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強型120A增強型150A增強型200A增強型300A增強型400A型號LSR-H3Z50D3LSR-H3Z50D2LSR-H3Z50A3LSR-H3P50D1H3Z70D3H3Z70D2H3Z70A3H3P70D1H3Z90D3H3Z90D2H3Z90A3H3P90D1H3100ZFH3Z1**3H3Z1**2H3Z120A3H3P1**1H3120ZFH3Z150D3H3Z150D2H3P150D1H3150ZEH3Z200D3H3Z200D2H3P200D1H3200ZEH3Z300D3H3Z300D2H3P300D1H3300ZDH3Z400D3H3Z400D2H3P40...

1、過流保護如果想得到較安全的過流保護，建議用戶優先使用內部帶過流保護作用的模塊。另外還可采用外接快速熔斷器、快速過電流繼電器、傳感器的方法。快速熔斷器是**簡單常用的方法，介紹如下：（1）快速熔斷器的選擇：①、熔斷器的額定電壓應大于模塊輸入端電壓；②、熔斷器的額定電流應為模塊標稱輸入電流的，按照計算值選擇相同電流或稍大一點的熔斷器。模塊輸入、輸出電流的換算關系參考本本博客有關文章。用戶也可根據經驗和試驗自行確定熔斷器的額定電流。（2）接線方法：快速熔斷器接在模塊的輸入端，負載接輸出端。2、過壓保護晶閘管承受過電壓的能力較差，當元件承受的反向電壓超過其反向擊穿電壓時，即使時間很短，也會造...

電力電子開關技術領域，尤其涉及一種立式晶閘管模塊。背景技術：電力電子開關是指利用電子電路以及電力電子器件實現電路通斷的運行單元,至少包括一個可控的電子驅動器件，如晶閘管、晶體管、場效應管、可控硅、繼電器等。其中，現有的晶閘管*能夠實現單路控制，不利于晶閘管所在電力系統的投切控制。因此，針對上述問題，有必要提出進一步的解決方案。技術實現要素：本發明的目的在于提供一種立式晶閘管模塊，以克服現有技術中存在的不足。為實現上述發明目的，本發明提供一種立式晶閘管模塊，其包括：外殼、蓋板、銅底板、形成于所述蓋板上的接頭、第二接頭和第三接頭、封裝于所述外殼內部的晶閘管單元和第二晶閘管單元；所述晶閘管單...

壓接式和焊接式可控硅模塊有哪些區別？可控硅模塊屬于一種使用模塊封裝形式，擁有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件，這種可控硅模塊的體積非常的小，結構也十分的緊湊，對于維修與安裝都有很大的作用，可控硅模塊的類型非常的多，比方說壓接式可控硅模塊、焊接式可控硅模塊等，很多人不是很清楚兩者之間的差異，下面詳細的進行區分一下。①從電流方面來講，焊接式可控硅模塊可以做到160A電流，同時壓接式模塊的電流就能夠達到1200A，這就是講低于160A的模塊，不只是有焊接式的，同時也有壓接式的。可控硅模塊②從外形方面來講，焊接式的可控硅模塊遠遠沒有壓接式的外形比較好，壓接式的屬于一體成型，技術十分的標準...

電焊機在進行各種金屬焊接時，根據焊接工藝的不同，對焊接時電弧的電壓和電流有不同的要求，因此需要各種不同特*流或直流電源。例如，在點、凸、峰焊、電阻焊時需要調節焊接隔離變壓器原邊的電壓大小（相控調壓或改變通過的周波數量），屬于晶閘管應用于交流調壓；在各種氬弧焊、CO2氣體保護焊中需要的是直流電源或交直流方波電源。交流應用時，反并聯的晶閘管串接在主回路中，直流調壓應用時，晶閘管可以組成單、三相全控或半控或雙反星型電路。改變晶閘管的導通角或控制晶閘管的開關時間即可達到調節焊接電壓和電流的目的。尤其是近幾年來，CO2氣體保護焊機發展比較迅速，據報道，發達國家這種焊機占到百分之六十或七十的比例，...

紅表筆接K極時，電阻呈低阻值，對其它情況電阻值均為無窮大。由此可迅速判定G、K極，剩下的就是A極。2．檢查觸發能力如圖2(a)所示，首先將表Ⅰ的黑表筆接A極，紅表筆接K極，電阻為無窮大；然后用黑表筆尖也同時接觸G極，加上正向觸發信號，表針向右偏轉到低阻值即表明GTO已經導通；脫開G極，只要GTO維持通態，就說明被測管具有觸發能力。3．檢查關斷能力現采用雙表法檢查GTO的關斷能力，如圖2(b)所示，表Ⅰ的檔位及接法保持不變。將表Ⅱ撥于R×10檔，紅表筆接G極，黑表筆接K極，施以負向觸發信號，如果表Ⅰ的指針向左擺到無窮大位置，證明GTO具有關斷能力。4．估測關斷增益βoff進行到第3步時，...

晶閘管模塊也被稱為晶體閘流管，也被稱為可控硅模塊：它是一種功率半導體器件。它具有容量大、效率高、可控性好、使用壽命長、體積小等優點。它是弱電控制與受控強電之間的橋梁。從節能的角度看，電力電子技術被稱為新的電氣技術。我國能源利用率相對較低。按國民生產單位產值能耗計算。因此，所以晶閘管為**的電控裝置是我國有效節能的重要措施。 晶閘管模塊是過去市場上常用的一種集成模塊。根據不同的電流規格，它可以形成各種形式和電流規格的電路。MTC模塊是一種單臂橋式模塊。根據芯片電流規格，它可以形成三個不同功率的（單）交（整）流電路。 正高電氣設備的引進更加豐富了公司的設備品種，為用戶提供了更多的選擇空間...

大中小電力半導體可控硅普通晶閘管模塊MTC25A2015-06-21共同成長8...展開全文一、產品特點：1、芯片與底板電氣絕緣，2500V交流電壓；2、國際標準封裝；3、真空+充氫保護焊接技術；4、壓接結構，優良的溫度特性和功率循環能力；5、輸入-輸出端之間隔離耐壓≥2500VAC；6、200A以下模塊皆為強迫風冷，300A以上模塊，既可選用風冷，也可選用水冷；7、安裝簡單，使用維修方便，體積小，重量輕。二、型號說明：三、技術參數：型號通態平均電流反向斷態重復峰值電壓通態峰值電壓通態峰值電流正反向重復峰值電流觸發電流觸發電壓維持電流斷態電壓臨界上升率通態電流臨界上升率比較高額定結溫絕...

下面描述中的附圖**是本發明中記載的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本發明的立式晶閘管模塊的一具體實施方式的平面示意圖。具體實施方式下面結合附圖所示的各實施方式對本發明進行詳細說明，但應當說明的是，這些實施方式并非對本發明的限制，本領域普通技術人員根據這些實施方式所作的功能、方法、或者結構上的等效變換或替代，均屬于本發明的保護范圍之內。如圖1所示，本發明的立式晶閘管模塊包括：外殼1、蓋板2、銅底板3、形成于所述蓋板2上的接頭4、第二接頭5和第三接頭6、封裝于所述外殼1內部的晶閘管單元和第二晶閘管單元。其中，任一...

晶閘管模塊的散熱方法 晶閘管模塊的功耗主要由導通損耗、開關損耗和柵極損耗組成。在工頻或400Hz以下的更多應用是傳導損耗。為了保證器件的長期可靠運行，散熱器及其冷卻方式的選擇與功率半導體模塊設計中電流、電壓額定值的選擇同等重要，不容忽視！散熱器常用的散熱方法有：自然空冷、強制空冷、熱管冷卻、水冷、油冷等。考慮散熱的一般原則是，控制模塊中管芯的連接溫度Tj不超過產品數據表中給出的額定連接溫度。 選擇晶閘管模塊散熱器必須考慮的元素： 1、晶閘管模塊的工作電流決定了所需的冷卻面積。 2、晶閘管模塊的使用環境。根據使用環境冷卻條件來確定何種冷卻方式，包括自然冷卻、強制風冷和...

強型120A增強型150A增強型200A增強型300A增強型400A型號LSR-H3Z50D3LSR-H3Z50D2LSR-H3Z50A3LSR-H3P50D1H3Z70D3H3Z70D2H3Z70A3H3P70D1H3Z90D3H3Z90D2H3Z90A3H3P90D1H3100ZFH3Z1**3H3Z1**2H3Z120A3H3P1**1H3120ZFH3Z150D3H3Z150D2H3P150D1H3150ZEH3Z200D3H3Z200D2H3P200D1H3200ZEH3Z300D3H3Z300D2H3P300D1H3300ZDH3Z400D3H3Z400D2H3P40...

電力半導體器件有：全系列功率模塊(MTC、MFC、MDC、MDQ、MDS)，普通整流管(ZP)，快速整流管(ZK)，軟恢復快速整流管(FRD)，旋轉整流管(ZX)，大功率組合整流元件，普通晶閘管(KP)，快速晶閘管(KK)，雙向晶閘管(KS)，逆導晶閘管(KN)，可關斷晶閘管(GTO)，電力晶體管(GTR)發電機旋轉勵磁整流組件，各種功率單元。這些元件廣泛應用于電化學電源，充電電源，電機調速，感應加熱及熱處理等各種整流、逆變和變頻領域。我公司所生產的電力電子器件成功的替代了多種進口器件，實現了自動軋機原器件的國產化；6K、6G、8K、8G電力機車原器件也全部由我公司國產化，使用壽命超過...

簡稱過零型）和隨機導通型（簡稱隨機型）；按輸出開關元件分有雙向可控硅輸出型（普通型）和單向可控硅反并聯型（增強型）；按安裝方式分有印刷線路板上用的針插式（自然冷卻，不必帶散熱器）和固定在金屬底板上的裝置式（靠散熱器冷卻）；另外輸入端①直流恒流控制型（D3），電壓為3-36Vdc寬范圍，驅動電流為5-15mA；②直流抗干擾控制型（D2），電壓為18-30Vdc；③串電阻限流型（D1），電壓為4-8Vdc，**于隨機型LSR；④交流控制型（A3），電壓為90-430Vac寬范圍。⑴過零型(Z型)與隨機型(P型)LSR的區別由于觸發信號方式不同，過零型和隨機型之間的區別主要在于負載交流電流導...

軟恢復快速整流管(FRD)，旋轉整流管(ZX)，大功率組合整流元件，普通晶閘管(KP)，快速晶閘管(KK)，雙向晶閘管(KS)，逆導晶閘管(KN)，可關斷晶閘管(GTO)，電力晶體管(GTR)發電機旋轉勵磁整流組件，各種功率單元。這些元件廣泛應用于電化學電源，充電電源，電機調速，感應加熱及熱處理等各種整流、逆變和變頻領域。我公司所生產的電力電子器件成功的替代了多種進口器件，實現了自動軋機原器件的國產化；6K、6G、8K、8G電力機車原器件也全部由我公司國產化，使用壽命超過了進口元件。在自動控制方面，我公司成功開發出各種工控板，應用在各種不同的場合，真正形成了控制方式靈活，保護齊全，可靠...

晶體閘流管工作過程編輯晶閘管是四層三端器件，它有J1、J2、J3三個PN結圖1，可以把它中間的NP分成兩部分，構成一個PNP型三極管和一個NPN型三極管的復合管當晶閘管承受正向陽極電壓時，為使晶閘管導通，必須使承受反向電壓的PN結J2失去阻擋作用。因此，兩個互相復合的晶體管電路，當有足夠的門極電流Ig流入時，就會形成強烈的正反饋，造成兩晶體管飽和導通，晶體管飽和導通。設PNP管和NPN管的集電極電流相應為Ic1和Ic2；發射極電流相應為Ia和Ik；電流放大系數相應為a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik，設流過J2結的反相漏電電流為Ic0,晶閘管的陽極電流等于兩管的集電極電流和漏電流的...

VDRM）的計算：由公式：Ud=考慮兩倍的選擇余量后VRRM；VDRM=2xxU2=2x因此選擇耐壓200V-300V的器件足夠。2、器件額定電流IT（AV）的計算：由于該線路相當于兩組三相半波整流電路的串聯,根據公式：Ie=:Ie=(此值為交流有效值)折算為平均值IT（AV）=Ie/考慮選型需按IT(AV)=()IT=232A()=348A-462A顯然,目前沒有如此大電流的模塊,應建議客戶采用400-500A的平板式可控硅為宜。以上兩種線路對器件耐壓和通流能力的要求是不一樣的。后一種線路對器件耐壓要求比前一種線路低一倍，但通流能力要求大兩倍。四、使用模塊產品注意事項：l電力半導體模...

強型120A增強型150A增強型200A增強型300A增強型400A型號LSR-H3Z50D3LSR-H3Z50D2LSR-H3Z50A3LSR-H3P50D1H3Z70D3H3Z70D2H3Z70A3H3P70D1H3Z90D3H3Z90D2H3Z90A3H3P90D1H3100ZFH3Z1**3H3Z1**2H3Z120A3H3P1**1H3120ZFH3Z150D3H3Z150D2H3P150D1H3150ZEH3Z200D3H3Z200D2H3P200D1H3200ZEH3Z300D3H3Z300D2H3P300D1H3300ZDH3Z400D3H3Z400D2H3P40...

3）換相沖擊電壓包括換相過電壓和換相振蕩過電壓。換相過電壓是由于晶閘管的電流降為0時器件內部各結層殘存載流子復合所產生的，所以又叫載流子積蓄效應引起的過電壓。換相過電壓之后，出現換相振蕩過電壓，它是由于電感、電容形成共振產生的振蕩電壓，其值和換相結束后的反向電壓有關。反向電壓越高，換相振蕩過電壓也越大。針對形成過電壓的不同原因，可以采取不同的方法，如減少過電壓源，并使過電壓幅值衰減；過電壓能量上升的速率，延緩已產生能量的消散速度，增加其消散的途徑；采用電子線路進行保護等。**常用的是在回路中接入吸收能量的元件，使能量得以消散，常稱之為吸收回路或緩沖電路。（4）阻容吸收回路通常過電壓均具有...

特點：1、芯片與底板電氣絕緣2、國際標準封裝3、全壓接結構，優良的溫度特性和功率循環能力4、350A以下模塊皆為強迫風冷，400A以上模塊既可選用風冷，也可選用水冷5、安裝簡單，使用維修方便典型應用：1、交直流電機控制2、各種整流電源3、工業加熱控制4、調光5、無觸點開關6、電機軟起動7、靜止無功補償8、電焊機9、變頻器10、UPS電源11、如果產品裝機配型不適用，可退換貨給您滿意貼心的服務，是我們一貫的宗旨！有10多年功率半導體元器件制造經驗，是專業從事功率半導體器件的研發、封裝、測試、銷售、技術服務為一體的****，多年來一直從事冶金自動化和鐵路電氣化領域的國產化工作。我公司的...

硒堆的特點是其動作電壓和溫度有關，溫度越低耐壓越高；另外是硒堆具有自恢復特性，能多次使用，當過電壓動作后硒基片上的灼傷孔被溶化的硒重新覆蓋，又重新恢復其工作特性。壓敏電阻是以氧化鋅為基體的金屬氧化物非線性電阻，其結構為兩個電極，電極之間填充的粒徑為10~50μm的不規則的ZNO微結晶，結晶粒間是厚約1μm的氧化鉍粒界層。這個粒界層在正常電壓下呈高阻狀態，只有很小的漏電流，其值小于100μA。當加上電壓時，引起了電子雪崩，粒界層迅速變成低阻抗，電流迅速增加，泄漏了能量，了過電壓，從而使晶閘管得到保護。浪涌過后，粒界層又恢復為高阻態。壓敏電阻的特性主要由下面幾個參數來表示。標稱電壓：指壓敏...

以提高測試電壓和測試電流，使GTO可靠地導通。（2）要準確測量GTO的關斷增益βoff，必須有**測試設備。但在業余條件下可用上述方法進行估測。由于測試條件不同，測量結果*供參考，或作為相對比較的依據。逆導晶閘管RCT(Reverse-ConductingThyristir)亦稱反向導通晶閘管。其特點是在晶閘管的陽極與陰極之間反向并聯一只二極管，使陽極與陰極的發射結均呈短路狀態。由于這種特殊電路結構，使之具有耐高壓、耐高溫、關斷時間短、通態電壓低等優良性能。例如，逆導晶閘管的關斷時間*幾微秒，工作頻率達幾十千赫，優于快速晶閘管（FSCR）。該器件適用于開關電源、UPS不間斷電源中，一只...

750V通態平均電流IT（AV）：5A比較大通態電壓VT：3V（IT=30A）比較大反向導通電壓VTR：<比較大門極觸發電壓VGT:4V比較大門極觸發電流IGT:40mA關斷時間toff:μs通態電壓臨界上升率du/dt:120V/μs通態浪涌電流ITSM:80A利用萬用表和兆歐表可以檢查逆導晶閘管的好壞。測試內容主要分三項：1．檢查逆導性選擇萬用表R×1檔，黑表筆接K極，紅表筆接A極（參見圖3(a)），電阻值應為5～10Ω。若阻值為零，證明內部二極管短路；電阻為無窮大，說明二極管開路。2．測量正向直流轉折電壓V（BO）按照（b）圖接好電路，再按額定轉速搖兆歐表，使RCT正向擊穿，由直...

紅表筆接K極時，電阻呈低阻值，對其它情況電阻值均為無窮大。由此可迅速判定G、K極，剩下的就是A極。2．檢查觸發能力如圖2(a)所示，首先將表Ⅰ的黑表筆接A極，紅表筆接K極，電阻為無窮大；然后用黑表筆尖也同時接觸G極，加上正向觸發信號，表針向右偏轉到低阻值即表明GTO已經導通；脫開G極，只要GTO維持通態，就說明被測管具有觸發能力。3．檢查關斷能力現采用雙表法檢查GTO的關斷能力，如圖2(b)所示，表Ⅰ的檔位及接法保持不變。將表Ⅱ撥于R×10檔，紅表筆接G極，黑表筆接K極，施以負向觸發信號，如果表Ⅰ的指針向左擺到無窮大位置，證明GTO具有關斷能力。4．估測關斷增益βoff進行到第3步時，...

VDRM）的計算：由公式：Ud=考慮兩倍的選擇余量后VRRM；VDRM=2xxU2=2x因此選擇耐壓200V-300V的器件足夠。2、器件額定電流IT（AV）的計算：由于該線路相當于兩組三相半波整流電路的串聯,根據公式：Ie=:Ie=(此值為交流有效值)折算為平均值IT（AV）=Ie/考慮選型需按IT(AV)=()IT=232A()=348A-462A顯然,目前沒有如此大電流的模塊,應建議客戶采用400-500A的平板式可控硅為宜。以上兩種線路對器件耐壓和通流能力的要求是不一樣的。后一種線路對器件耐壓要求比前一種線路低一倍，但通流能力要求大兩倍。四、使用模塊產品注意事項：l電力半導體模...

充電電源，電機調速，感應加熱及熱處理等各種整流、逆變和變頻領域。我公司所生產的電力電子器件成功的替代了多種進口器件，實現了自動軋機原器件的國產化；6K、6G、8K、8G電力機車原器件也全部由我公司國產化，使用壽命超過了進口元件。在自動控制方面，我公司成功開發出各種工控板，應用在各種不同的場合，真正形成了控制方式靈活，保護齊全，可靠性高的優勢。與模塊結合開發了智能模塊。廣泛應用于不同行業各種領。在散熱器方面公司成功開發了，通過努力已進入了國內的輸變電行業、機車行業所需的高端市場。我公司秉承快速反應、持續改進的工作作風，融入世界的發展戰略，致力于提高品牌知名度的發展目標，建成國際前列、國內...

所述銅底板3上涂覆有硅凝膠，所述硅凝膠對所述導電片9、第二導電片10、瓷板11進行包覆固定。從而，所述銅底板3通過所述硅凝膠實現對位于其上的導電片9、第二導電片10、瓷板11進行固定。所述第二晶閘管單元包括：第二壓塊12、第二門極壓接式組件13、第三導電片14、鉬片15、銀片16、鋁片17。其中，所述第二壓塊12設置于所述第二門極壓接式組件13上，并通過所述第二門極壓接式組件13對所述第三導電片14、鉬片15、銀片16、鋁片17施加壓合作用力，所述第三導電片14、鉬片15、銀片16、鋁片17依次設置于所述銅底板3上。為了實現所述第三導電片14、鉬片15、銀片16、鋁片17與銅底板3的固...

電力電子開關技術領域，尤其涉及一種立式晶閘管模塊。背景技術：電力電子開關是指利用電子電路以及電力電子器件實現電路通斷的運行單元,至少包括一個可控的電子驅動器件，如晶閘管、晶體管、場效應管、可控硅、繼電器等。其中，現有的晶閘管*能夠實現單路控制，不利于晶閘管所在電力系統的投切控制。因此，針對上述問題，有必要提出進一步的解決方案。技術實現要素：本發明的目的在于提供一種立式晶閘管模塊，以克服現有技術中存在的不足。為實現上述發明目的，本發明提供一種立式晶閘管模塊，其包括：外殼、蓋板、銅底板、形成于所述蓋板上的接頭、第二接頭和第三接頭、封裝于所述外殼內部的晶閘管單元和第二晶閘管單元；所述晶閘管單...

晶閘管模塊也被稱為晶體閘流管，也被稱為可控硅模塊：它是一種功率半導體器件。它具有容量大、效率高、可控性好、使用壽命長、體積小等優點。它是弱電控制與受控強電之間的橋梁。從節能的角度看，電力電子技術被稱為新的電氣技術。我國能源利用率相對較低。按國民生產單位產值能耗計算。因此，所以晶閘管為**的電控裝置是我國有效節能的重要措施。 晶閘管模塊是過去市場上常用的一種集成模塊。根據不同的電流規格，它可以形成各種形式和電流規格的電路。MTC模塊是一種單臂橋式模塊。根據芯片電流規格，它可以形成三個不同功率的（單）交（整）流電路。 正高電氣建立雙方共贏的伙伴關系是我們孜孜不斷的追求。行車可控硅集成調壓...

500Vdc）比較大容抗10pf使用溫度范圍-30℃~+75℃電網頻率47-63Hz㈥不同電流等級的固體繼電器的外形㈦LSR的輸入驅動電路在邏輯電路驅動時應盡可能采用低電平輸出進行驅動，以保證有足夠的帶負載能力和盡可能低的零電平。下圖為正確的灌電流驅動的電路圖（一般適合于D3、D2型）：D1型（4-8Vdc）通常與單相或三相LSR移相觸發器配合使用。A3型（90-430Vac）為交流控制交流型，在90-430Vac極寬的范圍內均能可靠觸發繼電器導通，且輸入與輸出沒有相位要求：㈧LSR過壓的保護：除LSR內部本身有RC吸收回路保護外，還可以采取并聯金屬氧化物壓敏電阻（MOV），MOV面積...

在快速無功補償和諧波濾波裝置中，要用晶閘管投切電容器TSC，。執行元件晶閘管根據應用場合的不同，有餅式的、模塊的和雙向可控硅的不同結構型式。針對不同的主回路和不同的晶閘管型式，觸發電路也不同。TSC要求在晶閘管電壓過零點觸發，確定晶閘管電壓過零點的方法有兩種，一種是從電網電壓取得同步信號，另一種是從晶閘管的陽極和陰極取得過零信號。晶閘管投切電容器的原理晶閘管投切電容器組的關鍵技術是必須做到投切時無電流沖擊。晶閘管投切電容器組的原理如圖1所示。圖1晶閘管投切電容器組的原理可控硅晶閘管模塊產品優勢特點1.電壓過零觸發，電流過零斷開，無沖擊電流；2.光電隔離，抗干擾能力強，響應時間＜15ms...