光伏電站的收益好壞，取決于光伏組件的發電效率，而影響光伏組件發電效率的因素可通過EL檢測分析出來并加以改善。EL英文全稱ElectroLuminescence，即電致發光，也可以叫電子發光檢測。是根據半導體輻射復合釋放光子的特點，對組件施加正向電壓注入非平衡載流子，并通過光子探測器接收非平衡載流子輻射復合釋放的光子，非平衡載流子濃度越高（正常區域）釋放的光子越多，EL顯示圖像越亮；非平衡載流子濃度越低（缺點區域）釋放的光子越少，EL圖像越暗，通過圖像明暗關系即可反應組件內部電池缺點情況。上海歐普泰科技創業股份有限公司致力于提供檢測，竭誠為您服務。廣東組件檢測儀器

倉庫內或者室內檢測：白天，如無強烈太陽光照射，可直接將紅外相機放置在三腳架上，對著組件進行內部缺陷的檢測。如有強烈太陽能光照射則需要搭建防簡易帳篷組件紅外暗室，在暗室內將組件抬進去EL檢測。夜晚，也是直接使用紅外相機防止三腳架上進行檢測，無需暗室(該EL檢測儀不受月光的干擾)。此相機已經經過濾光處理，月光，燈光對于測試無任何影響。檢測有問題的組件取出來退換。電站現場室外戶外檢測：白天，陽光下檢測需搭建防紅外暗室帳篷，抬放組件進暗室進行EL內部缺陷檢測。夜晚，組件檢測直接使用紅外相機三腳架進行檢測，設備自帶移動電源以便戶外上電使用。此過程中檢測問題的組件可直接進行支架上安裝。廣東組件檢測儀器上海歐普泰科技創業股份有限公司致力于提供檢測，有需要可以聯系我司哦！

輸入的直流功率取決逆變器工作在光伏陣列的電流-電壓曲線上的哪一個點上。理想狀態下，逆變器應工作在太陽能光伏陣列的最大功率峰值上。最大功率峰值在內是不同的，主要是由于環境的作用，如太陽光的輻射和溫度，但逆變器通過一個具有最大功率峰值的運算器來直接與光伏陣列相連，達到能量轉移的比較大化。最大功率峰值的比較大效率可以定義為在定義的一段時間內逆變器從太陽能陣列獲得的能量與理想狀態下的最大功率峰值從太陽能陣列獲得的能量的比率。許多最大功率峰值的運算法是建立在不同的基礎上的，其參數有增量電導、寄生電容、恒定電壓、電壓的溫度修正和模糊邏輯控制等。盡管如此，這種運算還是有些局限的地方，這將使最大功率峰值的效率在某些特定條件下有所降低。在非常低的太陽光輻射下，功率曲線變得非常平滑，找到最大功率峰值變得非常困難。

光伏組件性能的檢測光伏電站運行一段時間后，需要進行檢測，來確定光伏電站的性能。涉及光伏組件的，主要包含以下項目。1、功率衰減測試光伏組件運行1年和25年后的衰減率到底有多少？25年太久，現在可能還沒有運行這么長時間的電站。按國家標準，晶硅電池2年的衰減率應該在3.2%以內。但目前這個數據還真的很難說，原因有三：1）光伏組件出場功率是用實驗室標準光源和測試環境標定的，但似乎國內不同廠家的標準光源是存在一定的差異的。那在A廠標定的250W的組件，到了B廠，可能就是245W的組件的。2）現場檢測所用的儀器精確度較差，據說5%以內的誤差都是可以接受的。用誤差5%的儀器，測2%（1年）的衰減，難度有些大，結果也令人懷疑。上海歐普泰科技創業股份有限公司致力于提供檢測，歡迎您的來電哦！

電位誘發衰減效應是電池組件長期在高電壓作用下，使玻璃、封裝材料之間存在漏電流，大量電荷狙擊在電池片表面，使得電池表面的鈍化效果惡化，導致組件性能低于設計標準。PID現象嚴重時，會引起一塊組件功率衰減50%以上，從而影響整個組串的功率輸出。一是系統設計原因：光伏電站的防雷接地是通過將方陣邊緣的組件邊框接地實現的，這就造成在單個組件和邊框之間形成偏壓，組件所處偏壓越高則發生PID現象越嚴重。對于P型晶硅組件，通過有變壓器的逆變器負極接地，消除組件邊框相對于電池片的正向偏壓會有效的預防PID現象的發生，但逆變器負極接地會增加相應的系統建設成本;二是光伏組件原因：高溫、高濕的外界環境使得電池片和接地邊框之間形成漏電流，封裝材料、背板、玻璃和邊框之間形成了漏電流通道。通過使用改變絕緣膠膜乙烯醋酸乙烯酯(EVA)是實現組件抗PID的方式之一，在使用不同EVA封裝膠膜條件下，組件的抗PID性能會存在差異。三是電池片原因：電池片方塊電阻的均勻性、減反射層的厚度和折射率等對PID性能都有著不同的影響。上述引起PID現象的三方面中，由在光伏系統中的組件邊框與組件內部的電勢差而引起的組件PID現象被行業所公認。檢測，就選上海歐普泰科技創業股份有限公司，讓您滿意，歡迎新老客戶來電！浙江產品瑕疵檢測設備

檢測，就選上海歐普泰科技創業股份有限公司，讓您滿意，期待您的光臨！廣東組件檢測儀器

EL（Electroluminescence，電致發光）是簡單有效的檢測隱裂的方法。其檢測原理如下。電池片的部分是半導體PN結，在沒有其它激勵（例如光照、電壓、溫度）的條件下，其內部處于一個動態平衡狀態，電子和空穴的數量相對保持穩定。如果施加電壓，半導體中的內部電場將被削弱，N區的電子將會被推向P區，與P區的空穴復合（也可理解為P區的空穴被推向N區，與N區的電子復合），復合之后以光的形式輔射出去，即電致發光。當被施加正向偏壓之后，晶體硅電池就會發光，波長1100nm左右，屬于紅外波段，肉眼觀測不到。因此，在進行EL測試時，需利用CCD相機輔助捕捉這些光子，然后通過計算機處理后以圖像的形式顯示出來。給晶硅組件施加電壓后，所激發出的電子和空穴復合的數量越多，其發射出的光子也就越多，所測得的EL圖像也就越亮；如果有的區域EL圖像比較暗，說明該處產生的電子和空穴數量較少，該處存在缺點；如果有的區域完全是暗的，該處沒有發生電子和空穴的復合，也或者是所發光被其它障礙所遮擋，無法檢測到信號。廣東組件檢測儀器