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750V通態平均電流IT（AV）：5A比較大通態電壓VT：3V（IT=30A）比較大反向導通電壓VTR：<比較大門極觸發電壓VGT:4V比較大門極觸發電流IGT:40mA關斷時間toff:μs通態電壓臨界上升率du/dt:120V/μs通態浪涌電流ITSM:80A利用萬用表和兆歐表可以檢查逆導晶閘管的好壞。測試內容主要分三項：1．檢查逆導性選擇萬用表R×1檔，黑表筆接K極，紅表筆接A極（參見圖3(a)），電阻值應為5～10Ω。若阻值為零，證明內部二極管短路；電阻為無窮大，說明二極管開路。2．測量正向直流轉折電壓V（BO）按照（b）圖接好電路，再按額定轉速搖兆歐表，使RCT正向擊穿，由直...

當正向電壓超過其斷態重復峰值電壓UDRM一定值時晶閘管就會誤導通，引發電路故障；當外加反向電壓超過其反向重復峰值電壓URRM一定值時，晶閘管就會立即損壞。因此，必須研究過電壓的產生原因及過電壓的方法。過電壓產生的原因主要是供給的電功率或系統的儲能發生了激烈的變化，使得系統來不及轉換，或者系統中原來積聚的電磁能量來不及消散而造成的。主要發現為雷擊等外來沖擊引起的過電壓和開關的開閉引起的沖擊電壓兩種類型。由雷擊或高壓斷路器動作等產生的過電壓是幾微秒至幾毫秒的電壓尖峰，對晶閘管是很危險的。由開關的開閉引起的沖擊電壓又分為如下幾類：（1）交流電源接通、斷開產生的過電壓例如，交流開關的開閉、交流...

在快速無功補償和諧波濾波裝置中，要用晶閘管投切電容器TSC，。執行元件晶閘管根據應用場合的不同，有餅式的、模塊的和雙向可控硅的不同結構型式。針對不同的主回路和不同的晶閘管型式，觸發電路也不同。TSC要求在晶閘管電壓過零點觸發，確定晶閘管電壓過零點的方法有兩種，一種是從電網電壓取得同步信號，另一種是從晶閘管的陽極和陰極取得過零信號。晶閘管投切電容器的原理晶閘管投切電容器組的關鍵技術是必須做到投切時無電流沖擊。晶閘管投切電容器組的原理如圖1所示。圖1晶閘管投切電容器組的原理可控硅晶閘管模塊產品優勢特點1.電壓過零觸發，電流過零斷開，無沖擊電流；2.光電隔離，抗干擾能力強，響應時間＜15ms...

1、過流保護如果想得到較安全的過流保護，建議用戶優先使用內部帶過流保護作用的模塊。另外還可采用外接快速熔斷器、快速過電流繼電器、傳感器的方法?？焖偃蹟嗥魇亲詈唵纬Ｓ玫姆椒?，介紹如下：（1）快速熔斷器的選擇：①、熔斷器的額定電壓應大于模塊輸入端電壓；②、熔斷器的額定電流應為模塊標稱輸入電流的，按照計算值選擇相同電流或稍大一點的熔斷器。模塊輸入、輸出電流的換算關系參考本本博客有關文章。用戶也可根據經驗和試驗自行確定熔斷器的額定電流。（2）接線方法：快速熔斷器接在模塊的輸入端，負載接輸出端。2、過壓保護晶閘管承受過電壓的能力較差，當元件承受的反向電壓超過其反向擊穿電壓時，即使時間很短，也會造...

它既保留了普通晶閘管耐壓高、電流大等優點，以具有自關斷能力，使用方便，是理想的高壓、大電流開關器件。GTO的容量及使用壽命均超過巨型晶體管（GTR），只是工作頻紡比GTR低。GTO已達到3000A、4500V的容量。大功率可關斷晶閘管已用于斬波調速、變頻調速、逆變電源等領域，顯示出強大的生命力?？申P斷晶閘管也屬于PNPN四層三端器件，其結構及等效電路和普通晶閘管相同，因此圖1僅繪出GTO典型產品的外形及符號。大功率GTO大都制成模塊形式。盡管GTO與SCR的觸發導通原理相同，但二者的關斷原理及關斷方式截然不同。這是由于普通晶閘管在導通之后即外于深度飽和狀態，而GTO在導通后只能達到臨界...

晶閘管模塊的工作原理 在晶閘管模塊T的工作過程中，晶閘管模塊的陽極A和陰極K與電源和負載相連，構成晶閘管模塊的主電路。晶閘管模塊的柵極G和陰極K與控制可控硅的裝置相連，形成晶閘管模塊的控制電路。 從晶閘管模塊的內部分析工作過程： 晶閘管模塊是一種四層三端器件。它有J1、J2和J3的三個pn結圖。中間的NP可分為PNP型三極管和NPN型三極管兩部分。 當晶閘管模塊承載正向陽極電壓時，為了制造晶閘管模塊導體銅，承受反向電壓的pn結J2必須失去其阻擋作用。每個晶體管的集電極電流同時是另一個晶體管的基極電流。因此，當有足夠的柵極電流Ig流入時，兩個復合晶體管電路會形成較強的...

3）換相沖擊電壓包括換相過電壓和換相振蕩過電壓。換相過電壓是由于晶閘管的電流降為0時器件內部各結層殘存載流子復合所產生的，所以又叫載流子積蓄效應引起的過電壓。換相過電壓之后，出現換相振蕩過電壓，它是由于電感、電容形成共振產生的振蕩電壓，其值和換相結束后的反向電壓有關。反向電壓越高，換相振蕩過電壓也越大。針對形成過電壓的不同原因，可以采取不同的方法，如減少過電壓源，并使過電壓幅值衰減；過電壓能量上升的速率，延緩已產生能量的消散速度，增加其消散的途徑；采用電子線路進行保護等。最常用的是在回路中接入吸收能量的元件，使能量得以消散，常稱之為吸收回路或緩沖電路。（4）阻容吸收回路通常過電壓均具有...

5光控晶閘管是通過光信號控制晶閘管觸發導通的器件，它具有很強的抗干擾能力、良好的高壓絕緣性能和較高的瞬時過電壓承受能力，因而被應用于高壓直流輸電(HVDC)、靜止無功功率補償(SVC)等領域。其研制水平大約為8000V/3600A。6逆變晶閘管因具有較短的關斷時間(10～15s)而主要用于中頻感應加熱。在逆變電路中，它已讓位于GTR、GTO、IGBT等新器件。目前，其比較大容量介于2500V/1600A/1kHz和800V/50A/20kHz的范圍之內。7非對稱晶閘管是一種正、反向電壓耐量不對稱的晶閘管。而逆導晶閘管不過是非對稱晶閘管的一種特例，是將晶閘管反并聯一個二極管制作在同一管芯...

充電電源，電機調速，感應加熱及熱處理等各種整流、逆變和變頻領域。我公司所生產的電力電子器件成功的替代了多種進口器件，實現了自動軋機原器件的國產化；6K、6G、8K、8G電力機車原器件也全部由我公司國產化，使用壽命超過了進口元件。在自動控制方面，我公司成功開發出各種工控板，應用在各種不同的場合，真正形成了控制方式靈活，保護齊全，可靠性高的優勢。與模塊結合開發了智能模塊。廣泛應用于不同行業各種領。在散熱器方面公司成功開發了，通過努力已進入了國內的輸變電行業、機車行業所需的高端市場。我公司秉承快速反應、持續改進的工作作風，融入世界的發展戰略，致力于提高品牌知名度的發展目標，建成國際前列、國內...

所述第三螺栓和第三螺母之間還設置有彈簧墊圈和平墊圈。此外，所述晶閘管單元中，所述壓塊7上還設置有絕緣套管。其中，所述絕緣套管與對應的壓塊之間還設置有墊圈。相類似地，所述第二晶閘管單元中，所述第二壓塊12上還設置有絕緣套管。其中，所述絕緣套管與對應的壓塊之間還設置有墊圈。為了實現門極銅排的安裝，所述外殼1上還設置有門極銅排安裝座。綜上所述，本發明的立式晶閘管模塊通過設置接頭、第二接頭和第三接頭、封裝于外殼內部的晶閘管單元和第二晶閘管單元能夠實現電力系統的多路控制，有效保證了電力系統的正常運行。對于本領域技術人員而言，顯然本發明不限于上述示范性實施例的細節，而且在不背離本發明的精神或基本特...

)=174A-232A顯然，通過以上的計算對于采用雙反星型并聯電路的ZX5-630；NBK-630；WSM-630焊機應選擇MTG200-300A/800V或MTG(AA)130-200A/400V的模塊。比較好選MTG250--300A/800V或MTG(AA)160-200A/400V的模塊.當然，焊機可靠長期正常工作除了與模塊正確選型有關外，與以下因素還有一定的關系：2焊機暫載率即額定負荷工作持續率（FS）：根據焊機行業標準此類焊機暫載率一般為：35%；60%；。其定義如下：暫載率FS=負載滿負荷持續運行時間（t）/[負載滿負荷持續運行時間+休止時間]x=t/Tx上式中T為焊機的...

按規定應采用風冷的模塊而采用自冷時，則電流的額定值應降低到原有值的30～40[%]，反之如果改為采用水冷時，則電流的額定值可以增大30～40[%]。為了幫助用戶合理選擇散熱器和風機，我們確定了不同型號模塊在其額定電流工作狀態下，環境溫度為40℃時所需的散熱器長度、風機規格、數量及散熱器基礎參數等，請參考說明書。另外，在表內出具了每個型號的模塊在峰值壓降、比較大標稱電流和阻性負載條件下的功耗值，以便于用戶自己確定散熱器尺寸時做參考。在實際應用中，應注意以下幾點：（1）軸流風機風速應≥6m/s。（2）若模塊達不到滿負荷工作，可酌減散熱器長度。（3）在設備開機前，應檢查模塊所有螺釘是否牢固，...

1晶閘管模塊被廣泛應用于工業行業中，對于一些專業的電力技術人員，都知道晶閘管模塊的來歷及各種分類。不過現在從事這一行的人越來越多，有的采購人員對這方面還不是很了解。有的客戶也經常問起我們晶閘管模塊的來歷。現在晶閘管廠家昆二晶就為大家分享一下：2晶閘管模塊誕生后，其結構的改進和工藝的，為新器件的不斷出現提供了條件。1964年，雙向晶閘管在GE公司開發成功，應用于調光和馬達控制；1965年，小功率光觸發晶閘管出現，為其后出現的光耦合器打下了基礎；60年代后期，大功率逆變晶閘管問世，成為當時逆變電路的基本元件；1974年，逆導晶閘管和非對稱晶閘管研制完成。3普通晶閘管廣泛應用于交直流調速、調...

晶體閘流管工作過程編輯晶閘管是四層三端器件，它有J1、J2、J3三個PN結圖1，可以把它中間的NP分成兩部分，構成一個PNP型三極管和一個NPN型三極管的復合管當晶閘管承受正向陽極電壓時，為使晶閘管導通，必須使承受反向電壓的PN結J2失去阻擋作用。因此，兩個互相復合的晶體管電路，當有足夠的門極電流Ig流入時，就會形成強烈的正反饋，造成兩晶體管飽和導通，晶體管飽和導通。設PNP管和NPN管的集電極電流相應為Ic1和Ic2；發射極電流相應為Ia和Ik；電流放大系數相應為a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik，設流過J2結的反相漏電電流為Ic0,晶閘管的陽極電流等于兩管的集電極電流和漏電流的...

它既保留了普通晶閘管耐壓高、電流大等優點，以具有自關斷能力，使用方便，是理想的高壓、大電流開關器件。GTO的容量及使用壽命均超過巨型晶體管（GTR），只是工作頻紡比GTR低。GTO已達到3000A、4500V的容量。大功率可關斷晶閘管已用于斬波調速、變頻調速、逆變電源等領域，顯示出強大的生命力?？申P斷晶閘管也屬于PNPN四層三端器件，其結構及等效電路和普通晶閘管相同，因此圖1僅繪出GTO典型產品的外形及符號。大功率GTO大都制成模塊形式。盡管GTO與SCR的觸發導通原理相同，但二者的關斷原理及關斷方式截然不同。這是由于普通晶閘管在導通之后即外于深度飽和狀態，而GTO在導通后只能達到臨界...

硒堆的特點是其動作電壓和溫度有關，溫度越低耐壓越高；另外是硒堆具有自恢復特性，能多次使用，當過電壓動作后硒基片上的灼傷孔被溶化的硒重新覆蓋，又重新恢復其工作特性。壓敏電阻是以氧化鋅為基體的金屬氧化物非線性電阻，其結構為兩個電極，電極之間填充的粒徑為10~50μm的不規則的ZNO微結晶，結晶粒間是厚約1μm的氧化鉍粒界層。這個粒界層在正常電壓下呈高阻狀態，只有很小的漏電流，其值小于100μA。當加上電壓時，引起了電子雪崩，粒界層迅速變成低阻抗，電流迅速增加，泄漏了能量，了過電壓，從而使晶閘管得到保護。浪涌過后，粒界層又恢復為高阻態。壓敏電阻的特性主要由下面幾個參數來表示。標稱電壓：指壓敏...

晶閘管模塊的工作條件： 1.當晶閘管模塊承受正向陽極電壓時，只有在門級承受正向電壓時，晶閘管才打開。此時，晶閘管處于正導通狀態，這就是晶閘管的晶閘管特性，即可控特性。 2.晶閘管模塊開著時，只要有一定的正極電壓，不管門級電壓是多少，晶閘管都繼續工作，即晶閘管接通后，門級就失去了功能。門級只會起到觸發的作用。 3.當主電路電壓（或電流）降至接近零時，當主電路電壓（或電流）降為零時，晶閘管模塊被關閉。 4.當晶閘管模塊承受反向陽極電壓時，無論門級承受何種電壓，晶閘管都處于反向閉鎖狀態。在中頻爐中整流側關斷時間采用KP-60微秒以內，逆變側關短時間采用KK-30微秒以內。...

VDRM）的計算：由公式：Ud=考慮兩倍的選擇余量后VRRM；VDRM=2xxU2=2x因此選擇耐壓200V-300V的器件足夠。2、器件額定電流IT（AV）的計算：由于該線路相當于兩組三相半波整流電路的串聯,根據公式：Ie=:Ie=(此值為交流有效值)折算為平均值IT（AV）=Ie/考慮選型需按IT(AV)=()IT=232A()=348A-462A顯然,目前沒有如此大電流的模塊,應建議客戶采用400-500A的平板式可控硅為宜。以上兩種線路對器件耐壓和通流能力的要求是不一樣的。后一種線路對器件耐壓要求比前一種線路低一倍，但通流能力要求大兩倍。四、使用模塊產品注意事項：l電力半導體模...

特點：1、芯片與底板電氣絕緣2、國際標準封裝3、全壓接結構，優良的溫度特性和功率循環能力4、350A以下模塊皆為強迫風冷，400A以上模塊既可選用風冷，也可選用水冷5、安裝簡單，使用維修方便典型應用：1、交直流電機控制2、各種整流電源3、工業加熱控制4、調光5、無觸點開關6、電機軟起動7、靜止無功補償8、電焊機9、變頻器10、UPS電源11、如果產品裝機配型不適用，可退換貨給您滿意貼心的服務，是我們一貫的宗旨！有10多年功率半導體元器件制造經驗，是專業從事功率半導體器件的研發、封裝、測試、銷售、技術服務為一體的高新技術企業，多年來一直從事冶金自動化和鐵路電氣化領域的國產化工作。我公司的...

簡稱過零型）和隨機導通型（簡稱隨機型）；按輸出開關元件分有雙向可控硅輸出型（普通型）和單向可控硅反并聯型（增強型）；按安裝方式分有印刷線路板上用的針插式（自然冷卻，不必帶散熱器）和固定在金屬底板上的裝置式（靠散熱器冷卻）；另外輸入端①直流恒流控制型（D3），電壓為3-36Vdc寬范圍，驅動電流為5-15mA；②直流抗干擾控制型（D2），電壓為18-30Vdc；③串電阻限流型（D1），電壓為4-8Vdc，專用于隨機型LSR；④交流控制型（A3），電壓為90-430Vac寬范圍。⑴過零型(Z型)與隨機型(P型)LSR的區別由于觸發信號方式不同，過零型和隨機型之間的區別主要在于負載交流電流導...

電焊機在進行各種金屬焊接時，根據焊接工藝的不同，對焊接時電弧的電壓和電流有不同的要求，因此需要各種不同特*流或直流電源。例如，在點、凸、峰焊、電阻焊時需要調節焊接隔離變壓器原邊的電壓大小（相控調壓或改變通過的周波數量），屬于晶閘管應用于交流調壓；在各種氬弧焊、CO2氣體保護焊中需要的是直流電源或交直流方波電源。交流應用時，反并聯的晶閘管串接在主回路中，直流調壓應用時，晶閘管可以組成單、三相全控或半控或雙反星型電路。改變晶閘管的導通角或控制晶閘管的開關時間即可達到調節焊接電壓和電流的目的。尤其是近幾年來，CO2氣體保護焊機發展比較迅速，據報道，發達國家這種焊機占到百分之六十或七十的比例，...

當正向電壓超過其斷態重復峰值電壓UDRM一定值時晶閘管就會誤導通，引發電路故障；當外加反向電壓超過其反向重復峰值電壓URRM一定值時，晶閘管就會立即損壞。因此，必須研究過電壓的產生原因及過電壓的方法。過電壓產生的原因主要是供給的電功率或系統的儲能發生了激烈的變化，使得系統來不及轉換，或者系統中原來積聚的電磁能量來不及消散而造成的。主要發現為雷擊等外來沖擊引起的過電壓和開關的開閉引起的沖擊電壓兩種類型。由雷擊或高壓斷路器動作等產生的過電壓是幾微秒至幾毫秒的電壓尖峰，對晶閘管是很危險的。由開關的開閉引起的沖擊電壓又分為如下幾類：（1）交流電源接通、斷開產生的過電壓例如，交流開關的開閉、交流...

750V通態平均電流IT（AV）：5A比較大通態電壓VT：3V（IT=30A）比較大反向導通電壓VTR：<比較大門極觸發電壓VGT:4V比較大門極觸發電流IGT:40mA關斷時間toff:μs通態電壓臨界上升率du/dt:120V/μs通態浪涌電流ITSM:80A利用萬用表和兆歐表可以檢查逆導晶閘管的好壞。測試內容主要分三項：1．檢查逆導性選擇萬用表R×1檔，黑表筆接K極，紅表筆接A極（參見圖3(a)），電阻值應為5～10Ω。若阻值為零，證明內部二極管短路；電阻為無窮大，說明二極管開路。2．測量正向直流轉折電壓V（BO）按照（b）圖接好電路，再按額定轉速搖兆歐表，使RCT正向擊穿，由直...

它既保留了普通晶閘管耐壓高、電流大等優點，以具有自關斷能力，使用方便，是理想的高壓、大電流開關器件。GTO的容量及使用壽命均超過巨型晶體管（GTR），只是工作頻紡比GTR低。GTO已達到3000A、4500V的容量。大功率可關斷晶閘管已用于斬波調速、變頻調速、逆變電源等領域，顯示出強大的生命力?？申P斷晶閘管也屬于PNPN四層三端器件，其結構及等效電路和普通晶閘管相同，因此圖1僅繪出GTO典型產品的外形及符號。大功率GTO大都制成模塊形式。盡管GTO與SCR的觸發導通原理相同，但二者的關斷原理及關斷方式截然不同。這是由于普通晶閘管在導通之后即外于深度飽和狀態，而GTO在導通后只能達到臨界...

1(1)晶閘管智能控制模塊均采用本公司獨立開發的全數字移相觸發集成電路,實現了控制電路與晶閘管主電路集成一體化，使模塊具備了弱電控制強電的電力調控功能。2(2)晶閘管智能模塊采用進口方形芯片、高級芯片支撐板，模塊壓降小、功耗低，效率高,節電效果好。3(3)晶閘管智能模塊采用進口貼片元件,保證了觸發控制電路的可靠性。4(4)晶閘管智能模塊采用(DBC)陶瓷覆銅板，經獨特處理方法和特殊焊接工藝，保證焊接層無空洞，導熱性能好。熱循環負載次數高于國家標準近10倍。5(5)晶閘管智能模塊采用高級導熱絕緣封裝材料，絕緣、防潮性能優良。6(6)晶閘管模塊采用觸發控制電路、主電路與導熱底板相互隔離，導...

當正向電壓超過其斷態重復峰值電壓UDRM一定值時晶閘管就會誤導通，引發電路故障；當外加反向電壓超過其反向重復峰值電壓URRM一定值時，晶閘管就會立即損壞。因此，必須研究過電壓的產生原因及過電壓的方法。過電壓產生的原因主要是供給的電功率或系統的儲能發生了激烈的變化，使得系統來不及轉換，或者系統中原來積聚的電磁能量來不及消散而造成的。主要發現為雷擊等外來沖擊引起的過電壓和開關的開閉引起的沖擊電壓兩種類型。由雷擊或高壓斷路器動作等產生的過電壓是幾微秒至幾毫秒的電壓尖峰，對晶閘管是很危險的。由開關的開閉引起的沖擊電壓又分為如下幾類：（1）交流電源接通、斷開產生的過電壓例如，交流開關的開閉、交流...

AA）替代國外模塊型號ZX5WSMNBK雙反星并聯帶平衡電抗器200AMTG100A/800VMTG（AA）60A/400V三社（SanRex）PWB60A；三菱（MITSUBI）TM60SZ-M；TM60SA-6250A315AMTG150A/800VMTG（AA）80A/400VSanRexPWB90A；MITSUBITM100SZ-MTM90SA-6英達PFT9003N350A400AMTG200A/800VMTG（AA）130A/400VSanRexPWB130A；MITSUBITM130SZ-M；英達PFT1303N500A630AMTG250A/800VMTG（AA）160...

所述銅底板3上涂覆有硅凝膠，所述硅凝膠對所述導電片9、第二導電片10、瓷板11進行包覆固定。從而，所述銅底板3通過所述硅凝膠實現對位于其上的導電片9、第二導電片10、瓷板11進行固定。所述第二晶閘管單元包括：第二壓塊12、第二門極壓接式組件13、第三導電片14、鉬片15、銀片16、鋁片17。其中，所述第二壓塊12設置于所述第二門極壓接式組件13上，并通過所述第二門極壓接式組件13對所述第三導電片14、鉬片15、銀片16、鋁片17施加壓合作用力，所述第三導電片14、鉬片15、銀片16、鋁片17依次設置于所述銅底板3上。為了實現所述第三導電片14、鉬片15、銀片16、鋁片17與銅底板3的固...

晶閘管模塊的工作條件： 1.當晶閘管模塊承受正向陽極電壓時，只有在門級承受正向電壓時，晶閘管才打開。此時，晶閘管處于正導通狀態，這就是晶閘管的晶閘管特性，即可控特性。 2.晶閘管模塊開著時，只要有一定的正極電壓，不管門級電壓是多少，晶閘管都繼續工作，即晶閘管接通后，門級就失去了功能。門級只會起到觸發的作用。 3.當主電路電壓（或電流）降至接近零時，當主電路電壓（或電流）降為零時，晶閘管模塊被關閉。 4.當晶閘管模塊承受反向陽極電壓時，無論門級承受何種電壓，晶閘管都處于反向閉鎖狀態。在中頻爐中整流側關斷時間采用KP-60微秒以內，逆變側關短時間采用KK-30微秒以內。...

額定電壓V1mA的下限是線路工作電壓峰值，考慮到電網電壓的波動以及多次承受沖擊電流以后V1mA值可能下降，因此，額定電壓的取值應適當提高。目前通常采用30[%]的余量計算。V1mA≥√2?U式中U――壓敏電阻兩端正常工作電壓的有效值。壓敏電阻的數量：三相整流模塊和三相交流模塊均為三只、單相整流模塊和單相交流模塊均為一只。全部接在交流輸入端。3、過熱保護晶閘管在電流通過時，會產生一定的壓降，而壓降的存在則會產生一定的功耗，電流越大則功耗越大，產生的熱量也就越大。如果不把這些熱量快速散掉，會造成燒壞晶閘管芯片的問題。因此要求使用晶閘管模塊時，一定要安裝散熱器。散熱條件的好壞，是影響模塊能否...