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并通過所述第二門極壓接式組件對(duì)所述第三導(dǎo)電片、鉬片、銀片、鋁片施加壓合作用力，所述第三導(dǎo)電片、鉬片、銀片、鋁片依次設(shè)置于所述銅底板上。作為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的改進(jìn)，任一所述接頭包括：螺栓和螺母，所述螺栓與螺母之間還設(shè)置有彈簧墊圈和平墊圈。作為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的改進(jìn)，所述銅底板通過硅凝膠對(duì)位于其上的導(dǎo)電片、第二導(dǎo)電片、瓷板進(jìn)行固定。作為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的改進(jìn)，所述銅底板通過硅凝膠對(duì)位于其上的第三導(dǎo)電片、鉬片、銀片、鋁片進(jìn)行固定。作為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的改進(jìn)，所述壓塊和第二壓塊上還設(shè)置有絕緣套管。作為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的改進(jìn)，所述絕緣套管與對(duì)應(yīng)的壓塊之間還設(shè)置有墊圈...

晶閘管模塊的工作原理 在晶閘管模塊T的工作過程中，晶閘管模塊的陽極A和陰極K與電源和負(fù)載相連，構(gòu)成晶閘管模塊的主電路。晶閘管模塊的柵極G和陰極K與控制可控硅的裝置相連，形成晶閘管模塊的控制電路。 從晶閘管模塊的內(nèi)部分析工作過程： 晶閘管模塊是一種四層三端器件。它有J1、J2和J3的三個(gè)pn結(jié)圖。中間的NP可分為PNP型三極管和NPN型三極管兩部分。 當(dāng)晶閘管模塊承載正向陽極電壓時(shí)，為了制造晶閘管模塊導(dǎo)體銅，承受反向電壓的pn結(jié)J2必須失去其阻擋作用。每個(gè)晶體管的集電極電流同時(shí)是另一個(gè)晶體管的基極電流。因此，當(dāng)有足夠的柵極電流Ig流入時(shí)，兩個(gè)復(fù)合晶體管電路會(huì)形成較強(qiáng)的...

當(dāng)正向電壓超過其斷態(tài)重復(fù)峰值電壓UDRM一定值時(shí)晶閘管就會(huì)誤導(dǎo)通，引發(fā)電路故障；當(dāng)外加反向電壓超過其反向重復(fù)峰值電壓URRM一定值時(shí)，晶閘管就會(huì)立即損壞。因此，必須研究過電壓的產(chǎn)生原因及過電壓的方法。過電壓產(chǎn)生的原因主要是供給的電功率或系統(tǒng)的儲(chǔ)能發(fā)生了激烈的變化，使得系統(tǒng)來不及轉(zhuǎn)換，或者系統(tǒng)中原來積聚的電磁能量來不及消散而造成的。主要發(fā)現(xiàn)為雷擊等外來沖擊引起的過電壓和開關(guān)的開閉引起的沖擊電壓兩種類型。由雷擊或高壓斷路器動(dòng)作等產(chǎn)生的過電壓是幾微秒至幾毫秒的電壓尖峰，對(duì)晶閘管是很危險(xiǎn)的。由開關(guān)的開閉引起的沖擊電壓又分為如下幾類：（1）交流電源接通、斷開產(chǎn)生的過電壓例如，交流開關(guān)的開閉、交流...

單相交流固態(tài)繼電器㈠概述龍科交流固態(tài)繼電器（英文名稱為L(zhǎng)oncontSolid-StateRelay，簡(jiǎn)稱LSR）。它為單刀單擲常開式結(jié)構(gòu)，用LED顯示工作狀態(tài)。它是用現(xiàn)代微電子技術(shù)與電力電子技術(shù)發(fā)展起來的一種新型無觸點(diǎn)開關(guān)器件。它可以實(shí)現(xiàn)用微弱的控制信號(hào)(幾毫安到幾十毫安)控制0．1A直至幾百A電流負(fù)載，進(jìn)行無觸點(diǎn)接通或分?jǐn)唷Ｋ鼮樗亩擞性雌骷瑑蓚€(gè)輸入控制端，兩個(gè)負(fù)載輸出端，輸出端與負(fù)載、電源串聯(lián)，輸入輸出之間為光電隔離，內(nèi)置RC吸收回路，輸入端加上直流或脈沖信號(hào)，輸出端就能從斷態(tài)轉(zhuǎn)變成通態(tài)。整個(gè)器件沒有任何可動(dòng)部件或觸點(diǎn)，實(shí)現(xiàn)了相當(dāng)于電磁繼電器的功能。固態(tài)繼電器工作可靠，無觸點(diǎn)、無...

特點(diǎn)：1、芯片與底板電氣絕緣2、國際標(biāo)準(zhǔn)封裝3、全壓接結(jié)構(gòu)，優(yōu)良的溫度特性和功率循環(huán)能力4、350A以下模塊皆為強(qiáng)迫風(fēng)冷，400A以上模塊既可選用風(fēng)冷，也可選用水冷5、安裝簡(jiǎn)單，使用維修方便典型應(yīng)用：1、交直流電機(jī)控制2、各種整流電源3、工業(yè)加熱控制4、調(diào)光5、無觸點(diǎn)開關(guān)6、電機(jī)軟起動(dòng)7、靜止無功補(bǔ)償8、電焊機(jī)9、變頻器10、UPS電源11、電池充放電三相整流橋模塊功率半導(dǎo)體模塊可控硅博飛宏大北京博飛宏大電子科技有限公司，廠家直銷，質(zhì)量，價(jià)格有保證！如果您需要相關(guān)型號(hào)資料，電壓電流，封裝尺寸大小，可以隨時(shí)給您發(fā)送該產(chǎn)品的PDF文檔，供您參考！如果您訂購量大，并且有長(zhǎng)期合作意向，可**先...

焊機(jī)晶閘管模塊故障維修1、松下焊機(jī)晶閘管模塊的型號(hào)及組成結(jié)構(gòu)：松下焊機(jī)維修KR1系列焊機(jī)模塊型號(hào)見下表;2、松下焊機(jī)模塊的測(cè)量模塊的陰陽極電阻一般為兆歐極，陰控極電阻為幾歐至十幾歐。測(cè)量方法如下圖所示：KR1系列焊機(jī)模塊陰控極阻值見下表：另外請(qǐng)注意：在焊機(jī)上測(cè)量模塊陰控極電阻時(shí)，需將與其相連的觸發(fā)信號(hào)線拔下：測(cè)量陰陽極的電阻時(shí)，也需將與其相連的主電纜拆掉。模塊故障簡(jiǎn)介：（1）陰控極或陰陽極斷路：如果某一組晶閘管的陰控極斷路或阻值變**于幾十歐），該組晶閘管就不能被觸發(fā)：而某一組晶閘管的陰、陽極發(fā)生斷路時(shí)，即便有觸發(fā)信號(hào)，該組晶閘管也不能導(dǎo)通。以上兩種情況會(huì)造成焊機(jī)輸出缺相，所表現(xiàn)出的...

所述銅底板3上涂覆有硅凝膠，所述硅凝膠對(duì)所述導(dǎo)電片9、第二導(dǎo)電片10、瓷板11進(jìn)行包覆固定。從而，所述銅底板3通過所述硅凝膠實(shí)現(xiàn)對(duì)位于其上的導(dǎo)電片9、第二導(dǎo)電片10、瓷板11進(jìn)行固定。所述第二晶閘管單元包括：第二壓塊12、第二門極壓接式組件13、第三導(dǎo)電片14、鉬片15、銀片16、鋁片17。其中，所述第二壓塊12設(shè)置于所述第二門極壓接式組件13上，并通過所述第二門極壓接式組件13對(duì)所述第三導(dǎo)電片14、鉬片15、銀片16、鋁片17施加壓合作用力，所述第三導(dǎo)電片14、鉬片15、銀片16、鋁片17依次設(shè)置于所述銅底板3上。為了實(shí)現(xiàn)所述第三導(dǎo)電片14、鉬片15、銀片16、鋁片17與銅底板3的固...

電焊機(jī)在進(jìn)行各種金屬焊接時(shí)，根據(jù)焊接工藝的不同，對(duì)焊接時(shí)電弧的電壓和電流有不同的要求，因此需要各種不同特*流或直流電源。例如，在點(diǎn)、凸、峰焊、電阻焊時(shí)需要調(diào)節(jié)焊接隔離變壓器原邊的電壓大小（相控調(diào)壓或改變通過的周波數(shù)量），屬于晶閘管應(yīng)用于交流調(diào)壓；在各種氬弧焊、CO2氣體保護(hù)焊中需要的是直流電源或交直流方波電源。交流應(yīng)用時(shí)，反并聯(lián)的晶閘管串接在主回路中，直流調(diào)壓應(yīng)用時(shí)，晶閘管可以組成單、三相全控或半控或雙反星型電路。改變晶閘管的導(dǎo)通角或控制晶閘管的開關(guān)時(shí)間即可達(dá)到調(diào)節(jié)焊接電壓和電流的目的。尤其是近幾年來，CO2氣體保護(hù)焊機(jī)發(fā)展比較迅速，據(jù)報(bào)道，發(fā)達(dá)國家這種焊機(jī)占到百分之六十或七十的比例，...

另外在化工、煤礦、鋼鐵和等一些要求特殊的裝置和惡劣的工作環(huán)境中，以及要求工作高可靠的場(chǎng)合中，LSR都比傳統(tǒng)的繼電器有無可比擬的優(yōu)越**流固態(tài)繼電器工作原理：LSR實(shí)際是一個(gè)受控的電力電子開關(guān)，其等效電路如圖1。圖2普通型交流LSR內(nèi)部結(jié)構(gòu)框圖一般情況下，萬用表不能判別LSR的好壞，正確的方法采用圖3的測(cè)試電路：當(dāng)輸入電流為零時(shí)，電壓表測(cè)出的電壓為電網(wǎng)電壓，電燈不亮（燈泡功率須25W以上）；當(dāng)輸入電流達(dá)到一定值以后，電燈亮，電壓表測(cè)出的電壓為L(zhǎng)SR導(dǎo)通壓降（在2V以下）。因LSR內(nèi)部有RC回路而帶來漏電流，因此不能等同于普通觸點(diǎn)式的繼電器、接觸器,不能作隔離開關(guān)用。圖3LSR測(cè)試電路㈡...

所述第三螺栓和第三螺母之間還設(shè)置有彈簧墊圈和平墊圈。此外，所述晶閘管單元中，所述壓塊7上還設(shè)置有絕緣套管。其中，所述絕緣套管與對(duì)應(yīng)的壓塊之間還設(shè)置有墊圈。相類似地，所述第二晶閘管單元中，所述第二壓塊12上還設(shè)置有絕緣套管。其中，所述絕緣套管與對(duì)應(yīng)的壓塊之間還設(shè)置有墊圈。為了實(shí)現(xiàn)門極銅排的安裝，所述外殼1上還設(shè)置有門極銅排安裝座。綜上所述，本發(fā)明的立式晶閘管模塊通過設(shè)置接頭、第二接頭和第三接頭、封裝于外殼內(nèi)部的晶閘管單元和第二晶閘管單元能夠?qū)崿F(xiàn)電力系統(tǒng)的多路控制，有效保證了電力系統(tǒng)的正常運(yùn)行。對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，顯然本發(fā)明不限于上述示范性實(shí)施例的細(xì)節(jié)，而且在不背離本發(fā)明的精神或基本特...

即俗稱底板是否帶電。絕緣型的模塊多用在交流焊機(jī)中，如應(yīng)用于點(diǎn)焊、電阻焊機(jī)中的晶閘管模塊MTX系列；應(yīng)用于CO2氣體保護(hù)焊機(jī)、WSM普通焊機(jī)等MTG系列模塊。各焊機(jī)應(yīng)用晶閘管模塊在下表中簡(jiǎn)述：整機(jī)種類使用模塊常見主回路形式電路特點(diǎn)S可控硅直流氬弧焊機(jī)MFG單相全波整流CO2氣保焊機(jī)MDG雙反星并聯(lián)（帶平衡電抗器）CO2氣保焊機(jī)MTG雙反星并聯(lián)（帶平衡電抗器）逆變焊機(jī)變頻器MDCMDQMDS單相或三相整流橋點(diǎn)焊機(jī)MTXMTC電子開關(guān)三、CO2焊機(jī)**晶閘管MTG模塊：l模塊內(nèi)部電路圖：l焊機(jī)**MTG模塊特點(diǎn)簡(jiǎn)介：2MTG模塊是由三只共陽極晶閘管封裝在一起的模塊化結(jié)構(gòu)組件。模塊內(nèi)管芯參數(shù)針...

晶閘管模塊 晶閘管模塊因其體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊、可靠性高、外部接線簡(jiǎn)單、互換性好、維護(hù)安裝方便等優(yōu)點(diǎn)，自誕生以來就受到各大功率半導(dǎo)體制造商的青睞，并得到了極大的發(fā)展。 晶閘管模塊一般對(duì)錯(cuò)正弦電流有疑問，存在導(dǎo)通角，負(fù)載電流具有一定的波動(dòng)和不穩(wěn)定因素，晶閘管模塊芯片抗電流沖擊能力差，因此在選擇模塊的電流標(biāo)準(zhǔn)時(shí)一定要留出一定的余量。 模塊冷卻狀態(tài)的好壞直接關(guān)系到產(chǎn)品的使用壽命和短期過載能力。溫度越低，模塊輸出電流越大。因此，在運(yùn)行中必須配備散熱器和風(fēng)扇。建議選擇具有過熱維護(hù)功能的商品，有水冷條件的優(yōu)先采用水冷冷卻。 正高電氣在客戶和行業(yè)中樹立了良好的企業(yè)形象。泰安晶閘管模...

特點(diǎn)：1、芯片與底板電氣絕緣2、國際標(biāo)準(zhǔn)封裝3、全壓接結(jié)構(gòu)，優(yōu)良的溫度特性和功率循環(huán)能力4、350A以下模塊皆為強(qiáng)迫風(fēng)冷，400A以上模塊既可選用風(fēng)冷，也可選用水冷5、安裝簡(jiǎn)單，使用維修方便典型應(yīng)用：1、交直流電機(jī)控制2、各種整流電源3、工業(yè)加熱控制4、調(diào)光5、無觸點(diǎn)開關(guān)6、電機(jī)軟起動(dòng)7、靜止無功補(bǔ)償8、電焊機(jī)9、變頻器10、UPS電源11、電池充放電三相整流橋模塊功率半導(dǎo)體模塊可控硅博飛宏大北京博飛宏大電子科技有限公司，廠家直銷，質(zhì)量，價(jià)格有保證！如果您需要相關(guān)型號(hào)資料，電壓電流，封裝尺寸大小，可以隨時(shí)給您發(fā)送該產(chǎn)品的PDF文檔，供您參考！如果您訂購量大，并且有長(zhǎng)期合作意向，可**先...

額定電壓V1mA的下限是線路工作電壓峰值，考慮到電網(wǎng)電壓的波動(dòng)以及多次承受沖擊電流以后V1mA值可能下降，因此，額定電壓的取值應(yīng)適當(dāng)提高。目前通常采用30[%]的余量計(jì)算。V1mA≥√2?U式中U――壓敏電阻兩端正常工作電壓的有效值。壓敏電阻的數(shù)量：三相整流模塊和三相交流模塊均為三只、單相整流模塊和單相交流模塊均為一只。全部接在交流輸入端。3、過熱保護(hù)晶閘管在電流通過時(shí)，會(huì)產(chǎn)生一定的壓降，而壓降的存在則會(huì)產(chǎn)生一定的功耗，電流越大則功耗越大，產(chǎn)生的熱量也就越大。如果不把這些熱量快速散掉，會(huì)造成燒壞晶閘管芯片的問題。因此要求使用晶閘管模塊時(shí)，一定要安裝散熱器。散熱條件的好壞，是影響模塊能否...

焊機(jī)晶閘管模塊故障維修1、松下焊機(jī)晶閘管模塊的型號(hào)及組成結(jié)構(gòu)：松下焊機(jī)維修KR1系列焊機(jī)模塊型號(hào)見下表;2、松下焊機(jī)模塊的測(cè)量模塊的陰陽極電阻一般為兆歐極，陰控極電阻為幾歐至十幾歐。測(cè)量方法如下圖所示：KR1系列焊機(jī)模塊陰控極阻值見下表：另外請(qǐng)注意：在焊機(jī)上測(cè)量模塊陰控極電阻時(shí)，需將與其相連的觸發(fā)信號(hào)線拔下：測(cè)量陰陽極的電阻時(shí)，也需將與其相連的主電纜拆掉。模塊故障簡(jiǎn)介：（1）陰控極或陰陽極斷路：如果某一組晶閘管的陰控極斷路或阻值變**于幾十歐），該組晶閘管就不能被觸發(fā)：而某一組晶閘管的陰、陽極發(fā)生斷路時(shí)，即便有觸發(fā)信號(hào)，該組晶閘管也不能導(dǎo)通。以上兩種情況會(huì)造成焊機(jī)輸出缺相，所表現(xiàn)出的...

在快速無功補(bǔ)償和諧波濾波裝置中，要用晶閘管投切電容器TSC，。執(zhí)行元件晶閘管根據(jù)應(yīng)用場(chǎng)合的不同，有餅式的、模塊的和雙向可控硅的不同結(jié)構(gòu)型式。針對(duì)不同的主回路和不同的晶閘管型式，觸發(fā)電路也不同。TSC要求在晶閘管電壓過零點(diǎn)觸發(fā)，確定晶閘管電壓過零點(diǎn)的方法有兩種，一種是從電網(wǎng)電壓取得同步信號(hào)，另一種是從晶閘管的陽極和陰極取得過零信號(hào)。晶閘管投切電容器的原理晶閘管投切電容器組的關(guān)鍵技術(shù)是必須做到投切時(shí)無電流沖擊。晶閘管投切電容器組的原理如圖1所示。圖1晶閘管投切電容器組的原理可控硅晶閘管模塊產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)特點(diǎn)1.電壓過零觸發(fā)，電流過零斷開，無沖擊電流；2.光電隔離，抗干擾能力強(qiáng)，響應(yīng)時(shí)間＜15ms...

下面描述中的附圖**是本發(fā)明中記載的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的一具體實(shí)施方式的平面示意圖。具體實(shí)施方式下面結(jié)合附圖所示的各實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說明，但應(yīng)當(dāng)說明的是，這些實(shí)施方式并非對(duì)本發(fā)明的限制，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員根據(jù)這些實(shí)施方式所作的功能、方法、或者結(jié)構(gòu)上的等效變換或替代，均屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。如圖1所示，本發(fā)明的立式晶閘管模塊包括：外殼1、蓋板2、銅底板3、形成于所述蓋板2上的接頭4、第二接頭5和第三接頭6、封裝于所述外殼1內(nèi)部的晶閘管單元和第二晶閘管單元。其中，任一...

VDRM）的計(jì)算：由公式：Ud=考慮兩倍的選擇余量后VRRM；VDRM=2xxU2=2x因此選擇耐壓200V-300V的器件足夠。2、器件額定電流IT（AV）的計(jì)算：由于該線路相當(dāng)于兩組三相半波整流電路的串聯(lián),根據(jù)公式：Ie=:Ie=(此值為交流有效值)折算為平均值IT（AV）=Ie/考慮選型需按IT(AV)=()IT=232A()=348A-462A顯然,目前沒有如此大電流的模塊,應(yīng)建議客戶采用400-500A的平板式可控硅為宜。以上兩種線路對(duì)器件耐壓和通流能力的要求是不一樣的。后一種線路對(duì)器件耐壓要求比前一種線路低一倍，但通流能力要求大兩倍。四、使用模塊產(chǎn)品注意事項(xiàng)：l電力半導(dǎo)體模...

紅表筆接K極時(shí)，電阻呈低阻值，對(duì)其它情況電阻值均為無窮大。由此可迅速判定G、K極，剩下的就是A極。2．檢查觸發(fā)能力如圖2(a)所示，首先將表Ⅰ的黑表筆接A極，紅表筆接K極，電阻為無窮大；然后用黑表筆尖也同時(shí)接觸G極，加上正向觸發(fā)信號(hào)，表針向右偏轉(zhuǎn)到低阻值即表明GTO已經(jīng)導(dǎo)通；脫開G極，只要GTO維持通態(tài)，就說明被測(cè)管具有觸發(fā)能力。3．檢查關(guān)斷能力現(xiàn)采用雙表法檢查GTO的關(guān)斷能力，如圖2(b)所示，表Ⅰ的檔位及接法保持不變。將表Ⅱ撥于R×10檔，紅表筆接G極，黑表筆接K極，施以負(fù)向觸發(fā)信號(hào)，如果表Ⅰ的指針向左擺到無窮大位置，證明GTO具有關(guān)斷能力。4．估測(cè)關(guān)斷增益βoff進(jìn)行到第3步時(shí)，...

5光控晶閘管是通過光信號(hào)控制晶閘管觸發(fā)導(dǎo)通的器件，它具有很強(qiáng)的抗干擾能力、良好的高壓絕緣性能和較高的瞬時(shí)過電壓承受能力，因而被應(yīng)用于高壓直流輸電(HVDC)、靜止無功功率補(bǔ)償(SVC)等領(lǐng)域。其研制水平大約為8000V/3600A。6逆變晶閘管因具有較短的關(guān)斷時(shí)間(10～15s)而主要用于中頻感應(yīng)加熱。在逆變電路中，它已讓位于GTR、GTO、IGBT等新器件。目前，其比較大容量介于2500V/1600A/1kHz和800V/50A/20kHz的范圍之內(nèi)。7非對(duì)稱晶閘管是一種正、反向電壓耐量不對(duì)稱的晶閘管。而逆導(dǎo)晶閘管不過是非對(duì)稱晶閘管的一種特例，是將晶閘管反并聯(lián)一個(gè)二極管制作在同一管芯...

如大功率電阻、大功率三極管以及電源變壓器等。對(duì)于大功率晶閘管，必須按手冊(cè)申的要求加裝散熱裝置及冷卻條件，以保證管子工作時(shí)的溫度不超過結(jié)溫。②晶閘管在使用中發(fā)生超越和短路現(xiàn)象時(shí)，會(huì)引發(fā)過電流將管子燒毀。對(duì)于過電流，一般可在交流電源中加裝快速保險(xiǎn)絲加以保護(hù)。快速保險(xiǎn)絲的熔斷時(shí)間極短，一般保險(xiǎn)絲的額定電流用晶閘管額定平均電流的。③交流電源在接通與斷開時(shí)，有可能在晶閘管的導(dǎo)通或阻斷對(duì)出現(xiàn)過壓現(xiàn)象，將管子擊穿。對(duì)于過電壓，可采用并聯(lián)RC吸收電路的方法。因?yàn)殡娙輧啥说碾妷翰荒芡蛔儯灾灰诰чl管的陰極及陽極間并取RC電路，就可以削弱電源瞬間出現(xiàn)的過電壓，起到保護(hù)晶閘管的作用。當(dāng)然也可以采用壓敏電...

變壓器磁路平衡，不存在磁化的問題。要求主變壓器和平衡電抗器對(duì)稱性好。2整流輸出電壓：Ud=。當(dāng)負(fù)載電流小于額定值（Id）2~5%時(shí)，流過平衡電抗器的電流太小，達(dá)不到激磁所需的臨界電流，平衡電抗器失去作用，其上的三角波形電壓也就沒有了，此時(shí)該線路輸出電壓與三相半波電路一樣，該電壓即為電焊機(jī)空載電壓。輸出電壓：Ud=。2電阻R的作用是為電焊機(jī)在空載電壓輸出時(shí)，提供可控硅導(dǎo)通的擎制電流。因此擎制電流參數(shù)的大小或離散性對(duì)R的阻值有相當(dāng)重要性。實(shí)例：1.晶閘管耐壓的選擇（VRRM；VDRM）：已知條件：空載電壓：100V，額定輸出電流：630A；暫載率：60%根據(jù)公式：Ud=（大電流時(shí)：Ud=）...

VDRM）的計(jì)算：由公式：Ud=考慮兩倍的選擇余量后VRRM；VDRM=2xxU2=2x因此選擇耐壓200V-300V的器件足夠。2、器件額定電流IT（AV）的計(jì)算：由于該線路相當(dāng)于兩組三相半波整流電路的串聯(lián),根據(jù)公式：Ie=:Ie=(此值為交流有效值)折算為平均值IT（AV）=Ie/考慮選型需按IT(AV)=()IT=232A()=348A-462A顯然,目前沒有如此大電流的模塊,應(yīng)建議客戶采用400-500A的平板式可控硅為宜。以上兩種線路對(duì)器件耐壓和通流能力的要求是不一樣的。后一種線路對(duì)器件耐壓要求比前一種線路低一倍，但通流能力要求大兩倍。四、使用模塊產(chǎn)品注意事項(xiàng)：l電力半導(dǎo)體模...

750V通態(tài)平均電流IT（AV）：5A比較大通態(tài)電壓VT：3V（IT=30A）比較大反向?qū)妷篤TR：<比較大門極觸發(fā)電壓VGT:4V比較大門極觸發(fā)電流IGT:40mA關(guān)斷時(shí)間toff:μs通態(tài)電壓臨界上升率du/dt:120V/μs通態(tài)浪涌電流ITSM:80A利用萬用表和兆歐表可以檢查逆導(dǎo)晶閘管的好壞。測(cè)試內(nèi)容主要分三項(xiàng)：1．檢查逆導(dǎo)性選擇萬用表R×1檔，黑表筆接K極，紅表筆接A極（參見圖3(a)），電阻值應(yīng)為5～10Ω。若阻值為零，證明內(nèi)部二極管短路；電阻為無窮大，說明二極管開路。2．測(cè)量正向直流轉(zhuǎn)折電壓V（BO）按照（b）圖接好電路，再按額定轉(zhuǎn)速搖兆歐表，使RCT正向擊穿，由直...

簡(jiǎn)稱過零型）和隨機(jī)導(dǎo)通型（簡(jiǎn)稱隨機(jī)型）；按輸出開關(guān)元件分有雙向可控硅輸出型（普通型）和單向可控硅反并聯(lián)型（增強(qiáng)型）；按安裝方式分有印刷線路板上用的針插式（自然冷卻，不必帶散熱器）和固定在金屬底板上的裝置式（靠散熱器冷卻）；另外輸入端①直流恒流控制型（D3），電壓為3-36Vdc寬范圍，驅(qū)動(dòng)電流為5-15mA；②直流抗干擾控制型（D2），電壓為18-30Vdc；③串電阻限流型（D1），電壓為4-8Vdc，**于隨機(jī)型LSR；④交流控制型（A3），電壓為90-430Vac寬范圍。⑴過零型(Z型)與隨機(jī)型(P型)LSR的區(qū)別由于觸發(fā)信號(hào)方式不同，過零型和隨機(jī)型之間的區(qū)別主要在于負(fù)載交流電流導(dǎo)...

充電電源，電機(jī)調(diào)速，感應(yīng)加熱及熱處理等各種整流、逆變和變頻領(lǐng)域。我公司所生產(chǎn)的電力電子器件成功的替代了多種進(jìn)口器件，實(shí)現(xiàn)了自動(dòng)軋機(jī)原器件的國產(chǎn)化；6K、6G、8K、8G電力機(jī)車原器件也全部由我公司國產(chǎn)化，使用壽命超過了進(jìn)口元件。在自動(dòng)控制方面，我公司成功開發(fā)出各種工控板，應(yīng)用在各種不同的場(chǎng)合，真正形成了控制方式靈活，保護(hù)齊全，可靠性高的優(yōu)勢(shì)。與模塊結(jié)合開發(fā)了智能模塊。廣泛應(yīng)用于不同行業(yè)各種領(lǐng)。在散熱器方面公司成功開發(fā)了，通過努力已進(jìn)入了國內(nèi)的輸變電行業(yè)、機(jī)車行業(yè)所需的高端市場(chǎng)。我公司秉承快速反應(yīng)、持續(xù)改進(jìn)的工作作風(fēng)，融入世界的發(fā)展戰(zhàn)略，致力于提高品牌知名度的發(fā)展目標(biāo)，建成國際前列、國內(nèi)...

VDRM）的計(jì)算：由公式：Ud=考慮兩倍的選擇余量后VRRM；VDRM=2xxU2=2x因此選擇耐壓200V-300V的器件足夠。2、器件額定電流IT（AV）的計(jì)算：由于該線路相當(dāng)于兩組三相半波整流電路的串聯(lián),根據(jù)公式：Ie=:Ie=(此值為交流有效值)折算為平均值IT（AV）=Ie/考慮選型需按IT(AV)=()IT=232A()=348A-462A顯然,目前沒有如此大電流的模塊,應(yīng)建議客戶采用400-500A的平板式可控硅為宜。以上兩種線路對(duì)器件耐壓和通流能力的要求是不一樣的。后一種線路對(duì)器件耐壓要求比前一種線路低一倍，但通流能力要求大兩倍。四、使用模塊產(chǎn)品注意事項(xiàng)：l電力半導(dǎo)體模...

晶閘管模塊的工作條件： 1.當(dāng)晶閘管模塊承受正向陽極電壓時(shí)，只有在門級(jí)承受正向電壓時(shí)，晶閘管才打開。此時(shí)，晶閘管處于正導(dǎo)通狀態(tài)，這就是晶閘管的晶閘管特性，即可控特性。 2.晶閘管模塊開著時(shí)，只要有一定的正極電壓，不管門級(jí)電壓是多少，晶閘管都繼續(xù)工作，即晶閘管接通后，門級(jí)就失去了功能。門級(jí)只會(huì)起到觸發(fā)的作用。 3.當(dāng)主電路電壓（或電流）降至接近零時(shí)，當(dāng)主電路電壓（或電流）降為零時(shí)，晶閘管模塊被關(guān)閉。 4.當(dāng)晶閘管模塊承受反向陽極電壓時(shí)，無論門級(jí)承受何種電壓，晶閘管都處于反向閉鎖狀態(tài)。在中頻爐中整流側(cè)關(guān)斷時(shí)間采用KP-60微秒以內(nèi)，逆變側(cè)關(guān)短時(shí)間采用KK-30微秒以內(nèi)。...

晶閘管的主要電參數(shù)有正向轉(zhuǎn)折電壓VBO、正向平均漏電流IFL、反向漏電流IRL、斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM、反向重復(fù)峰值電壓VRRM、正向平均壓降VF、通態(tài)平均電流IT、門極觸發(fā)電壓VG、門極觸發(fā)電流IG、門極反向電壓和維持電流IH等。(一)晶閘管正向轉(zhuǎn)折電壓VBO晶閘管的正向轉(zhuǎn)折電壓VBO是指在額定結(jié)溫為100℃且門極(G)開路的條件下，在其陽極(A)與陰極(K)之間加正弦半波正向電壓、使其由關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)時(shí)所對(duì)應(yīng)的峰值電壓。(二)晶閘管斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM，是指晶閘管在正向阻斷時(shí)，允許加在A、K(或T1、T2)極間比較大的峰值電壓。此電壓約為正向轉(zhuǎn)...

六)晶閘管正向平均電壓降VF正向平均電壓降VF也稱通態(tài)平均電壓或通態(tài)壓降VT，是指在規(guī)定環(huán)境溫度和標(biāo)準(zhǔn)散熱條件下，當(dāng)通過晶閘管的電流為額定電流時(shí)，其陽極A與陰極K之間電壓降的平均值，通常為。(七)晶閘管門極觸發(fā)電壓VGT門極觸發(fā)VGT，是指在規(guī)定的環(huán)境溫度和晶閘管陽極與陰極之間為一定值正向電壓的條件下，使晶閘管從阻斷狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)所需要的最小門極直流電壓，一般為。(八)晶閘管門極觸發(fā)電流IGT門極觸發(fā)電流IGT，是指在規(guī)定環(huán)境溫度和晶閘管陽極與陰極之間為一定值電壓的條件下，使晶閘管從阻斷狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)所需要的最小門極直流電流。(九)晶閘管門極反向電壓門極反向電壓是指晶閘管門極上...