。上海耐磨損氮化鋁陶瓷塊 放電離子燒結是一種新型的快速燒結技術的方法，融合等離子活化,熱壓,電阻加熱等技術,具有燒結速度...

氮化鋁陶瓷是一種以氮化鋁(AIN)為主晶相的陶瓷材料，再在氮化鋁陶瓷基片上面蝕刻金屬電路，就是氮化鋁陶瓷基板了。 1、氮化鋁陶瓷英文：AluminiumNitrideCeramic，是以氮化鋁(AIN)為主晶相的陶瓷。2、AIN晶體以（AIN4）四面體為結構單元共價鍵化合物，具有纖鋅礦型結構，屬六方晶系。3、化學組成AI65.81%，N34.19%，比重3.261g/cm3，白色或灰白色，單晶無色透明，常壓下的升華分解溫度為2450℃。4、氮化鋁陶瓷為一種高溫耐熱材料，熱膨脹系數（4.0-6.0）X10（-6）/℃。5、多晶AIN熱導率達260W/(m.k)，比氧...

氮化鋁陶瓷是一種高技術新型陶瓷。氮化鋁陶瓷基片具有極高的熱導率，無毒、耐腐蝕、耐高溫，熱化學穩定性好等特點,是大規模集成電路，半導體模塊電路和大功率器件的理想封裝材料、散熱材料、電路元件及互連線承載體。也是提高高分子材料熱導率和力學性能的比較好添加料，氮化鋁陶瓷還可用作熔煉有色金屬和半導體材料砷化鎵的坩堝、熱電偶的保護管、高溫絕緣件、微波介電材料、耐高溫、耐腐蝕結構陶瓷及透明氮化鋁微波陶瓷制品，用作高導熱陶瓷生產原料及樹脂填料等。氮化鋁是電絕緣體，介電性能良好。砷化鎵表面的氮化鋁涂層，能保護它在退火時免受離子的注入。高質量氮化鋁陶瓷零件廠家--鑫鼎精密陶瓷。上海高精度氮化鋁陶瓷盤 ...

氮化鋁結構陶瓷還可以用于制造化學反應器、高溫爐具、磨料等。在化學反應器中，氮化鋁結構陶瓷可以用于制造高溫、高壓的反應器，如氮化鋁還原反應器、氫氧化鋁反應器等。在高溫爐具中，氮化鋁結構陶瓷可以用于制造高溫爐具的內襯、加熱元件等。在磨料中，氮化鋁結構陶瓷可以用于制造高硬度、高耐磨的磨料，如砂輪、砂帶等。 氮化鋁結構陶瓷是一種高性能陶瓷材料，具有很大的應用前景。隨著科技不斷發展，氮化鋁結構陶瓷的應用領域將會越來越廣。 絕緣耐磨耐高溫氮化鋁隔熱塊。肇慶醫用行業氮化鋁陶瓷管 氮化鋁分子式為Si3N4,屬于共價鍵結合的化合物，氮化鋁陶瓷屬多晶材料，晶體結構屬六方晶系，...

氮化鋁陶瓷AIN晶體以〔AIN4〕四面體為結構單元共價鍵化合物，具有纖鋅礦型結構，屬六方晶系。化學組成 AI 65.81%，N 34.19%，比重3.261g/cm3，白色或灰白色，單晶無色透明，常壓下的升華分解溫度為2450℃。為一種高溫耐熱材料。熱膨脹系數（4.0-6.0）X10-6/℃。多晶AIN熱導率達260W/(m.k)，比氧化鋁高5-8倍，所以耐熱沖擊好，能耐2200℃的極熱。此外，氮化鋁具有不受鋁液和其它熔融金屬及砷化鎵侵蝕的特性，特別是對熔融鋁液具有極好的耐侵蝕性。找實力氮化鋁陶瓷異型件廠家？推薦鑫鼎陶瓷。北京硬度高隔熱氮化鋁陶瓷滾輪 由于具有優良的...

氮化鋁陶瓷是一種以氮化鋁(AIN)為主晶相的陶瓷材料，再在氮化鋁陶瓷基片上面蝕刻金屬電路，就是氮化鋁陶瓷基板了。 1、氮化鋁陶瓷英文：AluminiumNitrideCeramic，是以氮化鋁(AIN)為主晶相的陶瓷。2、AIN晶體以（AIN4）四面體為結構單元共價鍵化合物，具有纖鋅礦型結構，屬六方晶系。3、化學組成AI65.81%，N34.19%，比重3.261g/cm3，白色或灰白色，單晶無色透明，常壓下的升華分解溫度為2450℃。4、氮化鋁陶瓷為一種高溫耐熱材料，熱膨脹系數（4.0-6.0）X10（-6）/℃。5、多晶AIN熱導率達260W/(m.k)，比氧...

氮化鋁陶瓷具有優良的熱、電、力學性能，所以它的應用范圍比較廣。可以制成氮化鋁陶瓷基片，熱導率高，膨脹系數低，強度高，耐高溫，耐化學腐蝕，電阻率高，介電耗損小，是理想的大規模集成電路散熱基板和封裝材料。氮化鋁陶瓷硬度高，超過氧化鋁陶瓷，也可用于磨損嚴重的部位。利用氮化鋁陶瓷耐熱耐熔體侵蝕和熱震性，可制作GaAs晶體坩堝、Al蒸發皿、磁流體發電裝置及高溫透平機耐蝕部件，利用其光學性能可作紅外線窗口。氮化鋁薄膜可制成高頻壓電元件、超大規模集成電路基片等。氮化鋁耐熱、耐熔融金屬的侵蝕，對酸穩定，但在堿性溶液中易被侵蝕。氮化鋁新生表面暴露在濕空氣中會反應生成極薄的氧化膜。利用此特性，可用作鋁、...

氮化鋁陶瓷晶體是GaN、AlGaN以及AlN外延材料的理想襯底.與藍寶石或SiC襯底相比, 氮化鋁與GaN熱匹配和化學兼容性更高、襯底與外延層之間的應力更小.因此, 氮化鋁陶瓷晶體作為GaN外延襯底時可大幅度降低器件中的缺陷密度,提高器件的性能,在制備高溫、高頻、高功率電子器件方面有很好的應用前景.另外,用氮化鋁陶瓷晶體做高鋁組份的AlGaN外延材料襯底還可以有效降低氮化物外延層中的缺陷密度,極大地提高氮化物半導體器件的性能和使用壽命.基于AlGaN的高質量日盲探測器已經獲得成功應用.氮化鋁可應用于結構陶瓷的燒結,制備出來的氮化鋁陶瓷,不僅機械性能好,抗折強度高于Al2O3和BeO陶瓷,...

AIN(氮化鋁）薄膜性能的特殊性和優異性決定了其在多方面的應用。氮化鋁薄膜陶瓷基板已經被應用作為電子器件和集成電路的封裝中隔離介質和絕緣材料；作為工程LED中為矚目的藍光、紫外發光材料，被人們大量的研究；AlN薄膜還是一種很好的熱釋電材料；用于氮化鋁與碳化硅等材料外延生長的過渡層，SOI材料的絕緣埋層以及GHz級聲表面波器件壓電薄膜則是AlN薄膜今后具有競爭力的應用方向。氮化鋁薄膜陶瓷電路基板在實用案例如聲表面波器件（SAW）用壓電薄膜、高效紫外固體光原材料、場發射顯示器和微真空管、作為刀具涂層、另外，AlN薄膜在光學膜、及散熱裝置中都有很好的應用前景。AlN薄膜也可用于制作壓電材料、...

氮化鋁陶瓷可用于制造能夠在高溫或者存在一定輻射的場景下使用的高頻大功率器件， 如高功率電子器件、高密度固態存儲器等。作為第三代半導體材料之一的氮化鋁，具 有寬帶隙、高熱導率、高電阻率、良好的紫外透過率、高擊穿場強等優良性能。氮化鋁的禁帶寬度為 6.2 eV，極化作用較強，在機械、微電子、光學以及聲表面波 器件(SAW)制造、高頻寬帶通信等領域都有應用，如氮化鋁壓電陶瓷及薄膜等。另外， 高純度的 氮化鋁陶瓷是透明的，具有優良的光學性能，再結合其電學性能，可制作紅外 導流罩、傳感器等功能器件。找專業加工氮化鋁陶瓷零件。南昌耐高溫氮化鋁陶瓷滾輪 氮化鋁陶瓷是一種高性能陶瓷材料，...

氮化鋁陶瓷耐磨管綜合性能較好，既有足夠的強度，又有極好的塑性同時硬度也不高，這也是它們被很好采用的原因之一。耐磨管同絕大多數的其它金屬相似，氮化鋁陶瓷耐磨管抗拉強度、屈服強度和硬度，隨著溫度的降低而提高:氮化鋁陶瓷耐磨管塑性則隨著溫度降低而減小。其抗拉強度在溫度15-80℃范圍內增大較快，溫度進一步降低時則變化緩慢，而屈服強度的增長是較為均勻的。更重要的是隨著氮化鋁陶瓷耐磨管溫度的降低，其沖擊韌度減少緩慢，并不存在脆性轉變溫度。所以18一8型不氮化鋁陶瓷耐磨管在低溫時能保持足夠的塑性和韌性，如在溫度一196℃時，沖擊吸收功可達392J;甚至在液氦溫度(一2700C)下具有阻止應力集中部位發生脆...

用氮化鋁陶瓷做成的零件具有以下用途： 1.在冶金工業上制作坩堝，馬弗爐爐膛，燃燒嘴，發熱體夾具，鑄模，鋁業導管，熱電偶保護套管，鋁電解槽襯里等熱工設備上的部件。 2.在機械制作工業制作高速車刀，軸承，金屬部件熱處理的支承件，轉子發動機刮片，燃氣輪機的導向葉片和渦輪葉片。 3.在化學工業上用作球閥，泵體，密封環，過濾器，熱交換器部件以及固定化觸媒載體，燃燒舟，蒸發皿。 4.在半導體、航空、原子能等工業用于制造開關電路基片，薄膜電容器，承高溫或溫度巨變的電絕緣體，雷達電線罩，導彈尾噴管，原子反應堆中的支承件和隔離件，核裂變物質的載體...

氮化鋁陶瓷具有高的熱導率、低的相對介電常數、耐高溫.耐腐蝕.無毒.良好的力學性能以及與硅相匹配的熱膨脹系數等一系列優良性能,在許多高技術領域的應用越來越普通,這其中很多情況下要求氮化鋁為異形件和微型件,但是傳統的模壓和等靜壓工藝無法制備出復雜形狀的陶瓷零部件,加上氮化鋁陶瓷材料所固有的韌性低、脆性大、難于加工的缺點,,使得用傳統機械加工的方法很難制備出復雜形狀的氮化鋁陶瓷零部件.為了充分發揮氮化鋁的性能優勢,拓寬它的應用范圍,解決好氮化鋁陶瓷的復雜形狀成形技術問題是其中非常關鍵的一環.找生產氮化鋁陶瓷零件實力廠家----推薦鑫鼎。氮化鋁陶瓷桿 由于具有優良的熱、電、力學...

氮化鋁陶瓷基板是目前市面上需求較大的陶瓷基板之一.氮化鋁陶瓷基板導熱可以去掉190W甚至更高。 半導體方面集成電路、消費電子、通信系統、光伏發電、照明應用、大功率電源轉換等領域都需要較好的散熱功能，普通FR4玻纖板導熱很低，容易導致線路板短路等問題。氮化鋁陶瓷基板較好導熱性能和電器性能能解決應用產品出現散熱不足的問題。 隨著通訊領域迭代升級步伐不斷加速，4G進入后周期，5G將助氮化鋁陶瓷基板行業進一步發展繁榮陶瓷基板市場。5G通訊射頻領域前端主要包括天線振子、高頻5G氮化鋁陶瓷基板、濾波器和PA(功率放大器)等重要部件 精密加工機械氮化鋁陶瓷零件。東莞...

氮化鋁陶瓷AIN晶體以〔AIN4〕四面體為結構單元共價鍵化合物，具有纖鋅礦型結構，屬六方晶系。化學組成 AI 65.81%，N 34.19%，比重3.261g/cm3，白色或灰白色，單晶無色透明，常壓下的升華分解溫度為2450℃。為一種高溫耐熱材料。熱膨脹系數（4.0-6.0）X10-6/℃。多晶AIN熱導率達260W/(m.k)，比氧化鋁高5-8倍，所以耐熱沖擊好，能耐2200℃的極熱。此外，氮化鋁具有不受鋁液和其它熔融金屬及砷化鎵侵蝕的特性，特別是對熔融鋁液具有極好的耐侵蝕性。絕緣耐腐氮化鋁陶瓷件廠家---鑫鼎陶瓷。上海硬度高隔熱氮化鋁陶瓷環 為了降低氮化鋁陶瓷的燒結...

氮化鋁陶瓷AIN晶體以〔AIN4〕四面體為結構單元共價鍵化合物，具有纖鋅礦型結構，屬六方晶系。化學組成 AI 65.81%，N 34.19%，比重3.261g/cm3，白色或灰白色，單晶無色透明，常壓下的升華分解溫度為2450℃。為一種高溫耐熱材料。熱膨脹系數（4.0-6.0）X10-6/℃。多晶AIN熱導率達260W/(m.k)，比氧化鋁高5-8倍，所以耐熱沖擊好，能耐2200℃的極熱。此外，氮化鋁具有不受鋁液和其它熔融金屬及砷化鎵侵蝕的特性，特別是對熔融鋁液具有極好的耐侵蝕性。精密加工機械氮化鋁陶瓷零件。肇慶耐磨損氮化鋁陶瓷塊 氮化鋁陶瓷具有優良的熱、電、力學性能，所...

氮化鋁陶瓷摩擦系數較小，在高溫高速的條件下，摩擦系數提高幅度也較小，因此能保證機構的正常運行，這是它一個突出的優點，氮化鋁陶瓷開始對磨時滑動摩擦系數達到1.0至1.5，經精密磨合后，摩擦系數就會大幅下降，保持在0.5以下，所以氮化鋁陶瓷被認為是具有自潤滑性的材料。這種自潤滑性產生的主要原因，不同于石墨，氮化硼，滑石等在于材料組織的鱗片層狀結構。它是在壓力作用下，摩擦表面微量分解形成薄薄得氣膜，從而使摩擦面之間的滑動阻力減少，摩擦面得光潔度增加。這樣越摩擦，阻力越小，磨損量也特別小，而大多數材料在不斷摩擦后，因表面磨損或溫度升高軟化，摩擦系數往往逐漸增大。氮化鋁陶瓷廠家哪家好？推薦鑫...

氮化鋁(AlN)陶瓷是一種綜合性能優良的新型陶瓷材料,具有優良的熱傳導性,可靠的申絕緣性,低的介電常數和介電損耗.無毒以及與硅相匹配的熱膨脹系教等一系列優良特性.被認為是新-代高集程度半導體基片和電子器件封裝的理想材料，受到了國內外研究者的高度重視.理論上,氮化鋁的熱導率為320W/(m)工業上實際制備的多晶氮化鋁的熱導率也可達100~250 W/(m).該數值是傳統基片材料氧化鋁熱導離的5倍~10倍,接近于氧化鈹的熱導率,但由于氧化鈹有劇毒,在工業生產中逐漸被停止使用.與其它幾種陶瓷材料相比較,氮化鋁陶瓷綜合性能優良,非常適用于半導體基片和結構封裝材料,在電子工業中的應用潛力非常...

氮化鋁(AlN)陶瓷是一種綜合性能優良的新型陶瓷材料,具有優良的熱傳導性,可靠的申絕緣性,低的介電常數和介電損耗.無毒以及與硅相匹配的熱膨脹系教等一系列優良特性.被認為是新-代高集程度半導體基片和電子器件封裝的理想材料，受到了國內外研究者的高度重視.理論上,氮化鋁的熱導率為320W/(m)工業上實際制備的多晶氮化鋁的熱導率也可達100~250 W/(m).該數值是傳統基片材料氧化鋁熱導離的5倍~10倍,接近于氧化鈹的熱導率,但由于氧化鈹有劇毒,在工業生產中逐漸被停止使用.與其它幾種陶瓷材料相比較,氮化鋁陶瓷綜合性能優良,非常適用于半導體基片和結構封裝材料,在電子工業中的應用潛力非常...

氮化鋁陶瓷是一種高技術新型陶瓷。氮化鋁陶瓷基片具有極高的熱導率，無毒、耐腐蝕、耐高溫，熱化學穩定性好等特點,是大規模集成電路，半導體模塊電路和大功率器件的理想封裝材料、散熱材料、電路元件及互連線承載體。也是提高高分子材料熱導率和力學性能的比較好添加料，氮化鋁陶瓷還可用作熔煉有色金屬和半導體材料砷化鎵的坩堝、熱電偶的保護管、高溫絕緣件、微波介電材料、耐高溫、耐腐蝕結構陶瓷及透明氮化鋁微波陶瓷制品，用作高導熱陶瓷生產原料及樹脂填料等。氮化鋁是電絕緣體，介電性能良好。砷化鎵表面的氮化鋁涂層，能保護它在退火時免受離子的注入。絕緣耐腐氮化鋁陶瓷件廠家---鑫鼎陶瓷。成都耐磨損氮化鋁陶瓷加工工藝 ...