干涉測量法[9-10]是基于光的干涉原理實現對薄膜厚度測量的光學方法，是一種高精度的測量技術。采用光學干涉原理的測量系統一般具有結構簡單，成本低廉，穩定性好，抗干擾能力強，使用范圍廣等優點。對于大多數的干涉測量任務，都是通過薄膜表面和基底表面之間產生的干涉條紋的形狀和分布規律，來研究干涉裝置中待測物理量引入的光程差或者是位相差的變化，從而達到測量目的。光學干涉測量方法的測量精度可達到甚至優于納米量級，而利用外差干涉進行測量，其精度甚至可以達到10-3nm量級[11]。根據所使用光源的不同，干涉測量方法又可以分為激光干涉測量和白光干涉測量兩大類。激光干涉測量的分辨率更高，但是不能實現對靜態信號的測量，只能測量輸出信號的變化量或者是連續信號的變化，即只能實現相對測量。而白光干涉是通過對干涉信號中心條紋的有效識別來實現對物理量的測量，是一種測量方式，在薄膜厚度的測量中得到了廣泛的應用。白光干涉膜厚測量技術的應用涵蓋了材料科學、光學制造、電子工業等多個領域。閔行區工廠膜厚儀

本章主要介紹了基于白光反射光譜和白光垂直掃描干涉聯用的靶丸殼層折射率測量方法。該方法利用白光反射光譜測量靶丸殼層光學厚度，利用白光垂直掃描干涉技術測量光線通過靶丸殼層后的光程增量，二者聯立即可求得靶丸折射率和厚度數據。在實驗數據處理方面，為解決白光干涉光譜中波峰位置難以精確確定和單極值點判讀可能存在干涉級次誤差的問題，提出MATLAB曲線擬合測定極值點波長以及利用干涉級次連續性進行干涉級次判定的數據處理方法。應用碳氫(CH)薄膜對測量結果的可靠性進行了實驗驗證。高采樣速率膜厚儀經銷批發白光干涉膜厚測量技術的研究主要集中在實驗方法的優化和算法的改進上。

    基于白光干涉光譜單峰值波長移動的鍺膜厚度測量方案研究：在對比研究目前常用的白光干涉測量方案的基礎上，我們發現當兩干涉光束的光程差非常小導致其干涉光譜只有一個干涉峰時，常用的基于兩相鄰干涉峰間距的解調方案不再適用。為此，我們提出了適用于極小光程差的基于干涉光譜單峰值波長移動的測量方案。干涉光譜的峰值波長會隨著光程差的增大出現周期性的紅移和藍移，當光程差在較小范圍內變化時，峰值波長的移動與光程差成正比。根據這一原理，搭建了光纖白光干涉溫度傳感系統對這一測量解調方案進行驗證，得到了光纖端面半導體鍺薄膜的厚度。實驗結果顯示鍺膜的厚度為，與臺階儀測量結果存在，這是因為薄膜表面本身并不光滑，臺階儀的測量結果只能作為參考值。鍺膜厚度測量誤差主要來自光源的波長漂移和溫度控制誤差。

在激光慣性約束核聚變實驗中，靶丸的物性參數和幾何參數是靶丸制備工藝改進和仿真模擬核聚變實驗過程的基礎，因此如何對靶丸多個參數進行同步、高精度、無損的綜合檢測是激光慣性約束核聚變實驗中的關鍵問題。以上各種薄膜厚度及折射率的測量方法各有利弊，但針對本文實驗，仍然無法滿足激光核聚變技術對靶丸參數測量的高要求，靶丸參數測量存在以下問題：不能對靶丸進行破壞性切割測量，否則，被破壞后的靶丸無法用于于下一步工藝處理或者打靶實驗；需要同時測得靶丸的多個參數，不同參數的單獨測量，無法提供靶丸制備和核聚變反應過程中發生的結構變化現象和規律，并且效率低下、沒有統一的測量標準。靶丸屬于自支撐球形薄膜結構，曲面應力大、難展平的特點導致靶丸與基底不能完全貼合，在微區內可看作類薄膜結構白光干涉膜厚測量技術可以應用于半導體制造中的薄膜厚度控制。

微納制造技術的發展推動著檢測技術向微納領域進軍，微結構和薄膜結構作為微納器件中的重要組成部分，在半導體、醫學、航天航空、現代制造等領域得到了廣泛的應用，由于其微小和精細的特征，傳統檢測方法不能滿足要求。白光干涉法具有非接觸、無損傷、高精度等特點，被廣泛應用在微納檢測領域，另外光譜測量具有高效率、測量速度快的優點。因此，本文提出了白光干涉光譜測量方法并搭建了測量系統。和傳統白光掃描干涉方法相比，其特點是具有較強的環境噪聲抵御能力，并且測量速度較快。白光干涉膜厚測量技術可以對薄膜的各項光學參數進行聯合測量和分析。高采樣速率膜厚儀

白光干涉膜厚測量技術是一種測量薄膜厚度的方法。閔行區工廠膜厚儀

對同一靶丸相同位置進行白光垂直掃描干涉，圖4-3是靶丸的垂直掃描干涉示意圖，通過控制光學輪廓儀的運動機構帶動干涉物鏡在垂直方向上的移動，從而測量到光線穿過靶丸后反射到參考鏡與到達基底直接反射回參考鏡的光線之間的光程差，顯然，當一束平行光穿過靶丸后，偏離靶丸中心越遠的光線，測量到的有效壁厚越大，其光程差也越大，但這并不表示靶丸殼層的厚度，當垂直穿過靶丸中心的光線測得的光程差才對應靶丸的上、下殼層的厚度。閔行區工廠膜厚儀