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整流二極管可用半導體鍺或硅等材料制造。硅整流二極管的擊穿電壓高，反向漏電流小，高溫性能良好。通常高壓大功率整流二極管都用高純單晶硅制造(摻雜較多時容易反向擊穿）。這種器件的結面積較大，能通過較大電流（可達上千安），但工作頻率不高，一般在幾十千赫以下。整流二極管...

導通電壓UD約為。在二極管加有反向電壓，當電壓值較小時，電流極小，其電流值為反向飽和電流IS。當反向電壓超過某個值時，電流開始急劇增大，稱之為反向擊穿，稱此電壓為二極管的反向擊穿電壓，用符號UBR表示。不同型號的二極管的擊穿電壓UBR值差別很大，從幾十伏到幾千...

高壓熔斷器熔斷資料高壓熔斷器熔斷討論高壓熔斷器熔斷視頻高壓熔斷器熔斷專題為您提供高壓熔斷器熔斷的相關資料與視頻課程，您可以下載高壓熔斷器熔斷資料進行參考，觀看相關視頻課程提升技能。更多內容請查看筑龍學社電氣工程熱點推薦。高壓熔斷器立即下載等級：文件122KB格...

經常接觸高壓電容器的人們就會知道在理想中的可變高壓電容，當動片固定在某一位置以后，全部工作時間內高壓電容器的該位置上電容量應當固定不變。但實際上由于外界因素的影響，其電容量存在一些變化的，其他電容也是一樣(金屬化電容、瓷片電容等)。其變化程度就是電容量穩定性的...

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整流橋就是將整流管封在一個殼內了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個二極管封在一起。半橋是將四個二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個半橋可組成一個橋式整流電路，一個半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路，選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。...

保證電弧熄滅的熔絲展開長度按下式計算：l=160+70Umm式中U—熔斷器的額定電壓kV2、石英砂顆粒度石英砂的顆粒度，對限流式熔斷器的滅弧性能有很大影響。試驗表明，顆粒直徑在。3、限制過電壓措施由于限流式熔斷器開斷電路時，電弧電流被強迫過零，因而易產生過電壓...

MAX810L的輸出經過20μs的延遲后由高變低，從而關斷Q1并使負載斷開。由于MAX668的升壓作用，MAX810電源端電壓又會高于其門檻電平，240ms的復位延遲時間后，MAX810L輸出再次由高變低，開通Q1并自動再次連通負載。上述過程會一直周期性重復下...

使MAX668的輸出電壓一直高于MAX810的復位門檻電壓。假如R、C使Q1的導通時間延長，同時也延長了關斷時間。因此需要在電阻上并聯一肖特基二極管，以加速當負載過載時關閉Q1的進程。為了獲得增強型通道及較低的導通電阻，上述電路均需要采用邏輯電平控制的P溝道M...

E接成正向，而觸動發信號是負的，可控硅也不能導通。另外，如果不加觸發信號，而正向陽極電壓大到超過一定值時，可控硅也會導通，但已屬于非正常工作情況了。可控硅這種通過觸發信號(小觸發電流)來控制導通(可控硅中通過大電流)的可控特性，正是它區別于普通硅整流二極管的重...

雙向晶閘管的伏安特性見圖3，由于正、反向特性曲線具有對稱性，所以它可在任何一個方向導通。從晶閘管的內部分析工作過程：晶閘管是四層三端器件，它有J1、J2、J3三個PN結圖一，可以把它中間的NP分成兩部分，構成一個PNP型三極管和一個NPN型三極管的復合管圖二....

ALC電路在錄音機、卡座的錄音卡中，錄音時要對錄音信號的大小幅度進行控制，了解下列幾點具體的控制要求有助于分析二極管VD1自動控制電路。1）在錄音信號幅度較小時，不控制錄音信號的幅度。2）當錄音信號的幅度大到一定程度后，開始對錄音信號幅度進行控制，即對信號幅度...

一種將交流電能轉變為直流電能的半導體器件。通常它包含一個PN結，有正極和負極兩個端子。二極管重要的特性就是單方向導電性。在電路中，電流只能從二極管的正極流入，負極流出。中文名整流二極管外文名rectifierdiode類別半導體器件特性單方向導電電流流向正極流...

摘要：純電動汽車的驅動部分及高壓附件系統的電源均為動力電池電源，為保護車輛及乘員安全，相關動力電池電源回路均選用相應熔斷器作為短路保護的措施。本文主要從熔斷器壽命校核，沖擊電流對熔斷器影響，熔斷器分斷能力等方面，闡述純電動汽車直流高壓熔斷器的選型原則及驗證方法...

圖4為初選某品牌35A熔斷器的時間-電流特性，在圖4的基礎上，比對尖峰電流的持續時間及峰值。圖4（左）某品牌35A熔斷器時間-電流特性圖5（右）實測沖擊電流圖5為用示波器配合電流互感器測得負載的沖擊電流波形，1V對應電流值25A。黑色波形為示波器電流探頭測得波...

環境溫度越高，保險絲的工作溫度就越高，其壽命也就越短。相反，在較低的溫度下運行會延長保險絲的壽命。5．熔斷額定容量也稱為致斷容量。熔斷額定容量是保險絲在額定電壓下能夠確實熔斷的**大許可電流。短路時，保險絲中會多次通過比正常工作電流大的瞬時過載電流。安全運行要...

引起了電子雪崩，粒界層迅速變成低阻抗，電流迅速增加，泄漏了能量，抑制了過電壓，從而使晶閘管得到保護。浪涌過后，粒界層又恢復為高阻態。壓敏電阻的特性主要由下面幾個參數來表示。標稱電壓：當參考壓敏電阻直流1mA電流流動，它兩端的電壓值。通流數據容量：是用前沿8微秒...

所述第六電容c6的一端連接所述合封整流橋的封裝結構1的高壓供電管腳hv，另一端連接所述合封整流橋的封裝結構1的電源地管腳bgnd。具體地，所述第二電感l2連接于所述合封整流橋的封裝結構1的電源地管腳bgnd與信號地管腳gnd之間。需要說明的是，本實施例增加所述...

采用電子線路進行保護等。目前常用的是在回路中接入吸收能量的元件，使能量得以消散，常稱之為吸收回路或緩沖電路。（4）阻容吸收回路通常過電壓均具有相對較高的頻率，因此我們常用電容可以作為企業吸收作用元件，為防止出現振蕩，常加阻尼電阻，構成阻容吸收回路。阻容吸收回路...

晶閘管（Thyristor）是晶體閘流管的簡稱，又被稱做可控硅整流器，以前被簡稱為可控硅；1957年美國通用電氣公司開發出世界上第1款晶閘管產品，并于1958年將其商業化；晶閘管是PNPN四層半導體結構，它有三個極：陽極，陰極和控制極；晶閘管具有硅整流器件的特...

圖1所示為一個N溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結構，N+區稱為源區，附于其上的電極稱為源極。N+區稱為漏區。器件的控制區為柵區，附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區邊界形成。在漏、源之間的P型區（包括P+和P一區）（溝道在該區域形成），稱為亞溝道區（Subcha...

摘要：純電動汽車的驅動部分及高壓附件系統的電源均為動力電池電源，為保護車輛及乘員安全，相關動力電池電源回路均選用相應熔斷器作為短路保護的措施。本文主要從熔斷器壽命校核，沖擊電流對熔斷器影響，熔斷器分斷能力等方面，闡述純電動汽車直流高壓熔斷器的選型原則及驗證方法...

導致VT1管進入飽和狀態，VT1可能會發燒，嚴重時會燒壞VT1。如果VD1出現擊穿故障，會導致VT1管基極直流偏置電壓下降，三極管VT1直流工作電流減小，VT1管放大能力減小或進入截止狀態。二極管控制電路及故障處理二極管導通之后，它的正向電阻大小隨電流大小變化...

其中第二、第三層為兩管交迭共用。當在陽極和陰極之間加上一個正向電壓Ea，又在控制極G和陰極C之間（相當BG1的基一射間）輸入一個正的觸發信號，BG1將產生基極電流Ib1，經放大，BG1將有一個放大了β1倍的集電極電流IC1。因為BG1集電極與BG2基極相連，I...

4、控制極觸發電流Ig1、觸發電壓VGT在規定的環境溫度下，陽極---陰極間加有一定電壓時，可控硅從關斷狀態轉為導通狀態所需要的小控制極電流和電壓。5、維持電流IH在規定溫度下，控制極斷路，維持可控硅導通所必需的小陽極正向電流。許多新型可控硅元件相繼問世，如適...

所述變壓器的第二線圈一端經由所述二極管d及所述第五電容c5連接所述第二線圈的另一端。如圖6所示，所述二極管d的正極連接所述變壓器的第二線圈，負極連接所述第五電容c5。如圖6所示，所述負載連接于所述第五電容c5的兩端。具體地，在本實施例中，所述負載為led燈串，...

導致VT1管進入飽和狀態，VT1可能會發燒，嚴重時會燒壞VT1。如果VD1出現擊穿故障，會導致VT1管基極直流偏置電壓下降，三極管VT1直流工作電流減小，VT1管放大能力減小或進入截止狀態。二極管控制電路及故障處理二極管導通之后，它的正向電阻大小隨電流大小變化...

從大型的液晶電視、電腦顯示屏到媒體播放器MP3、MP4以及手機等的顯示屏都將發光二極管用作屏背光源。[6]（2）汽車以及大型機械中的應用發光二極管在汽車以及大型機械中得到廣應用。汽車以及大型機械設備中的方向燈、車內照明、機械設備儀表照明、大前燈、轉向燈、剎車燈...

整流橋就是將整流管封在一個殼內了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個二極管封在一起。半橋是將四個二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個半橋可組成一個橋式整流電路，一個半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路，選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。...

當選擇替代晶閘管，無論什么參數，不要有太多的左邊距，它應該是盡可能接近的取代晶閘管的參數，由于過度保證金不造成浪費，而且有時副作用，即沒有觸發，或不敏感等。另外，還要留意兩個晶閘管的外形要相同，否則會給企業安裝管理工作發展帶來一些不利。晶閘管的工作原理的陽極A...