異質結電池（HJT電池）的特點和優勢1、無PID現象由于電池上表面為TCO，電荷不會在電池表面的TCO上產生極化現象，無PID現象。同時實測數據也證實了這一點。異質結太陽能電池的技術應用與前景2、低溫制造工藝HJT電池所有制程的加工溫度均低于250，避免了生產效率低而成本高的高溫擴散制結的過程，而且低溫工藝使得a-Si薄膜的光學帶隙、沉積速率、吸收系數以及氫含量得到較精確的控制，也可避免因高溫導致的熱應力等不良影響。3、高效率HJT電池一直在刷新著量產的電池轉換效率的世界紀錄。HJT電池的效率比P型單晶硅電池高1-2%，而且之間的差異在慢慢增大。4、高光照穩定性異質結太陽能電池的技術應用與前景在HJT太陽能電池中不會出現非晶硅太陽能電池中常見的Staebler-Wronski效應。同時HJT電池采用的N型硅片，摻雜劑為磷，幾乎無光致衰減現象。5、可向薄型化發展HJT電池的制程溫度低，上下表面結構對稱，無機械應力產生，可以順利實現薄型化；另外經研究，對于少子壽命較高（SRV<100cm/s）的N型硅基底，片子越薄可以得到越高的開路電壓。異質結電池能夠充分利用太陽能資源，為人類創造更多的清潔能源和經濟效益。安徽HJT異質結無銀

高效異質結電池整線裝備，物理的氣相沉積，PVD優點沉積速度快、基材溫升低；所獲得的薄膜純度高、致密性好、成膜均勻性好；濺射工藝可重復性好，精確控制厚度；膜層粒子的散射能力強，繞鍍性好；不同的金屬、合金、氧化物能夠進行混合，同時濺射于基材上；缺點：常規平面磁控濺射技術靶材利用率不高，一般低于40％；在輝光放電中進行，金屬離化率較低。反應等離子體沉，RPD優點：對襯底的轟擊損傷小；鍍層附著性能好，膜層不易脫落；源材料利用率高，沉積速率高；易于化合物膜層的形成，增加活性；鍍膜所使用的基體材料和膜材范圍廣。缺點：薄膜中的缺陷密度較高，薄膜與基片的過渡區較寬，應用中受到限制（特別是電子器件和IC）；薄膜中含有氣體量較高。蘇州新型異質結光伏異質結技術的廣泛應用將有助于實現綠色能源轉型和應對氣候變化的目標。

高效異質結電池整線設備，HWCVD 1、熱絲化學氣相沉積(HotWireCVD，HWCVD)是利用高溫熱絲催化作用使SiH4分解來制備非晶硅薄膜，對襯底無損傷，且成膜質量非常好，但鍍膜均勻性較差，且熱絲作為耗材，成本較高；2、HWCVD一般分為三個階段，一是反應氣體在熱絲處的分解反應，二是基元向襯底運輸過程中的氣相反應，第三是生長薄膜的表面反應。PECVD鍍膜均勻性較高，工藝窗口寬，對襯底損傷較大。HWCVD是利用高溫熱絲催化作用使SiH4分解來成膜，對襯底無損傷，且成膜質量好，但鍍膜均勻性較差且成本較高。

異質結電池轉換效率高，拓展潛力大，工藝簡單并且降本路線清晰，契合了光伏產業發展的規律，是有潛力的下一代電池技術。釜川（無錫）智能科技有限公司，以半導體生產設備、太陽能電池生產設備為主要產品，打造光伏設備一體化服務。擁有強大的科研團隊，憑借技術競爭力，在清洗制絨設備、PECVD設備、PVD設備、電鍍銅設備等方面都有獨特優勢；以高效加工制造、快速終端交付的能力，為客戶提供整線工藝設備的交付服務。異質結電池整線解決方案：釜川自主研發的“零界”高效異質結電池整線制造解決方案已實現設備國產化,該解決方案疊加了雙面微晶、無銀或低銀金屬化工藝，提升了太陽能電池的轉換效率、良率和產能，并降低了生產成本。光伏異質結在建筑、農業、交通等領域的廣泛應用，為綠色能源的發展提供了有力支持。

異質結HJT電池生產設備，制絨清洗的主要目的。1去除硅片表面的污染和損傷層；2利用KOH腐蝕液對n型硅片進行各項異性腐蝕，將Si（100）晶面腐蝕為Si（111）晶面的四方椎體結構（“金字塔結構”），即在硅片表面形成絨面，可將硅片表面反射率降低至12.5%以下，從而產生更多的光生載流子；3形成潔凈硅片表面，由于HJT電池中硅片襯底表面直接為異質結界面的一部分，避免不潔凈引進的缺陷和雜質而帶來的結界面處載流子的復合。堿溶液濃度較低時，單晶硅的(100)與(111)晶面的腐蝕速度差別比較明顯，速度的比值被稱為各向異性因子(anisotropicfactorAF)；因此改變堿溶液的濃度及溫度，可以有效地改變AF，使得在不同方向上的速度不同，在硅片表面形成密集分布的“金字塔”結構的減反射絨面；在制絨工序，絨面大小為主要指標，一般可通過添加劑的選擇、工藝配比的變化、工藝溫度及工藝時間等來進行調節控制。 釜川高效異質結電池濕法金屬化設備采用無銀或低銀工藝。南京異質結設備哪家好

光伏異質結的結構簡單，由非晶硅層和晶體硅層組成，具有制造工藝簡單、快速和低成本的優勢。安徽HJT異質結無銀

異質結電池的優勢有，優勢一：工藝流程短HJT電池主工藝有4道：制絨、非晶硅沉積、TCO沉積、絲網印刷；遠少于PERC（10個）和TOPCON（12-13個）；其中，非晶硅沉積主要使用PECVD方法。TCO薄膜主要有兩種方法：RPD(反應等離子沉積)和PVD。優勢二：轉換效率高得益于N型硅襯底以及非晶硅對基底表面缺陷的雙重鈍化作用。目前量產效率普遍已在25%以上；更高的轉化效率需要在前后表面使用摻雜納米晶硅、摻雜微晶硅、摻雜微晶氧化硅、摻雜微晶碳化硅取代現有的摻雜。HJT效率潛力超28%，遠高PERC電池。優勢三：無LID&PID，低衰減無LID與PID：由于HJT電池襯底通常為N型單晶硅，而N型單晶硅為磷摻雜，不存在P型晶硅中的硼氧復合、硼鐵復合等，所以HJT電池對于LID效應是免疫的。HJT電池的表面沉積有TCO薄膜，無絕緣層，因此無表面層帶電的機會，從結構上避免PID發生。低衰減：HJT電池首年衰減1-2%，此后每年衰減0.25%，遠低于PERC電池摻鎵片的衰減情況（首年衰減2%，此后每年衰減0.45%)，因此HJT電池全生命周期每W發電量高出雙面PERC電池約1.9%-2.9%。安徽HJT異質結無銀