ITO陶瓷靶材在磁控濺射過程中，靶材表面受到Ar轟擊和被濺射原子再沉積的多重作用而發生復雜的物理化學變化,ITO靶材表面會產生許多小的結瘤,這個現象被稱為ITO靶材的毒化現象。靶材結瘤毒化后.靶材的濺射速率降低，孤光放電頻率增加，所制備的薄膜電阻增加,透光率降低且均一性變差，此時必須停止濺射,清理靶材表面或更換靶材,這嚴重降低濺射鍍膜效率。目前對于結瘤形成機理尚未有統一定論，如孔偉華研究了不同密度ITO陶瓷材磁控射后的表面形貌,認為結瘤是In2O3、分解所致,導電導熱性能不好的In2O3又成為熱量聚集的中心，使結瘤進一步發展;姚吉升等研究了結瘤物相組成及化學組分,認為結瘤是偏離了化學計量的ITO材料在靶材表面再沉積的結果;Nakashima等采用In2O3和SnO2,的混合粉末制備ITO靶材,研究了SnO2,分布狀態對靶材表面結瘤形成速率的影響,認為低濺射速率的SnO2,在ITO靶材中的不均勻分布是結瘤的主要原因。盡管結瘤機理尚不明確,但毋庸置疑的是,結瘤的產生嚴重影響ITO陶瓷靶材的濺射性能，因此,對結瘤的形成機理進行深入研究具有重要意義。陶瓷靶材的制備工藝；重慶光伏行業陶瓷靶材一般多少錢

靶材預濺射建議采用純氬氣進行濺射，可以起到清潔靶材表面的作用。靶材進行預濺射時建議慢慢加大濺射功率，陶瓷類靶材的功率加大速率建議為1.5W小時/平方厘米。金屬類靶材的預濺射速度可以比陶瓷靶材快，一個合理的功率加大速率為1.5W小時/平方厘米。在進行預濺射的同時需要檢查靶材起弧狀況，預濺射時間一般為10分鐘左右。如沒有起弧現象，繼續提升濺射功率到設定功率。根據經驗，一般應確保冷卻水出水口的水溫應低于35攝氏度，但非常重要的是確保冷卻水的循環系統能有效工作，通過冷卻水的快速循環帶走熱量，是確保能以較高功率連續濺射的一項重要保障。福建濺射陶瓷靶材多少錢冷等靜壓法制備ITO靶材優點。

靶材由“靶坯”和“背板”焊接而成。（1）靶坯是高速離子束流轟擊的目標材料，屬于濺射靶材的主要部分，涉及高純金屬、晶粒取向調控。在濺射鍍膜過程中，靶坯被離子撞擊后，其表面原子被濺射飛散出來并沉積于基板上制成電子薄膜。（2）背板起到主要起到固定濺射靶材的作用，涉及焊接工藝。由于高純度金屬強度較低，而濺射靶材需要安裝在機臺內完成濺射過程。機臺內部為高電壓、高真空環境，因此，超高純金屬的濺射靶坯需要與背板通過不同的焊接工藝進行接合，背板需要具備良好的導電、導熱性能。

ITO靶材就是氧化銦和氧化錫粉末按一定比例混合后經過一系列的生產工藝加工成型，再高溫氣氛燒結(1600度，通氧氣燒結)形成的黑灰色陶瓷半導體。ito薄膜是利用ito材作為原材料，通過磁控濺射把ito氣化濺渡到玻璃基板或柔性有機薄膜上ito材主要是在平板顯示器中得到廣的運用，靶材主用是在半導體中運用廣?？萍及l展的迅速，讓電子行業在市場中占據很大的份額，直接影響到了人們的工作和生活ITO濺射靶材是一種由氧化銦錫制成的陶瓷射材料。氧化銦錫(ITO)是氧化銦(In203)和氧化錫(SnO2)的固溶體，通常按重量計90%In203、10%SnO2。銦錫氧化物(ITO)因其導電性和光學透明性而成為應用廣的透明導電氧化物之一。銦錫氧化物薄膜常通過氣相沉積(PVD)沉積在表面上。ITO濺射靶材的發展趨勢！

通常靶材變黑引起中毒的因素靶材中毒主要受反應氣體和濺射氣體比例的影響。在反應濺射過程中，靶材表面的濺射通道區域被反應產物覆蓋或反應產物被剝離，金屬表面重新暴露。如果化合物的形成速率大于化合物被剝離的速率，則化合物覆蓋面積增加。在一定功率的情況下，參與化合物生成的反應氣體量增加，化合物生成速率增加。如果反應氣體量增加過多，復合覆蓋面積增加，如果反應氣體流量不能及時調整，復合覆蓋面積增加的速度不會受到抑制，濺射通道將被化合物進一步覆蓋。當濺射靶材完全被化合物覆蓋時，靶材將完全中毒。靶材中毒變黑的影響a、正離子積聚：當靶材中毒時，在靶材表面形成絕緣膜。當正離子到達陰極靶表面時，由于絕緣層的阻擋，它們不能直接進入陰極靶表面。相反，它們沉積在靶材表面，很可能產生電弧放電——在冷場中產生電弧，使陰極濺射無法進行。b、陽極消失：當靶材中毒時，地面真空室壁上沉積絕緣膜，到達陽極的電子不能進入陽極，形成陽極消失現象。IGZO由In2O3、Ga2O3和ZnO相互摻雜得到，是一種透明金屬氧化物半導體材料。廣西鍍膜陶瓷靶材

陶瓷靶材的制備工藝難點；重慶光伏行業陶瓷靶材一般多少錢

靶材開裂影響因素裂紋形成通常發生在陶瓷濺射靶材（如氧化物、碳化物、氮化物等）和脆性材料濺射靶材（如鉻、銻、鉍等）中。陶瓷或脆性材料目標始終包含固有應力。這些內應力是在靶材制造過程中產生的。此外，這些應力不能通過退火過程完全消除，因為它是這些材料的固有特性。在濺射過程中，轟擊的氣體離子將其動量傳遞給目標原子，為它們提供足夠的能量來脫離晶格。這種放熱動量傳遞增加了目標的溫度，在原子水平上可能達到1，000，000攝氏度。這些熱沖擊將目標中已經存在的內部應力增加到許多倍。在這種情況下，如果不注意適當的散熱，靶材可能會開裂。靶材開裂預防措施為了防止靶材開裂，重要的考慮因素是散熱。一方面運用水冷機制來去除靶材中不需要的熱能，另一方面考慮提高功率，在很短的時間內提升功率也會給目標帶來熱沖擊。此外，建議將這些靶材綁定到背板上，這不僅為靶材提供支撐，而且還促進靶材與水之間更好的熱交換。如果靶材破裂有背板加持的情況下，它仍然可以毫無問題地使用。重慶光伏行業陶瓷靶材一般多少錢