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即信號幅度沒有大到讓限幅電路動作的程度，這時限幅電路不工作。2）信號幅度比較大時的電路工作狀態，即信號幅度大到讓限幅度電路動作的程度，這時限幅電路工作，將信號幅度進行限制。用畫出信號波形的方法分析電路工作原理有時相當管用，用于分析限幅電路尤其有效，如圖9-45所示是電路中集成電路A1的①腳上信號波形示意圖。圖9-45集成電路A1的①腳上信號波形示意圖圖中，U1是集成電路A1的①腳輸出信號中的直流電壓，①腳輸出信號中的交流電壓是“騎”在這一直流電壓上的。U2是限幅電壓值。結合上述信號波形來分析這個二極管限幅電路，當集成電路A1的①腳輸出信號中的交流電壓比較小時，交流信號的正半周加上直流輸出電壓U...

把交流電變成脈動直流電。整流二極管漏電流較大,多數采用面接觸性料封裝的二極管。整流二極管的外形如圖1所示，另外，整流二極管的參數除前面介紹的幾個外，還有大整流電流，是指整流二極管長時間的工作所允許通過的大電流值。它是整流二極管的主要參數，是選項用整流二極管的主要依據。二極管特性曲線整流二極管常用參數編輯（1）大平均整流電流IF：指二極管長期工作時允許通過的大正向平均電流。該電流由PN結的結面積和散熱條件決定。使用時應注意通過二極管的平均電流不能大于此值，并要滿足散熱條件。例如1N4000系列二極管的IF為1A。（2）高反向工作電壓VR：指二極管兩端允許施加的大反向電壓。若大于此值，則反向電流(...

此外，單個溝槽可以被提供有例如至少在一側上的晶體管。此外，在所描述的實施例中，晶體管的n和p傳導類型、n和p溝道類型以及二極管的陰極和陽極可以同時反轉。上文已描述了具有各種變型的各種實施例。應當注意，本領域技術人員可以將這些各種實施例和變型的各種元件進行組合。后，基于上文給出的功能指示，所描述的實施例的實際實現在本領域技術人員的能力范圍內。根據以上詳細描述，可以對實施例進行這些和其他改變。通常，在所附權利要求中，所使用的術語不應被解釋為將權利要求限制于說明書和權利要求中公開的特定實施例，而是應被解釋為包括權利要求所要求保護的所有可能的實施例以及這樣的等同物的全部范圍。因此，權利要求不受本公開的...

所述第二垂直晶體管包括：電耦合到所述陽極的第二源極區域、垂直延伸到所述襯底中并且電耦合到所述陽極的第二柵極、電耦合到所述陰極的第二漏極區域、位于所述第二源極區域和所述第二漏極區域之間的第二溝道區域、以及在所述襯底中延伸并且位于所述第二柵極和所述第二溝道區域之間的第二柵極電介質。在一些實施例中，所述二極管包括：傳導層，覆蓋所述襯底以及所述一垂直晶體管和所述第二垂直晶體管；以及接觸區域，形成在所述襯底中并且將所述一溝道區域和所述第二溝道區域電連接到所述傳導層。因此，一個實施例提供了一種結構，該結構在襯底的溝槽中包括：一傳導區域，其與襯底分離一距離，一距離短于約10nm；以及第二傳導區域，其比一區域...

晶體二極管為一個由p型半導體和n型半導體形成的p-n結，在其界面處兩側形成空間電荷層，并建有自建電場。當不存在外加電壓時，由于p-n結兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態。當外界有正向電壓偏置時，外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流。當外界有反向電壓偏置時，外界電場和自建電場進一步加強，形成在一定反向電壓范圍內與反向偏置電壓值無關的反向飽和電流I0。中文名二級管外文名diode目錄1二極管簡介2二極管特性3二極管的原理4反向擊穿5應用6類型7發光二極管二極管原理二極管簡介編輯二極管內部構造二極管的英文是diode。二極管的正...

所以交流信號正半周超出部分被去掉（限制），其超出部分信號其實降在了集成電路A1的①腳內電路中的電阻上（圖中未畫出）。當集成電路A1的①腳直流和交流輸出信號的幅度小于，這一電壓又不能使3只二極管導通，這樣3只二極管再度從導通轉入截止狀態，對信號沒有限幅作用。3．電路分析細節說明對于這一電路的具體分析細節說明如下。1）集成電路A1的①腳輸出的負半周大幅度信號不會造成VT1過電流，因為負半周信號只會使NPN型三極管的基極電壓下降，基極電流減小，所以無須加入對于負半周的限幅電路。2）上面介紹的是單向限幅電路，這種限幅電路只能對信號的正半周或負半周大信號部分進行限幅，對另一半周信號不限幅。另一種是雙向限...

所以依據這一點可以確定這一電路是為了穩定電路中A點的直流工作電壓。3）電路中有多只元器件時，一定要設法搞清楚實現電路功能的主要元器件，然后圍繞它進行展開分析。分析中運用該元器件主要特性，進行合理解釋。二極管溫度補償電路及故障處理眾所周知，PN結導通后有一個約為（指硅材料PN結）的壓降，同時PN結還有一個與溫度相關的特性：PN結導通后的壓降基本不變，但不是不變，PN結兩端的壓降隨溫度升高而略有下降，溫度愈高其下降的量愈多，當然PN結兩端電壓下降量的值對于，利用這一特性可以構成溫度補償電路。如圖9-42所示是利用二極管溫度特性構成的溫度補償電路。圖9-42二極管溫度補償電路對于初學者來講，看不懂電...

二極管普遍的功能就是只允許電流由單一方向通過（稱為順向偏壓），反向時阻斷（稱為逆向偏壓）。因此，二極管可以想成電子版的逆止閥。然而實際上二極管并不會表現出如此完美的開與關的方向性，而是較為復雜的非線性電子特征——這是由特定類型的二極管技術決定的。二極管使用上除了用做開關的方式之外還有很多其他的功能。早期的二極管包含“貓須晶體（"CatsWhisker"Crystals）”以及真空管(英國稱為“熱游離閥（ThermionicValves）”)?，F今普遍的二極管大多是使用半導體材料如硅或鍺。1、正向性外加正向電壓時，在正向特性的起始部分，正向電壓很小，不足以克服PN結內電場的阻擋作用，正向電流幾乎...

100mA,10nS,2PF,225ma,2CK105硅開關二極管35V,100mA,4nS,2PF,225ma,2CK106硅開關二極管75V,100mA,4nS,2PF,100ma,2CK107硅開關二極管90V,130mA,300mW,4nS,2PF,400ma,2CK108硅開關二極管70V,100mA,300mW,,2CK109硅開關二極管35V,100mA,300mW,,2CK110硅開關二極管90V,150mA,250mW,3nS,3PF,450ma,2CK111硅開關二極管55V,100mA,300mW,,2CK150硅開關二極管15V,Ir≤25nA,Vf≤,≤2PF,2CK...

半導體制成的二極管有什么作用1、整流二極管利用二極管單向導電性，可以把方向交替變化的交流電變換成單一方向的脈動直流電。2、開關元件二極管在正向電壓作用下電阻很小，處于導通狀態，相當于一只接通的開關；在反向電壓作用下，電阻很大，處于截止狀態，如同一只斷開的開關。利用二極管的開關特性，可以組成各種邏輯電路。3、限幅元件二極管正向導通后，它的正向壓降基本保持不變（硅管為，鍺管為）。利用這一特性，在電路中作為限幅元件，可以把信號幅度限制在一定范圍內。4、繼流二極管在開關電源的電感中和繼電器等感性負載中起繼流作用。5、檢波二極管在收音機中起檢波作用。6、變容二極管使用于電視機的高頻頭中。7、顯示元件用于...

二極管穩壓管穩壓管是一種特殊的面接觸型半導體硅二極管，具有穩定電壓穩壓管的作用。穩壓管與普通二極管的主要區別在于，穩壓管是工作在PN結的反向擊穿狀態。通過在制造過程中的工藝措施和使用時限制反向電流的大小，能保證穩壓管在反向擊穿狀態下不會因過熱而損壞。[4]穩壓管與一般二極管不一樣，它的反向擊穿是可逆的，只要不超過穩壓管電流的允許值，PN結就不會過熱損壞，當外加反向電壓去除后，穩壓管恢復原性能，所以穩壓管具有良好的重復擊穿特性。[4]二極管光電二極管光電二極管又稱光敏二極管。它的管殼上備有一個玻璃窗口，光電二極管以便于接受光照。其特點是，當光線照射于它的PN結時，可以成對地產生自由電子和空穴，使...

一個實施例提供了包括一個或多個以上限定的結構的二極管。根據一個實施例，該二極管由一個或多個晶體管限定，晶體管具有在兩個溝槽之間延伸的至少一個溝道區域，一區域限定晶體管柵極。根據一個實施例，該二極管包括將溝道區域電連接到傳導層的接觸區域。根據一個實施例，一區域是半導體區域，溝道區域和一區域摻雜有相反的導電類型。根據一個實施例，該二極管包括漏極區域，漏極區域在兩個溝槽之間的溝道區域下方延伸，并且推薦地在溝槽下方延伸。根據一個實施例，漏極區域比溝道區域更少地被重摻雜。根據本公開的實施例，已知二極管結構的全部或部分的缺點被克服，并且正向電壓降和/或漏電流得到改善。附圖說明參考附圖，在下面以說明而非限制...

穩壓源，放大器以及電子儀器的保護電路等瞬態電壓抑制二極管又稱瞬變電壓抑制二極管，雙向擊穿二極管，簡稱TVS。瞬態抑制二極管不會被擊穿，它能夠在電壓極高時降低電阻，使電流分流或控制其流向，從而保護電路元件在瞬間電壓過高的情況下不被燒毀。雙向觸發二極管又稱二端交流器件DIAC或雙向二極管。常用來出發雙向晶閘管，還可構成過壓保護電路等。變阻二極管變阻二極管是利用PN結之間等效電阻可變的原理制成的，主要應用于10-1000MHz高頻電路或開關電源等電路，做可調衰減器，起限幅，保護等作用。隧道二極管又稱江崎二極管，它是以隧道效應電流為主要電流分量的二極管，結構簡單，變化速度快，功耗小。在高速脈沖計數中有...

半導體二極管：半導體二極管是指利用半導體特性的兩端電子器件。常見的半導體二極管是PN結型二極管和金屬半導體接觸二極管。它們的共同特點是伏安特性的不對稱性，即電流沿其一個方向呈現良好的導電性，而在相反方向呈現高阻特性。可用作為整流、檢波、穩壓、恒流、變容、開關、發光及光電轉換等。利用高摻雜PN結中載流子的隧道效應可制成超高頻放大或超高速開關的隧道二極管。正向特性即二極管正向偏置時的電壓與電流的關系。二極管兩端加正向電壓較小時，正向電壓產生的外電場不足以使多子形成擴散運動，這時的二極管實際上還沒有很好地導通，通常稱為"死區"，二極管相當于一個極大的電阻，正向電流很小。當正向電壓超過一定值后，內電場...

對于常用的硅二極管而言導通后正極與負極之間的電壓降為。根據二極管的這一特性，可以很方便地分析由普通二極管構成的簡易直流穩壓電路工作原理。3只二極管導通之后，每只二極管的管壓降是，那么3只串聯之后的直流電壓降是×3=。3．故障檢測方法檢測這一電路中的3只二極管為有效的方法是測量二極管上的直流電壓，如圖9-41所示是測量時接線示意圖。如果測量直流電壓結果是，說明3只二極管工作正常；如果測量直流電壓結果是0V，要測量直流工作電壓+V是否正常和電阻R1是否開路，與3只二極管無關，因為3只二極管同時擊穿的可能性較??；如果測量直流電壓結果大于，檢查3只二極管中有一只開路故障。圖9-41測量二極管上直流電壓...

把交流電變成脈動直流電。整流二極管漏電流較大,多數采用面接觸性料封裝的二極管。整流二極管的外形如圖1所示，另外，整流二極管的參數除前面介紹的幾個外，還有大整流電流，是指整流二極管長時間的工作所允許通過的大電流值。它是整流二極管的主要參數，是選項用整流二極管的主要依據。二極管特性曲線整流二極管常用參數編輯（1）大平均整流電流IF：指二極管長期工作時允許通過的大正向平均電流。該電流由PN結的結面積和散熱條件決定。使用時應注意通過二極管的平均電流不能大于此值，并要滿足散熱條件。例如1N4000系列二極管的IF為1A。（2）高反向工作電壓VR：指二極管兩端允許施加的大反向電壓。若大于此值，則反向電流(...

正向導電，反向不導電）晶體二極管是一個由p型半導體和n型半導體形成的p-n結，在其界面處兩側形成了空間電荷層，并且建有自建電場，當不存在外加電壓時，因為p-n結兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態。當產生正向電壓偏置時，外界電場與自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流（也就是導電的原因）。當產生反向電壓偏置時，外界電場與自建電場進一步加強，形成在一定反向電壓范圍中與反向偏置電壓值無關的反向飽和電流I0（這也就是不導電的原因）。當外加的反向電壓高到一定程度時，p-n結空間電荷層中的電場強度達到臨界值產生載流子的倍增過程，產生大量電子空穴對...

為了實現這一點，作為示例，傳導層40覆蓋襯底20和溝槽22。層40例如由鋁、鋁-銅或鋁-硅-銅制成。層40可以布置在傳導界面層42上。區域302在溝槽中從層40或可能的界面層42延伸。層42例如旨在便于在層40和區域302、204、210以及可能的區域306之間形成電接觸件(下面的圖2a至圖2f的方法)。層42可以由硅化物制成或者可以是例如由鈦制成的金屬層。層42可以備選地包括硅化物層和金屬層，金屬層覆蓋硅化物層并且例如由鈦制成。硅化物因此形成電接觸件，而金屬層提供對層40的粘附。層42可以至少部分地通過自對準硅化工藝來獲得，并且硅化物然后是不連續的并且不覆蓋層304的上部部分。層42的厚度推...

正向導電，反向不導電）晶體二極管是一個由p型半導體和n型半導體形成的p-n結，在其界面處兩側形成了空間電荷層，并且建有自建電場，當不存在外加電壓時，因為p-n結兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態。當產生正向電壓偏置時，外界電場與自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流（也就是導電的原因）。當產生反向電壓偏置時，外界電場與自建電場進一步加強，形成在一定反向電壓范圍中與反向偏置電壓值無關的反向飽和電流I0（這也就是不導電的原因）。當外加的反向電壓高到一定程度時，p-n結空間電荷層中的電場強度達到臨界值產生載流子的倍增過程，產生大量電子空穴對...

一個實施例提供了包括一個或多個以上限定的結構的二極管。根據一個實施例，該二極管由一個或多個晶體管限定，晶體管具有在兩個溝槽之間延伸的至少一個溝道區域，一區域限定晶體管柵極。根據一個實施例，該二極管包括將溝道區域電連接到傳導層的接觸區域。根據一個實施例，一區域是半導體區域，溝道區域和一區域摻雜有相反的導電類型。根據一個實施例，該二極管包括漏極區域，漏極區域在兩個溝槽之間的溝道區域下方延伸，并且推薦地在溝槽下方延伸。根據一個實施例，漏極區域比溝道區域更少地被重摻雜。根據本公開的實施例，已知二極管結構的全部或部分的缺點被克服，并且正向電壓降和/或漏電流得到改善。附圖說明參考附圖，在下面以說明而非限制...

即信號幅度沒有大到讓限幅電路動作的程度，這時限幅電路不工作。2）信號幅度比較大時的電路工作狀態，即信號幅度大到讓限幅度電路動作的程度，這時限幅電路工作，將信號幅度進行限制。用畫出信號波形的方法分析電路工作原理有時相當管用，用于分析限幅電路尤其有效，如圖9-45所示是電路中集成電路A1的①腳上信號波形示意圖。圖9-45集成電路A1的①腳上信號波形示意圖圖中，U1是集成電路A1的①腳輸出信號中的直流電壓，①腳輸出信號中的交流電壓是“騎”在這一直流電壓上的。U2是限幅電壓值。結合上述信號波形來分析這個二極管限幅電路，當集成電路A1的①腳輸出信號中的交流電壓比較小時，交流信號的正半周加上直流輸出電壓U...

此外，單個溝槽可以被提供有例如至少在一側上的晶體管。此外，在所描述的實施例中，晶體管的n和p傳導類型、n和p溝道類型以及二極管的陰極和陽極可以同時反轉。上文已描述了具有各種變型的各種實施例。應當注意，本領域技術人員可以將這些各種實施例和變型的各種元件進行組合。后，基于上文給出的功能指示，所描述的實施例的實際實現在本領域技術人員的能力范圍內。根據以上詳細描述，可以對實施例進行這些和其他改變。通常，在所附權利要求中，所使用的術語不應被解釋為將權利要求限制于說明書和權利要求中公開的特定實施例，而是應被解釋為包括權利要求所要求保護的所有可能的實施例以及這樣的等同物的全部范圍。因此，權利要求不受本公開的...

所謂限幅電路就是限制電路中某一點的信號幅度大小，讓信號幅度大到一定程度時，不讓信號的幅度再增大，當信號的幅度沒有達到限制的幅度時，限幅電路不工作，具有這種功能的電路稱為限幅電路，利用二極管來完成這一功能的電路稱為二極管限幅電路。如圖9-44所示是二極管限幅電路。在電路中，A1是集成電路（一種常用元器件），VT1和VT2是三極管（一種常用元器件），R1和R2是電阻器，VD1～VD6是二極管。圖9-44二極管限幅電路1．電路分析思路說明對電路中VD1和VD2作用分析的思路主要說明下列幾點：1）從電路中可以看出，VD1、VD2、VD3和VD4、VD5、VD6兩組二極管的電路結構一樣，這兩組二極管在這...

由此形成在腔502的壁上的熱氧化物層304可以在襯底和區域306的上表面上連續。在圖2e的步驟中，腔502被填充，例如直到襯底的上部水平或者直到接近襯底的上部水平的水平。為此目的，例如執行摻雜多晶硅的共形沉積。然后將多晶硅向下蝕刻至期望水平。因此在區域306的任一側上獲得兩個區域302。在圖2f的步驟中，去除位于襯底以及區域302和306的上表面上的可能元件，諸如層304的可接近部分。然后形成可能的層42和層40。通過圖2a至圖2f的方法獲得的結構30的變型與圖1的結構30的不同之處在于，區域306與區域302分離并且一直延伸到層40或可能的層42，并且該變型包括在區域306的任一側上的兩個區...

一個實施例提供了包括一個或多個以上限定的結構的二極管。根據一個實施例，該二極管由一個或多個晶體管限定，晶體管具有在兩個溝槽之間延伸的至少一個溝道區域，一區域限定晶體管柵極。根據一個實施例，該二極管包括將溝道區域電連接到傳導層的接觸區域。根據一個實施例，一區域是半導體區域，溝道區域和一區域摻雜有相反的導電類型。根據一個實施例，該二極管包括漏極區域，漏極區域在兩個溝槽之間的溝道區域下方延伸，并且推薦地在溝槽下方延伸。根據一個實施例，漏極區域比溝道區域更少地被重摻雜。根據本公開的實施例，已知二極管結構的全部或部分的缺點被克服，并且正向電壓降和/或漏電流得到改善。附圖說明參考附圖，在下面以說明而非限制...

即信號幅度沒有大到讓限幅電路動作的程度，這時限幅電路不工作。2）信號幅度比較大時的電路工作狀態，即信號幅度大到讓限幅度電路動作的程度，這時限幅電路工作，將信號幅度進行限制。用畫出信號波形的方法分析電路工作原理有時相當管用，用于分析限幅電路尤其有效，如圖9-45所示是電路中集成電路A1的①腳上信號波形示意圖。圖9-45集成電路A1的①腳上信號波形示意圖圖中，U1是集成電路A1的①腳輸出信號中的直流電壓，①腳輸出信號中的交流電壓是“騎”在這一直流電壓上的。U2是限幅電壓值。結合上述信號波形來分析這個二極管限幅電路，當集成電路A1的①腳輸出信號中的交流電壓比較小時，交流信號的正半周加上直流輸出電壓U...

二極管是用半導體材料(硅、硒、鍺等)制成的一種電子器件[1]。它具有單向導電性能，即給二極管陽極和陰極加上正向電壓時，二極管導通。當給陽極和陰極加上反向電壓時，二極管截止。因此，二極管的導通和截止，則相當于開關的接通與斷開[2]。二極管是早誕生的半導體器件之一，其應用非常廣。特別是在各種電子電路中，利用二極管和電阻、電容、電感等元器件進行合理的連接，構成不同功能的電路，可以實現對交流電整流、對調制信號檢波、限幅和鉗位以及對電源電壓的穩壓等多種功能[3]。無論是在常見的收音機電路還是在其他的家用電器產品或工業控制電路中，都可以找到二極管的蹤跡[3]。中文名二極管外文名Diode特性單向導電性應用...

此外，單個溝槽可以被提供有例如至少在一側上的晶體管。此外，在所描述的實施例中，晶體管的n和p傳導類型、n和p溝道類型以及二極管的陰極和陽極可以同時反轉。上文已描述了具有各種變型的各種實施例。應當注意，本領域技術人員可以將這些各種實施例和變型的各種元件進行組合。后，基于上文給出的功能指示，所描述的實施例的實際實現在本領域技術人員的能力范圍內。根據以上詳細描述，可以對實施例進行這些和其他改變。通常，在所附權利要求中，所使用的術語不應被解釋為將權利要求限制于說明書和權利要求中公開的特定實施例，而是應被解釋為包括權利要求所要求保護的所有可能的實施例以及這樣的等同物的全部范圍。因此，權利要求不受本公開的...

一個實施例提供了包括一個或多個以上限定的結構的二極管。根據一個實施例，該二極管由一個或多個晶體管限定，晶體管具有在兩個溝槽之間延伸的至少一個溝道區域，一區域限定晶體管柵極。根據一個實施例，該二極管包括將溝道區域電連接到傳導層的接觸區域。根據一個實施例，一區域是半導體區域，溝道區域和一區域摻雜有相反的導電類型。根據一個實施例，該二極管包括漏極區域，漏極區域在兩個溝槽之間的溝道區域下方延伸，并且推薦地在溝槽下方延伸。根據一個實施例，漏極區域比溝道區域更少地被重摻雜。根據本公開的實施例，已知二極管結構的全部或部分的缺點被克服，并且正向電壓降和/或漏電流得到改善。附圖說明參考附圖，在下面以說明而非限制...

3）從分流支路電路分析中要明白一點：從級錄音放大器輸出的信號，如果從VD1支路分流得多，那么流入第二級錄音放大器的錄音信號就小，反之則大。4）VD1存在導通與截止兩種情況，在VD1截止時對錄音信號無分流作用，在導通時則對錄音信號進行分流。5）在VD1正極上接有電阻R1，它給VD1一個控制電壓，顯然這個電壓控制著VD1導通或截止。所以，R1送來的電壓是分析VD1導通、截止的關鍵所在。分析這個電路大的困難是在VD1導通后，利用了二極管導通后其正向電阻與導通電流之間的關系特性進行電路分析，即二極管的正向電流愈大，其正向電阻愈小，流過VD1的電流愈大，其正極與負極之間的電阻愈小，反之則大。3．控制電路...