論文主要以半導體鍺和貴金屬金兩種材料為對象 ，研究了白光干涉法、表面等離子體共振法和外差干涉法實現納米級薄膜厚度準確測量的可行性。由于不同材料薄膜的特性不同，所適用的測量方法也不同。半導體鍺膜具有折射率高，在通信波段（1550nm附近）不透明的特點，選擇采用白光干涉的測量方法；而厚度更薄的金膜的折射率為復數，且能激發的表面等離子體效應，因而可借助基于表面等離子體共振的測量方法；為了進一步改善測量的精度，論文還研究了外差干涉測量法，通過引入高精度的相位解調手段，檢測P光與S光之間的相位差提升厚度測量的精度。白光干涉膜厚測量技術可以對薄膜的厚度、反射率、折射率等光學參數進行測量。測量膜厚儀詳情

本章主要介紹了基于白光反射光譜和白光垂直掃描干涉聯用的靶丸殼層折射率測量方法 。該方法利用白光反射光譜測量靶丸殼層光學厚度，利用白光垂直掃描干涉技術測量光線通過靶丸殼層后的光程增量，二者聯立即可求得靶丸折射率和厚度數據。在實驗數據處理方面，為解決白光干涉光譜中波峰位置難以精確確定和單極值點判讀可能存在干涉級次誤差的問題，提出MATLAB曲線擬合測定極值點波長以及利用干涉級次連續性進行干涉級次判定的數據處理方法。應用碳氫(CH)薄膜對測量結果的可靠性進行了實驗驗證。如何選膜厚儀總結，白光干涉膜厚儀是一種應用廣、具有高精度和可靠性的薄膜厚度測量儀器。

光譜法是以光的干涉效應為基礎的一種薄膜厚度測量方法 ，分為反射法和透射法兩類[12]。入射光在薄膜-基底-薄膜界面上的反射和透射會引起多光束干涉效應，不同特性的薄膜材料的反射率和透過率曲線是不同的，并且在全光譜范圍內與厚度之間是一一對應關系。因此，根據這一光譜特性可以得到薄膜的厚度以及光學參數。光譜法的優點是可以同時測量多個參數且可以有效的排除解的多值性，測量范圍廣，是一種無損測量技術；缺點是對樣品薄膜表面條件的依賴性強，測量穩定性較差，因而測量精度不高；對于不同材料的薄膜需要使用不同波段的光源等。目前，這種方法主要應用于有機薄膜的厚度測量。

在納米量級薄膜的各項相關參數中 ，薄膜材料的厚度是薄膜設計和制備過程中的重要參數，是決定薄膜性質和性能的基本參量之一，它對于薄膜的光學、力學和電磁性能等都有重要的影響[3]。但是由于納米量級薄膜的極小尺寸及其突出的表面效應，使得對其厚度的準確測量變得困難。經過眾多科研技術人員的探索和研究，新的薄膜厚度測量理論和測量技術不斷涌現，測量方法實現了從手動到自動，有損到無損測量。由于待測薄膜材料的性質不同，其適用的厚度測量方案也不盡相同。對于厚度在納米量級的薄膜，利用光學原理的測量技術應用。相比于其他方法，光學測量方法因為具有精度高，速度快，無損測量等優勢而成為主要的檢測手段。其中具有代表性的測量方法有橢圓偏振法，干涉法，光譜法，棱鏡耦合法等。該儀器的工作原理是通過測量反射光的干涉來計算膜層厚度，基于反射率和相位差。

光纖白光干涉測量使用的是寬譜光源。在選擇光源時，需要重點考慮光源的輸出光功率和中心波長的穩定性。由于本文所設計的解調系統是通過測量干涉峰值的中心波長移動來實現的，因此光源中心波長的穩定性對實驗結果會產生很大的影響。實驗中我們選擇使用由INPHENIX公司生產的SLED光源，相對于一般的寬帶光源具有輸出功率高、覆蓋光譜范圍寬等優點。該光源采用+5V的直流供電，標定中心波長為1550nm，且其輸出功率在一定范圍內可調。驅動電流可以達到600mA。可以配合不同的軟件進行分析和數據處理，例如建立數據庫、統計數據等。原裝膜厚儀調試

可以配合不同的軟件進行分析和數據處理，例如建立數據庫、統計數據等；測量膜厚儀詳情

薄膜作為一種特殊的微結構 ，近年來在電子學 、摩擦學、現代光學得到了廣泛的應用，薄膜的測試技術變得越來越重要。尤其是在厚度這一特定方向上，尺寸很小，基本上都是微觀可測量。因此，在微納測量領域中，薄膜厚度的測試是一個非常重要而且很實用的研究方向。在工業生產中，薄膜的厚度直接關系到薄膜能否正常工作。在半導體工業中，膜厚的測量是硅單晶體表面熱氧化厚度以及平整度質量控制的重要手段。薄膜的厚度影響薄膜的電磁性能、力學性能和光學性能等，所以準確地測量薄膜的厚度成為一種關鍵技術。測量膜厚儀詳情