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只能在極短時間內(nèi)承受較大的過載電流，因此要求短路保護(hù)具有快速熔斷的能力快速熔斷器高壓限流熔斷器高壓限流熔斷器適用于交流50HZ，額定電壓，還可與其他電器(如開關(guān)、接觸器等)配合使用，作為電動機(jī)、變壓器、電容器等電力設(shè)備的過載或短路等保護(hù)。常用的型號...

可控硅可控硅簡稱SCR，是一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長等優(yōu)點(diǎn)。在自動控制系統(tǒng)中，可作為大功率驅(qū)動器件，實(shí)現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備。它在交直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)、調(diào)功系統(tǒng)及隨動系統(tǒng)中得到了的應(yīng)用。可控硅分單向可控硅和雙向...

三相晶閘管數(shù)控板直接觸發(fā)六個10000A以內(nèi)的晶閘管元件的設(shè)備，外接脈沖功放板，適應(yīng)多于六個晶閘管元件的各種大型可控整流設(shè)備。具有完善故障、報(bào)警檢測和保護(hù)功能。實(shí)時檢測過流、過壓、反饋丟失、控制板內(nèi)部故障。設(shè)有開機(jī)給定回零、軟啟動、截流、截壓、急停...

一、螺旋式熔斷器有哪些特性？旋式熔斷器的熔斷管內(nèi)裝有石類砂，熔體理于其中，熔體熔斷時，電弧噴向石英砂及其縫隙可迅速降溫而熄滅。為了便于監(jiān)視，斷器一端裝有色點(diǎn)，不同的顏色表不同的體電流，體斷時，色點(diǎn)跳出，示意縮體已斷，其額定電流為5~200A，主要用...

整流橋（D25XB60）內(nèi)部主要是由四個二極管組成的橋路來實(shí)現(xiàn)把輸入的交流電壓轉(zhuǎn)化為輸出的直流電壓。在整流橋的每個工作周期內(nèi)，同一時間只有兩個二極管進(jìn)行工作，通過二極管的單向?qū)üδ埽呀涣麟娹D(zhuǎn)換成單向的直流脈動電壓。對一般常用的小功率整流橋（如：...

而是檢測電源變壓器，因?yàn)閹字徽鞫O管同時出現(xiàn)相同故障的可能性較小。（2）對于某一組整流電路出現(xiàn)故障時，可按前面介紹的故障檢測方法進(jìn)行檢查。這一電路中整流二極管中的二極管VD1和VD3、VD2和VD4是直流電路并聯(lián)的，進(jìn)行在路檢測時會相互影響，所以...

雙向晶閘管的伏安特性見圖3，由于正、反向特性曲線具有對稱性，所以它可在任何一個方向?qū)ā木чl管的內(nèi)部分析工作過程：晶閘管是四層三端器件，它有J1、J2、J3三個PN結(jié)圖一，可以把它中間的NP分成兩部分，構(gòu)成一個PNP型三極管和一個NPN型三極管的...

即信號幅度沒有大到讓限幅電路動作的程度，這時限幅電路不工作。2）信號幅度比較大時的電路工作狀態(tài)，即信號幅度大到讓限幅度電路動作的程度，這時限幅電路工作，將信號幅度進(jìn)行限制。用畫出信號波形的方法分析電路工作原理有時相當(dāng)管用，用于分析限幅電路尤其有效，...

公共柵極單元100與第1發(fā)射極單元101和第二發(fā)射極單元201之間通過刻蝕方式進(jìn)行隔開；第二表面上設(shè)有工作區(qū)域10和電流檢測區(qū)域20的公共集電極單元200；接地區(qū)域30則設(shè)置于第1發(fā)射極單元101內(nèi)的任意位置處；電流檢測區(qū)域20和接地區(qū)域30分別用...

二極管是用半導(dǎo)體材料(硅、硒、鍺等)制成的一種電子器件[1]。它具有單向?qū)щ娦阅埽唇o二極管陽極和陰極加上正向電壓時，二極管導(dǎo)通。當(dāng)給陽極和陰極加上反向電壓時，二極管截止。因此，二極管的導(dǎo)通和截止，則相當(dāng)于開關(guān)的接通與斷開[2]。二極管是早誕生的半...

少數(shù)載流子）對N-區(qū)進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制，減小N-區(qū)的電阻RN，使高耐壓的IGBT也具有很小的通態(tài)壓降。當(dāng)柵射極間不加信號或加反向電壓時，MOSFET內(nèi)的溝道消失，PNP型晶體管的基極電流被切斷，IGBT即關(guān)斷。由此可知，IGBT的驅(qū)動原理與MOSFET基...

所述負(fù)載連接于所述第三電容c3的兩端。具體地，在本實(shí)施例中，所述負(fù)載為led燈串，所述led燈串的正極連接所述高壓供電管腳hv，負(fù)極連接所述第三電容c3與所述一電感l(wèi)1的連接節(jié)點(diǎn)。如圖4所示，所述第二采樣電阻rcs2的一端連接所述合封整流橋的封裝結(jié)...

（1）熔斷器的安秒特性熔斷器的動作是靠熔體的熔斷來實(shí)現(xiàn)的，當(dāng)電流較大時，熔體熔斷所需的時間就較短。而電流較小時，熔體熔斷所需用的時間就較長，甚至不會熔斷。因此對熔體來說，其動作電流和動作時間特性即熔斷器的安秒特性，為反時限特性，如圖所示。每一熔體都...

假設(shè)其PCB板的實(shí)際有效散熱面積為整流橋表面積的2倍，則PCB板與環(huán)境間的傳熱熱阻為:故，通過整流橋引腳這條傳熱途徑的熱阻為:比較上述兩種傳熱途徑的熱阻可知:整流橋通過殼體表面自然對流冷卻進(jìn)行散熱的熱阻()是通過引腳進(jìn)行散熱這種散熱途徑的熱阻()的...

所有人都知道IGBT的標(biāo)準(zhǔn)定義，但是很少有人詳細(xì)地、系統(tǒng)地從這句話抽絲剝繭，一層一層地分析為什么定義里說IGBT是由BJT和MOS組成的，它們之間有什么區(qū)別和聯(lián)系，在應(yīng)用的時候，什么時候能選擇IGBT、什么時候選擇BJT、什么時候又選擇MOSFET...

熔斷器(fuse)是指當(dāng)電流超過規(guī)定值時，以本身產(chǎn)生的熱量使熔體熔斷，斷開電路的一種保護(hù)器件。熔斷器通常采用低熔點(diǎn)的鉛錫合金、鋅、銅、等材料制成，廣泛應(yīng)用于高低壓配電系統(tǒng)和控制系統(tǒng)以及用電設(shè)備中。新聞網(wǎng)頁微信知乎圖片視頻明醫(yī)英文問問百科更多>>登錄...

整流橋的作用就是能夠通過二極管的單向?qū)ǖ奶匦詫㈦娖皆诹泓c(diǎn)上下浮動的交流電轉(zhuǎn)換為單向的直流電，通常電源中采用的整流橋除了這種單顆集成式的還有采用四顆二極管實(shí)現(xiàn)的，它們的原理完全相同作用就是整流，把交流電變?yōu)橹绷麟姟?shí)質(zhì)上就是把4個硅二極管接成橋式整...

早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式，具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。中文名可控硅模塊外文名semiconductormodule別名功率半導(dǎo)體模塊時間1970年目錄1分類2優(yōu)點(diǎn)3規(guī)格型號可...

它由電源變壓器、電源穩(wěn)壓電路、三相同步電路及處理模塊、數(shù)字調(diào)節(jié)器、數(shù)字觸發(fā)器、六路相互隔離的脈沖輸出電路、開關(guān)量輸入、故障及報(bào)警輸出電路、模擬量處理及A/D轉(zhuǎn)換電路、按鍵參數(shù)設(shè)定及LED指示電路等部分組成。三相晶閘管觸發(fā)板技術(shù)參數(shù)⑴主電路閥側(cè)額定工...

整流橋模塊作為一種功率元器件，廣泛應(yīng)用于各種電源設(shè)備。其內(nèi)部主要是由四個二極管組成的橋路來實(shí)現(xiàn)把輸入的交流電壓轉(zhuǎn)化為輸出的直流電壓。在整流橋模塊的每個工作周期內(nèi)，同一時間只有兩個二極管進(jìn)行工作，通過二極管的單向?qū)üδ埽呀涣麟娹D(zhuǎn)換成單向的直流脈動...

MOSFET存在導(dǎo)通電阻高的缺點(diǎn)，但I(xiàn)GBT克服了這一缺點(diǎn)，在高壓時IGBT仍具有較低的導(dǎo)通電阻。總的來說，MOSFET優(yōu)點(diǎn)是高頻特性好，可以工作頻率可以達(dá)到幾百kHz、上MHz，缺點(diǎn)是導(dǎo)通電阻大在高壓大電流場合功耗較大；而IGBT在低頻及較大功率...

TC=℃）------通態(tài)平均電流VTM=V-----------通態(tài)峰值電壓VDRM=V-------------斷態(tài)正向重復(fù)峰值電壓IDRM=mA-------------斷態(tài)重復(fù)峰值電流VRRM=V-------------反向重復(fù)峰值電壓I...

晶閘管模塊-晶閘管在電路中的主要用途來源：瀏覽量：載入中...發(fā)布時間：晶閘管模塊基本的用途是可控整流。二極管整流電路中用晶閘管代替二極管，就可以形成可控整流電路。在正弦交流電壓U2的正半周內(nèi)，如果vs的控制極不輸入觸發(fā)脈沖UG，vs仍不能接通。只...

（1）熔斷器的安秒特性熔斷器的動作是靠熔體的熔斷來實(shí)現(xiàn)的，當(dāng)電流較大時，熔體熔斷所需的時間就較短。而電流較小時，熔體熔斷所需用的時間就較長，甚至不會熔斷。因此對熔體來說，其動作電流和動作時間特性即熔斷器的安秒特性，為反時限特性，如圖所示。每一熔體都...

整流橋模塊的損壞原因及解決辦法：-整流橋模塊損壞，通常是由于電網(wǎng)電壓或內(nèi)部短路引起。在排除內(nèi)部短路情況下，我們可以更換整流橋模塊。而導(dǎo)致整流橋損壞的原因有以下5個原因1、散熱片不夠大，過載沖擊電流過大，熱量散發(fā)不出來。2、負(fù)載短路，絕緣不好，負(fù)荷電...

該igbt芯片上設(shè)置有：工作區(qū)域、電流檢測區(qū)域和接地區(qū)域；其中，igbt芯片還包括第1表面和第二表面，且，第1表面和第二表面相對設(shè)置；第1表面上設(shè)置有工作區(qū)域和電流檢測區(qū)域的公共柵極單元，以及，工作區(qū)域的第1發(fā)射極單元、電流檢測區(qū)域的第二發(fā)射極單元...

一、IGBT是什么IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低...

MOS管和IGBT管作為開關(guān)元件，在電子電路中會經(jīng)常出現(xiàn)，它們在外形及特性參數(shù)上也比較相似，相信有不少人會疑惑為什么有的電路中需要用到MOS管，而有的卻需要用到IGBT管？它們之間有何區(qū)別呢？接下來冠華偉業(yè)為你解惑！何為MOS管？MOS管即MOSFET...

折疊摘要應(yīng)用整流橋到電路中，主要考慮它的大工作電流和大反向電壓。針對整流橋不同冷卻方式的選擇和對其散熱過程的詳細(xì)分析，來闡述元器件廠家提供的元器件熱阻(Rja和Rjc)的具體含義，并在此基礎(chǔ)上提出一種在技術(shù)上可行、使用上操作性強(qiáng)的測量整流橋殼溫的方...

其閘流特性表現(xiàn)為當(dāng)可控硅加上正向陽極電壓的同時又加上適當(dāng)?shù)恼蚩刂齐妷簳r，可控硅就導(dǎo)通；這一導(dǎo)通即使在撤去門極控制電壓后仍將維持，一直到加上反向陽極電壓或陽極電流小于可控硅自身的維持電流后才關(guān)斷。普通的可控硅調(diào)光器就是利用可控硅的這一特性實(shí)現(xiàn)前沿觸...