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北京2MHZ插件晶振經(jīng)驗(yàn)豐富

來源: 發(fā)布時(shí)間:2022-09-05

1、振動(dòng)模式與頻率關(guān)系:基頻1~35MHz3次泛音10~75MHz5次泛音50~150MHz7次泛音100~200MHz9次泛音150~250MHz2、晶體電阻:對(duì)于同一頻率,當(dāng)工作在高次泛音振動(dòng)時(shí)其電阻值將比工作在低次振動(dòng)時(shí)大。3、工作溫度范圍與溫度頻差:在提出溫度頻差時(shí),應(yīng)考慮設(shè)備工作引起的溫升容限。4、負(fù)載電容與頻率牽引:在許多應(yīng)用中,都有用一負(fù)載電抗元件來牽引晶體頻率的要求,這在鎖相環(huán)回路及調(diào)頻應(yīng)用中非常必要,大多數(shù)情況下,這個(gè)負(fù)載電抗呈容性5、負(fù)載電容的選擇:晶體工作在基頻時(shí),其負(fù)載電容的標(biāo)準(zhǔn)值為20PF、30PF、50PF、100PF。而泛音晶體經(jīng)常工作在串聯(lián)諧振,在使用負(fù)載電容的地方,其負(fù)載電容值應(yīng)從下列標(biāo)準(zhǔn)值中選擇:8PF、12PF、15PF、20PF、30PF。6、激勵(lì)電平的影響:一般來講,AT切晶體激勵(lì)電平的增大,其頻率變化是正的。激勵(lì)電平過高會(huì)引起非線性效應(yīng),導(dǎo)致可能出現(xiàn)寄生振蕩;嚴(yán)重?zé)犷l漂;過應(yīng)力頻漂及電阻突變。當(dāng)激勵(lì)電平過低時(shí)則會(huì)造成起振阻力不易克服、工作不良及指標(biāo)的不穩(wěn)定。7、濾波電路中的應(yīng)用:應(yīng)用于濾波電路中時(shí),除通常的規(guī)定外,更應(yīng)注意其等效電路元件的數(shù)值和誤差以及寄生響應(yīng)的位置和幅度晶振具有壓電效應(yīng),即在晶片兩極外加電壓后晶體會(huì)產(chǎn)生變形。北京2MHZ插件晶振經(jīng)驗(yàn)豐富

49S晶振頻率片49S晶振頻率片是把人造石英利用切割的方法切成一定切型、一定形狀、一定尺寸的晶片.49S頻率片采用的是矩形片,目前用的外形尺寸有8*2和6.5*2規(guī)格的。49S晶振外殼不同高度產(chǎn)品使用的外殼高度不同,高度有1.7mm,1.8mm,2.0mm,2.2mm,2.86mm等,對(duì)應(yīng)的產(chǎn)品高度為2.0~3.5mm.材質(zhì)也有所不同,有鐵殼和銅殼,不同要求的產(chǎn)品可能選擇不同。49S晶振電極不同頻率點(diǎn)石英晶振采用的電極尺寸不同,電極材料一般利用純度99.99%以上的銀,目的是為了提高電極的附著強(qiáng)度,在鍍銀之前先鍍少量的鉻(Cr)或鎳(Ni)效果會(huì)更好,鍍銀是在高真空度下進(jìn)行的,真空度至少達(dá)到5*10-5乇以上,電極面積直接與靜態(tài)電容、動(dòng)態(tài)電感、動(dòng)態(tài)電容等參數(shù)有關(guān),電極面積大時(shí),C0較大,晶體易起振,但易激勵(lì)寄生振動(dòng),產(chǎn)生跳頻;電極面積小時(shí),C0較小,有利于抑制寄生,而不利于起振。廣東SMD插件晶振聯(lián)系人7015/32.768KHZ,對(duì)應(yīng)EPSON和精工2個(gè)品牌的型號(hào)是什么?

晶振的參數(shù):標(biāo)稱頻率:振蕩器輸出的中心頻率或頻率的標(biāo)稱值。頻率準(zhǔn)確度:振蕩器輸出頻率在室溫(25℃±2℃)下相對(duì)于標(biāo)稱頻率的偏差。調(diào)整頻差:在指定溫度范圍內(nèi)振蕩器輸出頻率相對(duì)于25℃時(shí)測(cè)量值的蕞大允許頻率偏差。負(fù)載諧振頻率(fL):在規(guī)定條件下,晶體與一負(fù)載電容相串聯(lián)或相并聯(lián),其組合阻抗呈現(xiàn)為電阻性時(shí)(產(chǎn)生諧振)的兩個(gè)頻率中的一個(gè)頻率。在串聯(lián)負(fù)載電容時(shí),負(fù)載諧振頻率是兩個(gè)頻率中較低的一個(gè),在并聯(lián)負(fù)載電容時(shí),則是兩個(gè)頻率中較高的一個(gè)。靜電容:等效電路中與串聯(lián)臂并接的電容,也叫并電容,通常用C0表示。工作溫度范圍:能夠保證振蕩器輸出頻率及其化各種特性符合指標(biāo)的溫度范圍。頻率溫度穩(wěn)定度:在標(biāo)稱電源和負(fù)載下,工作在規(guī)定溫度范圍內(nèi)的不帶隱含基準(zhǔn)溫度或帶隱含基準(zhǔn)溫度的蕞大允許頻偏。

如何選擇合適的晶振。可以說現(xiàn)在的晶振很多,我說的是單片機(jī)外接的晶振,有石英晶振,有溫度補(bǔ)償?shù)木д竦鹊龋敲次覀冊(cè)谶x擇晶振時(shí)候需要注意哪些細(xì)節(jié)呢?晶振主要的參數(shù)無非主要是這幾個(gè):頻率;精度;適用的環(huán)境溫度,封裝尺寸。1、頻率,這應(yīng)該主要的參數(shù),頻率決定著單片機(jī)能否高速運(yùn)行,如果使用過程中對(duì)于頻率要求不是很嚴(yán)格,可以考慮用單片機(jī)內(nèi)部晶振,例如對(duì)于STM32內(nèi)部晶振它可以達(dá)到8MHz,甚至16Hz,如果對(duì)頻率要求不高的話,也就是普通類型的驅(qū)動(dòng)之類,不涉及兩個(gè)單片機(jī)通訊、不涉及串口通信、不涉及時(shí)間方面,例如定時(shí)等,這時(shí)候可以考慮用單片機(jī)內(nèi)部晶振,例如ST單片機(jī)內(nèi)部自帶的RC時(shí)鐘HSI(High-speedinternal(HSI)RCoscillator),頻率一般是8MHz或16MHz,一般的貼片無源晶振都要幾毛錢,如果使用內(nèi)部振蕩,可以省去不少錢呢,同時(shí)電路也省去了不少元器件;2、精度,如果對(duì)于精度要求很高的話,例如電路當(dāng)中會(huì)涉及到時(shí)間的準(zhǔn)確精度的話那就只能用外部晶振了,因?yàn)橥獠烤д癖容^穩(wěn)定而內(nèi)部晶振的誤差比較大,時(shí)間久了對(duì)于時(shí)間的累積產(chǎn)生很大誤差,特別是對(duì)于RC振蕩器對(duì)于溫度比較敏感,容易受其影響。常見的貼片晶振(SMD)封裝尺寸:2016、2016、2520、3225、5032。

晶振的應(yīng)用:石英晶體諧振器根據(jù)其外型結(jié)構(gòu)不同可分為HC-49U、HC-49U/S、HC-49U/S·SMD、UM-1、UM-5及柱狀晶體等。HC-49U適用于具有寬闊空間的電子產(chǎn)品如通信設(shè)備、電視機(jī)、電話機(jī)、電子玩具中。HC-49U/S適用于空間高度受到限制的各類薄型、小型電子設(shè)備及產(chǎn)品中。HC-49U/S·SMD為準(zhǔn)表面貼裝型產(chǎn)品,適用于各類超薄型、小型電腦及電子設(shè)備中。柱狀石英晶體諧振器適用于空間狹小的穩(wěn)頻計(jì)時(shí)電子產(chǎn)品如計(jì)時(shí)器、電子鐘、計(jì)算器等。UM系列產(chǎn)品主要應(yīng)用于移動(dòng)通訊產(chǎn)品中,如BP機(jī)、移動(dòng)手機(jī)等。石英晶體諧振器主要用于頻率控制和頻率選擇電路。本指南有助于確保不出現(xiàn)性能不滿意、成本不合適及可用性不良等現(xiàn)象。普通晶體振蕩器(SPXO):采用任何溫度頻率補(bǔ)償措施,價(jià)格低廉,通常用 作微處理器的時(shí)鐘器件。中山愛普生插件晶振批量定制

晶體諧振器使用注意事項(xiàng):抗沖擊、焊接耐熱、機(jī)械振動(dòng)、儲(chǔ)藏。北京2MHZ插件晶振經(jīng)驗(yàn)豐富

晶體振蕩器的參數(shù):ft=±(fmax-fmin)/(fmax+fmin)ftref=±MAX[|(fmax-fref)/fref|,|(fmin-fref)/fref|]ft:頻率溫度穩(wěn)定度(不帶隱含基準(zhǔn)度)ftref:頻率溫度穩(wěn)定度(帶隱含基準(zhǔn)溫)fmax:規(guī)定溫度范圍內(nèi)測(cè)得的蕞高頻率fmin:規(guī)定溫度范圍內(nèi)測(cè)得的蕞低頻率fref:規(guī)定基準(zhǔn)溫度測(cè)得的頻率說明:采用ftref指標(biāo)的晶體振蕩器其生產(chǎn)難度要高于采用ft指標(biāo)的晶體振蕩器,故ftref指標(biāo)的晶體振蕩器售價(jià)較高。故ftref指標(biāo)的晶體振蕩器售價(jià)較高。北京2MHZ插件晶振經(jīng)驗(yàn)豐富

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