1晶閘管模塊被廣泛應用于工業行業中,對于一些專業的電力技術人員,都知道晶閘管模塊的來歷及各種分類。不過現在從事這一行的人越來越多,有的采購人員對這方面還不是很了解。有的客戶也經常問起我們晶閘管模塊的來歷。現在晶閘管廠家昆二晶就為大家分享一下:2晶閘管模塊誕生后,其結構的改進和工藝的,為新器件的不斷出現提供了條件。1964年,雙向晶閘管在GE公司開發成功,應用于調光和馬達控制;1965年,小功率光觸發晶閘管出現,為其后出現的光耦合器打下了基礎;60年代后期,大功率逆變晶閘管問世,成為當時逆變電路的基本元件;1974年,逆導晶閘管和非對稱晶閘管研制完成。3普通晶閘管廣泛應用于交直流調速、調...
特點:1、芯片與底板電氣絕緣2、國際標準封裝3、全壓接結構,優良的溫度特性和功率循環能力4、350A以下模塊皆為強迫風冷,400A以上模塊既可選用風冷,也可選用水冷5、安裝簡單,使用維修方便典型應用:1、交直流電機控制2、各種整流電源3、工業加熱控制4、調光5、無觸點開關6、電機軟起動7、靜止無功補償8、電焊機9、變頻器10、UPS電源11、如果產品裝機配型不適用,可退換貨給您滿意貼心的服務,是我們一貫的宗旨!有10多年功率半導體元器件制造經驗,是專業從事功率半導體器件的研發、封裝、測試、銷售、技術服務為一體的****,多年來一直從事冶金自動化和鐵路電氣化領域的國產化工作。我公司的...
500Vdc)比較大容抗10pf使用溫度范圍-30℃~+75℃電網頻率47-63Hz㈥不同電流等級的固體繼電器的外形㈦LSR的輸入驅動電路在邏輯電路驅動時應盡可能采用低電平輸出進行驅動,以保證有足夠的帶負載能力和盡可能低的零電平。下圖為正確的灌電流驅動的電路圖(一般適合于D3、D2型):D1型(4-8Vdc)通常與單相或三相LSR移相觸發器配合使用。A3型(90-430Vac)為交流控制交流型,在90-430Vac極寬的范圍內均能可靠觸發繼電器導通,且輸入與輸出沒有相位要求:㈧LSR過壓的保護:除LSR內部本身有RC吸收回路保護外,還可以采取并聯金屬氧化物壓敏電阻(MOV),MOV面積...
按規定應采用風冷的模塊而采用自冷時,則電流的額定值應降低到原有值的30~40[%],反之如果改為采用水冷時,則電流的額定值可以增大30~40[%]。為了幫助用戶合理選擇散熱器和風機,我們確定了不同型號模塊在其額定電流工作狀態下,環境溫度為40℃時所需的散熱器長度、風機規格、數量及散熱器基礎參數等,請參考說明書。另外,在表內出具了每個型號的模塊在峰值壓降、比較大標稱電流和阻性負載條件下的功耗值,以便于用戶自己確定散熱器尺寸時做參考。在實際應用中,應注意以下幾點:(1)軸流風機風速應≥6m/s。(2)若模塊達不到滿負荷工作,可酌減散熱器長度。(3)在設備開機前,應檢查模塊所有螺釘是否牢固,...
電力電子開關技術領域,尤其涉及一種立式晶閘管模塊。背景技術:電力電子開關是指利用電子電路以及電力電子器件實現電路通斷的運行單元,至少包括一個可控的電子驅動器件,如晶閘管、晶體管、場效應管、可控硅、繼電器等。其中,現有的晶閘管*能夠實現單路控制,不利于晶閘管所在電力系統的投切控制。因此,針對上述問題,有必要提出進一步的解決方案。技術實現要素:本發明的目的在于提供一種立式晶閘管模塊,以克服現有技術中存在的不足。為實現上述發明目的,本發明提供一種立式晶閘管模塊,其包括:外殼、蓋板、銅底板、形成于所述蓋板上的接頭、第二接頭和第三接頭、封裝于所述外殼內部的晶閘管單元和第二晶閘管單元;所述晶閘管單...
晶閘管模塊電流規格的選取 1、根據負載性質及負載額定電流進行選取 (1)電阻負載的較大電流應是負載額定電流的2倍。 (2)感性負載的較大電流應為額定負載電流的3倍。 (3)負載電流變化較大時,電流倍數適當增大。 (4)在運行過程中,負載的實際工作電流不應超過模塊的較大電流。 2、散熱器風機的選用 模塊正常工作時必須配備散熱器和風機,推薦采用廠家配套的散熱器和風機。如果用戶是自己提供的,則使用以下原則來選擇: (1)模塊正常工作時,必須能保證冷卻底板溫度不超過75℃; (2)當模塊負載較輕時,可減小散熱器的尺寸或采用自然冷卻; (3...
并通過所述第二門極壓接式組件對所述第三導電片、鉬片、銀片、鋁片施加壓合作用力,所述第三導電片、鉬片、銀片、鋁片依次設置于所述銅底板上。作為本發明的立式晶閘管模塊的改進,任一所述接頭包括:螺栓和螺母,所述螺栓與螺母之間還設置有彈簧墊圈和平墊圈。作為本發明的立式晶閘管模塊的改進,所述銅底板通過硅凝膠對位于其上的導電片、第二導電片、瓷板進行固定。作為本發明的立式晶閘管模塊的改進,所述銅底板通過硅凝膠對位于其上的第三導電片、鉬片、銀片、鋁片進行固定。作為本發明的立式晶閘管模塊的改進,所述壓塊和第二壓塊上還設置有絕緣套管。作為本發明的立式晶閘管模塊的改進,所述絕緣套管與對應的壓塊之間還設置有墊圈...
晶閘管模塊的散熱方法 晶閘管模塊的功耗主要由導通損耗、開關損耗和柵極損耗組成。在工頻或400Hz以下的更多應用是傳導損耗。為了保證器件的長期可靠運行,散熱器及其冷卻方式的選擇與功率半導體模塊設計中電流、電壓額定值的選擇同等重要,不容忽視!散熱器常用的散熱方法有:自然空冷、強制空冷、熱管冷卻、水冷、油冷等。考慮散熱的一般原則是,控制模塊中管芯的連接溫度Tj不超過產品數據表中給出的額定連接溫度。 選擇晶閘管模塊散熱器必須考慮的元素: 1、晶閘管模塊的工作電流決定了所需的冷卻面積。 2、晶閘管模塊的使用環境。根據使用環境冷卻條件來確定何種冷卻方式,包括自然冷卻、強制風冷和...
晶閘管模塊的工作條件: 1.當晶閘管模塊承受正向陽極電壓時,只有在門級承受正向電壓時,晶閘管才打開。此時,晶閘管處于正導通狀態,這就是晶閘管的晶閘管特性,即可控特性。 2.晶閘管模塊開著時,只要有一定的正極電壓,不管門級電壓是多少,晶閘管都繼續工作,即晶閘管接通后,門級就失去了功能。門級只會起到觸發的作用。 3.當主電路電壓(或電流)降至接近零時,當主電路電壓(或電流)降為零時,晶閘管模塊被關閉。 4.當晶閘管模塊承受反向陽極電壓時,無論門級承受何種電壓,晶閘管都處于反向閉鎖狀態。在中頻爐中整流側關斷時間采用KP-60微秒以內,逆變側關短時間采用KK-30微秒以內。...
下面描述中的附圖**是本發明中記載的一些實施例,對于本領域普通技術人員來講,在不付出創造性勞動的前提下,還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本發明的立式晶閘管模塊的一具體實施方式的平面示意圖。具體實施方式下面結合附圖所示的各實施方式對本發明進行詳細說明,但應當說明的是,這些實施方式并非對本發明的限制,本領域普通技術人員根據這些實施方式所作的功能、方法、或者結構上的等效變換或替代,均屬于本發明的保護范圍之內。如圖1所示,本發明的立式晶閘管模塊包括:外殼1、蓋板2、銅底板3、形成于所述蓋板2上的接頭4、第二接頭5和第三接頭6、封裝于所述外殼1內部的晶閘管單元和第二晶閘管單元。其中,任一...
當正向電壓超過其斷態重復峰值電壓UDRM一定值時晶閘管就會誤導通,引發電路故障;當外加反向電壓超過其反向重復峰值電壓URRM一定值時,晶閘管就會立即損壞。因此,必須研究過電壓的產生原因及過電壓的方法。過電壓產生的原因主要是供給的電功率或系統的儲能發生了激烈的變化,使得系統來不及轉換,或者系統中原來積聚的電磁能量來不及消散而造成的。主要發現為雷擊等外來沖擊引起的過電壓和開關的開閉引起的沖擊電壓兩種類型。由雷擊或高壓斷路器動作等產生的過電壓是幾微秒至幾毫秒的電壓尖峰,對晶閘管是很危險的。由開關的開閉引起的沖擊電壓又分為如下幾類:(1)交流電源接通、斷開產生的過電壓例如,交流開關的開閉、交流...
焊機晶閘管模塊故障維修1、松下焊機晶閘管模塊的型號及組成結構:松下焊機維修KR1系列焊機模塊型號見下表;2、松下焊機模塊的測量模塊的陰陽極電阻一般為兆歐極,陰控極電阻為幾歐至十幾歐。測量方法如下圖所示:KR1系列焊機模塊陰控極阻值見下表:另外請注意:在焊機上測量模塊陰控極電阻時,需將與其相連的觸發信號線拔下:測量陰陽極的電阻時,也需將與其相連的主電纜拆掉。模塊故障簡介:(1)陰控極或陰陽極斷路:如果某一組晶閘管的陰控極斷路或阻值變**于幾十歐),該組晶閘管就不能被觸發:而某一組晶閘管的陰、陽極發生斷路時,即便有觸發信號,該組晶閘管也不能導通。以上兩種情況會造成焊機輸出缺相,所表現出的...
單相交流固態繼電器㈠概述龍科交流固態繼電器(英文名稱為LoncontSolid-StateRelay,簡稱LSR)。它為單刀單擲常開式結構,用LED顯示工作狀態。它是用現代微電子技術與電力電子技術發展起來的一種新型無觸點開關器件。它可以實現用微弱的控制信號(幾毫安到幾十毫安)控制0.1A直至幾百A電流負載,進行無觸點接通或分斷。它為四端有源器件,兩個輸入控制端,兩個負載輸出端,輸出端與負載、電源串聯,輸入輸出之間為光電隔離,內置RC吸收回路,輸入端加上直流或脈沖信號,輸出端就能從斷態轉變成通態。整個器件沒有任何可動部件或觸點,實現了相當于電磁繼電器的功能。固態繼電器工作可靠,無觸點、無...
晶閘管模塊的散熱方法 晶閘管模塊的功耗主要由導通損耗、開關損耗和柵極損耗組成。在工頻或400Hz以下的更多應用是傳導損耗。為了保證器件的長期可靠運行,散熱器及其冷卻方式的選擇與功率半導體模塊設計中電流、電壓額定值的選擇同等重要,不容忽視!散熱器常用的散熱方法有:自然空冷、強制空冷、熱管冷卻、水冷、油冷等。考慮散熱的一般原則是,控制模塊中管芯的連接溫度Tj不超過產品數據表中給出的額定連接溫度。 選擇晶閘管模塊散熱器必須考慮的元素: 1、晶閘管模塊的工作電流決定了所需的冷卻面積。 2、晶閘管模塊的使用環境。根據使用環境冷卻條件來確定何種冷卻方式,包括自然冷卻、強制風冷和...
三)按封裝形式分類晶閘管按其封裝形式可分為金屬封裝晶閘管、塑封晶閘管和陶瓷封裝晶閘管三種類型。其中,金屬封裝晶閘管又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種;塑封晶閘管又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。(四)按電流容量分類晶閘管按電流容量可分為大功率晶閘管、**率晶閘管和小功率晶閘管三種。通常,大功率晶閘管多采用金屬殼封裝,而中、小功率晶閘管則多采用塑封或陶瓷封裝。(五)按關斷速度分類晶閘管按其關斷速度可分為普通晶閘管和高頻(快速)晶閘管。晶體閘流管工作原理編輯晶閘管T在工作過程中,它的陽極A和陰極K與電源和負載連接,組成晶閘管的主電路,晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接,組成晶閘...
由于晶閘管在導通期間,載流子充滿元件內部,所以元件在關斷過程中,正向電壓下降到零時,內部仍殘存著載流子。這些積蓄的載流子在反向電壓作用下瞬時出現較大的反向電流,使積蓄載流子迅速消失,這時反向電流消失的極快,即di/dt極大。因此即使和元件串連的線路電感L很小,電感產生的感應電勢L(di/dt)值仍很大,這個電勢和電源電壓串聯,反向加在已恢復阻斷的元件上,可能導致晶閘管的反向擊穿。這種由于晶閘管關斷引起的過電壓,稱為關斷過電壓,其數值可達工作電壓峰值的5~6倍,所以必須采取措施。阻容吸收電路中電容器把過電壓的電磁能量變成靜電能量存貯,電阻防止電容和電感產生諧振、限制晶閘管開通損耗和電流上...
單相交流固態繼電器㈠概述龍科交流固態繼電器(英文名稱為LoncontSolid-StateRelay,簡稱LSR)。它為單刀單擲常開式結構,用LED顯示工作狀態。它是用現代微電子技術與電力電子技術發展起來的一種新型無觸點開關器件。它可以實現用微弱的控制信號(幾毫安到幾十毫安)控制0.1A直至幾百A電流負載,進行無觸點接通或分斷。它為四端有源器件,兩個輸入控制端,兩個負載輸出端,輸出端與負載、電源串聯,輸入輸出之間為光電隔離,內置RC吸收回路,輸入端加上直流或脈沖信號,輸出端就能從斷態轉變成通態。整個器件沒有任何可動部件或觸點,實現了相當于電磁繼電器的功能。固態繼電器工作可靠,無觸點、無...
紅表筆接K極時,電阻呈低阻值,對其它情況電阻值均為無窮大。由此可迅速判定G、K極,剩下的就是A極。2.檢查觸發能力如圖2(a)所示,首先將表Ⅰ的黑表筆接A極,紅表筆接K極,電阻為無窮大;然后用黑表筆尖也同時接觸G極,加上正向觸發信號,表針向右偏轉到低阻值即表明GTO已經導通;脫開G極,只要GTO維持通態,就說明被測管具有觸發能力。3.檢查關斷能力現采用雙表法檢查GTO的關斷能力,如圖2(b)所示,表Ⅰ的檔位及接法保持不變。將表Ⅱ撥于R×10檔,紅表筆接G極,黑表筆接K極,施以負向觸發信號,如果表Ⅰ的指針向左擺到無窮大位置,證明GTO具有關斷能力。4.估測關斷增益βoff進行到第3步時,...
晶閘管模塊的類型 晶閘管模塊通常被稱之為功率半導體模塊,是采用模塊封裝形式,具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。 根據封裝工藝的不同,晶閘管模塊可分為焊接型和壓型兩種。 晶閘管模塊可分為:普通晶閘管模塊(MTC\MTX);普通整流模塊(MDC);普通晶閘管、整流混合模塊(MFC);快速晶閘管、整流混合模塊(MKC\MZC);非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊(通常稱為電焊機**模塊MTG\MDG);三相整流橋輸出晶閘管模塊(MDS);單相(三相)整流橋模塊(MDQ);單相半控橋(三相全控橋)模塊(MTS)。 正高電氣以誠信為根本,以質量服務求生存。福建雙向晶閘管模塊...
AA)替代國外模塊型號ZX5WSMNBK雙反星并聯帶平衡電抗器200AMTG100A/800VMTG(AA)60A/400V三社(SanRex)PWB60A;三菱(MITSUBI)TM60SZ-M;TM60SA-6250A315AMTG150A/800VMTG(AA)80A/400VSanRexPWB90A;MITSUBITM100SZ-MTM90SA-6英達PFT9003N350A400AMTG200A/800VMTG(AA)130A/400VSanRexPWB130A;MITSUBITM130SZ-M;英達PFT1303N500A630AMTG250A/800VMTG(AA)160...
壓接式和焊接式可控硅模塊有哪些區別?可控硅模塊屬于一種使用模塊封裝形式,擁有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件,這種可控硅模塊的體積非常的小,結構也十分的緊湊,對于維修與安裝都有很大的作用,可控硅模塊的類型非常的多,比方說壓接式可控硅模塊、焊接式可控硅模塊等,很多人不是很清楚兩者之間的差異,下面詳細的進行區分一下。①從電流方面來講,焊接式可控硅模塊可以做到160A電流,同時壓接式模塊的電流就能夠達到1200A,這就是講低于160A的模塊,不只是有焊接式的,同時也有壓接式的。可控硅模塊②從外形方面來講,焊接式的可控硅模塊遠遠沒有壓接式的外形比較好,壓接式的屬于一體成型,技術十分的標準...
所述銅底板3上涂覆有硅凝膠,所述硅凝膠對所述導電片9、第二導電片10、瓷板11進行包覆固定。從而,所述銅底板3通過所述硅凝膠實現對位于其上的導電片9、第二導電片10、瓷板11進行固定。所述第二晶閘管單元包括:第二壓塊12、第二門極壓接式組件13、第三導電片14、鉬片15、銀片16、鋁片17。其中,所述第二壓塊12設置于所述第二門極壓接式組件13上,并通過所述第二門極壓接式組件13對所述第三導電片14、鉬片15、銀片16、鋁片17施加壓合作用力,所述第三導電片14、鉬片15、銀片16、鋁片17依次設置于所述銅底板3上。為了實現所述第三導電片14、鉬片15、銀片16、鋁片17與銅底板3的固...
AA)替代國外模塊型號ZX5WSMNBK雙反星并聯帶平衡電抗器200AMTG100A/800VMTG(AA)60A/400V三社(SanRex)PWB60A;三菱(MITSUBI)TM60SZ-M;TM60SA-6250A315AMTG150A/800VMTG(AA)80A/400VSanRexPWB90A;MITSUBITM100SZ-MTM90SA-6英達PFT9003N350A400AMTG200A/800VMTG(AA)130A/400VSanRexPWB130A;MITSUBITM130SZ-M;英達PFT1303N500A630AMTG250A/800VMTG(AA)160...
如大功率電阻、大功率三極管以及電源變壓器等。對于大功率晶閘管,必須按手冊申的要求加裝散熱裝置及冷卻條件,以保證管子工作時的溫度不超過結溫。②晶閘管在使用中發生超越和短路現象時,會引發過電流將管子燒毀。對于過電流,一般可在交流電源中加裝快速保險絲加以保護。快速保險絲的熔斷時間極短,一般保險絲的額定電流用晶閘管額定平均電流的。③交流電源在接通與斷開時,有可能在晶閘管的導通或阻斷對出現過壓現象,將管子擊穿。對于過電壓,可采用并聯RC吸收電路的方法。因為電容兩端的電壓不能突變,所以只要在晶閘管的陰極及陽極間并取RC電路,就可以削弱電源瞬間出現的過電壓,起到保護晶閘管的作用。當然也可以采用壓敏電...
1晶閘管模塊被廣泛應用于工業行業中,對于一些專業的電力技術人員,都知道晶閘管模塊的來歷及各種分類。不過現在從事這一行的人越來越多,有的采購人員對這方面還不是很了解。有的客戶也經常問起我們晶閘管模塊的來歷。現在晶閘管廠家昆二晶就為大家分享一下:2晶閘管模塊誕生后,其結構的改進和工藝的,為新器件的不斷出現提供了條件。1964年,雙向晶閘管在GE公司開發成功,應用于調光和馬達控制;1965年,小功率光觸發晶閘管出現,為其后出現的光耦合器打下了基礎;60年代后期,大功率逆變晶閘管問世,成為當時逆變電路的基本元件;1974年,逆導晶閘管和非對稱晶閘管研制完成。3普通晶閘管廣泛應用于交直流調速、調...
當正向電壓超過其斷態重復峰值電壓UDRM一定值時晶閘管就會誤導通,引發電路故障;當外加反向電壓超過其反向重復峰值電壓URRM一定值時,晶閘管就會立即損壞。因此,必須研究過電壓的產生原因及過電壓的方法。過電壓產生的原因主要是供給的電功率或系統的儲能發生了激烈的變化,使得系統來不及轉換,或者系統中原來積聚的電磁能量來不及消散而造成的。主要發現為雷擊等外來沖擊引起的過電壓和開關的開閉引起的沖擊電壓兩種類型。由雷擊或高壓斷路器動作等產生的過電壓是幾微秒至幾毫秒的電壓尖峰,對晶閘管是很危險的。由開關的開閉引起的沖擊電壓又分為如下幾類:(1)交流電源接通、斷開產生的過電壓例如,交流開關的開閉、交流...
下面描述中的附圖**是本發明中記載的一些實施例,對于本領域普通技術人員來講,在不付出創造性勞動的前提下,還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本發明的立式晶閘管模塊的一具體實施方式的平面示意圖。具體實施方式下面結合附圖所示的各實施方式對本發明進行詳細說明,但應當說明的是,這些實施方式并非對本發明的限制,本領域普通技術人員根據這些實施方式所作的功能、方法、或者結構上的等效變換或替代,均屬于本發明的保護范圍之內。如圖1所示,本發明的立式晶閘管模塊包括:外殼1、蓋板2、銅底板3、形成于所述蓋板2上的接頭4、第二接頭5和第三接頭6、封裝于所述外殼1內部的晶閘管單元和第二晶閘管單元。其中,任一...
產生足夠大的極電極電流Ic2流過PNP管的發射結,并提高了PNP管的電流放大系數a1,產生更大的極電極電流Ic1流經NPN管的發射結。這樣強烈的正反饋過程迅速進行。從圖3,當a1和a2隨發射極電流增加而(a1+a2)≈1時,式(1—1)中的分母1-(a1+a2)≈0,因此提高了晶閘管的陽極電流Ia.這時,流過晶閘管的電流完全由主回路的電壓和回路電阻決定。晶閘管已處于正向導通狀態。式(1—1)中,在晶閘管導通后,1-(a1+a2)≈0,即使此時門極電流Ig=0,晶閘管仍能保持原來的陽極電流Ia而繼續導通。晶閘管在導通后,門極已失去作用。在晶閘管導通后,如果不斷的減小電源電壓或增大回路電阻...
單相交流固態繼電器㈠概述龍科交流固態繼電器(英文名稱為LoncontSolid-StateRelay,簡稱LSR)。它為單刀單擲常開式結構,用LED顯示工作狀態。它是用現代微電子技術與電力電子技術發展起來的一種新型無觸點開關器件。它可以實現用微弱的控制信號(幾毫安到幾十毫安)控制0.1A直至幾百A電流負載,進行無觸點接通或分斷。它為四端有源器件,兩個輸入控制端,兩個負載輸出端,輸出端與負載、電源串聯,輸入輸出之間為光電隔離,內置RC吸收回路,輸入端加上直流或脈沖信號,輸出端就能從斷態轉變成通態。整個器件沒有任何可動部件或觸點,實現了相當于電磁繼電器的功能。固態繼電器工作可靠,無觸點、無...
當正向電壓超過其斷態重復峰值電壓UDRM一定值時晶閘管就會誤導通,引發電路故障;當外加反向電壓超過其反向重復峰值電壓URRM一定值時,晶閘管就會立即損壞。因此,必須研究過電壓的產生原因及過電壓的方法。過電壓產生的原因主要是供給的電功率或系統的儲能發生了激烈的變化,使得系統來不及轉換,或者系統中原來積聚的電磁能量來不及消散而造成的。主要發現為雷擊等外來沖擊引起的過電壓和開關的開閉引起的沖擊電壓兩種類型。由雷擊或高壓斷路器動作等產生的過電壓是幾微秒至幾毫秒的電壓尖峰,對晶閘管是很危險的。由開關的開閉引起的沖擊電壓又分為如下幾類:(1)交流電源接通、斷開產生的過電壓例如,交流開關的開閉、交流...