異質結電池生產設備，本征非晶硅薄膜沉積（i-a-Si:H）i-a-Si:H/c-Si界面處存在復合活性高的異質界面，是由于界面處非晶硅薄膜中的缺陷和界面上的懸掛鍵會成為復合中心，因此需要進行化學鈍化；化學鈍化主要由氫鈍化非晶硅薄膜鈍化層來完成，將非晶硅薄膜中的缺陷和界面懸掛鍵飽和來減少復合性缺陷態密度。摻雜非晶硅薄膜沉積場鈍化主要在電池背面沉積同型摻雜非晶硅薄層形成背電場，可以削弱界面的復合，達到減少載流子復合和獲取更多光生載流子的目的；摻雜非晶硅薄膜一般采用與沉積本征非晶硅膜層相似的等離子體系統來完成；p型摻雜常用的摻雜源為硼烷(B2H6)混氫,或者三甲基硼(TMB)；n型摻雜則用磷烷混氫（PH3)。優越的表面鈍化能力是獲得較高電池效率的重要條件，利用非晶硅優異的鈍化效果，可將硅片的少子壽命大幅度提升。零界高效異質結電池整線設備導入銅制程電池等多項技術，降低非硅成本。浙江雙面微晶異質結PVD

異質結電池生產設備，異質結電池整線解決方案，制絨清洗的主要目的。1去除硅片表面的污染和損傷層；2利用KOH腐蝕液對n型硅片進行各項異性腐蝕，將Si（100）晶面腐蝕為Si（111）晶面的四方椎體結構（“金字塔結構”），即在硅片表面形成絨面，可將硅片表面反射率降低至12.5%以下，從而產生更多的光生載流子；3形成潔凈硅片表面，由于HJT電池中硅片襯底表面直接為異質結界面的一部分，避免不潔凈引進的缺陷和雜質而帶來的結界面處載流子的復合。河南鈣鈦礦異質結報價光伏異質結的結構簡單，由非晶硅層和晶體硅層組成，具有制造工藝簡單、快速和低成本的優勢。

光伏異質結是一種利用半導體材料的光電效應將光能轉化為電能的技術。其原理是基于半導體材料的能帶結構和PN結的特性。半導體材料的能帶結構是指在晶體中，電子的能量分布情況。在半導體中，有一個價帶和一個導帶，兩者之間存在一個能隙。當光子能量大于等于這個能隙時，光子就可以激發價帶中的電子躍遷到導帶中，形成自由電子和空穴。這個過程就是光電效應。PN結是由P型半導體和N型半導體組成的結構。在PN結中，P型半導體中的空穴和N型半導體中的自由電子會在結界面處發生復合，形成電子-空穴對。這個過程會產生電勢差，形成電場，使得電子和空穴在結界面處被分離，形成電勢差。光伏異質結就是將半導體材料的能帶結構和PN結的特性結合起來，形成一個異質結。在光伏異質結中，P型半導體和N型半導體的結界面處形成了一個電勢差，使得光子激發的電子和空穴被分離，形成電勢差。這個電勢差可以被收集，形成電流，從而將光能轉化為電能。總之，光伏異質結的原理是基于半導體材料的能帶結構和PN結的特性，利用光子激發電子和空穴的光電效應，形成電勢差，將光能轉化為電能。

異高效質結電池HJT是HeterojunctionTechnology的縮寫，是一種N型單晶雙面電池，具有工藝簡單、發電量高、度電成本低的優勢。異質結太陽能電池使用晶體硅片進行載流子傳輸和吸收，并使用非晶/或微晶薄硅層進行鈍化和結的形成。頂部電極由透明導電氧化物（TCO）層和金屬網格組成。異質結硅太陽能電池已經吸引了很多人的注意，因為它們可以達到很高的轉換效率，可達26.3%，由隆基團隊對HJT極限效率進行更新為28.5%，同時使用低溫度加工，通常整個過程低于200℃。低加工溫度允許處理厚度小于100微米的硅晶圓，同時保持高產量。光伏異質結的廣泛應用將有助于減少溫室氣體排放，降低對化石能源的依賴，實現可持續發展目標。

高效異質結電池整線解決方案，TCO的作用：在形成a-Si:H/c-Si異質結后，電池被用一個~80納米的透明導電氧化物接觸。~80納米薄的透明導電氧化物（TCO）層和前面的金屬網格。透明導電氧化物通常是摻有Sn的InO（ITO）或摻有Al的ZnO。通常，TCO也被用來在電池的背面形成一個介電鏡。因此，為了理解和優化整個a-Si:H/c-Si太陽能電池，還必須考慮TCO對電池光電性能的影響。由于其高摻雜度，TCO的電子行為就像一個電荷載流子遷移率相當低的金屬，而TCO/a-Si:H結的電子行為通常被假定為類似于金屬-半導體結。  TCO的功函數對TCO/a-Si:H/c-Si結構中的帶狀排列以及電荷載流子在異質結上的傳輸起著重要作用。此外，TCO在大約10納米薄的a-Si:H上的沉積通常采用濺射工藝；在此，應該考慮到在該濺射工藝中損壞脆弱的a-Si:H/c-Si界面的可能性，并且在工藝優化中必須考慮到。光伏異質結電池PECVD是制備PIN層的主流設備，其結構和工藝機理復雜，需要專業公司制備。蘇州零界高效異質結CVD

光伏異質結電池的使用壽命長，具有長期穩定的能源供應能力。浙江雙面微晶異質結PVD

異質結電池工藝 1.清洗制絨。通過腐蝕去除表面損傷層，并且在表面進行制絨，以形成絨面結構達到陷光效果，減少反射損失；2.正面/背面非晶硅薄膜沉積。通過CVD方式在正面/背面分別沉積5~10nm的本征a-Si:H，作為鈍化層，然后再沉積摻雜層；3.正面/背面TCO沉積。通過PVD在鈍化層上面進行TCO薄膜沉積；4.柵線電極。通過絲網印刷進行柵線電極制作；5.烘烤(退火)。通過絲網印刷進行正面柵線電極制作，然后通過低溫燒結形成良好的接觸；6.光注入。7.電池測試及分選。浙江雙面微晶異質結PVD