晶振的種類：晶體諧振器，時鐘振蕩器，壓控振蕩器，溫補晶振，恒溫晶振，石英晶體濾波器。晶振推薦針對高速，高容量，低相噪信道傳輸設備的需求，我們推薦以下產品：高頻晶振:CMOS輸出的頻率范圍為10~245MHz;SINE輸出的頻率范圍為10~800MHz;LVDS輸出的頻率范圍為10~1.45GHz或15~2.1GHz;HCSL輸出的頻率范圍為15~700MHz.擴頻晶振:KOAN晶振KM系列是通過調制輸出信號使輸出信號的電磁干擾擴散到更大的頻譜上，尺寸有貼片5032，貼片7050，可以選擇中心擴展或向下擴展方式。晶振是諧振器和振蕩器的統稱，晶振全稱為晶體振蕩器。湖南貼片晶振來電咨詢

有源晶振三個或以上腳的分正負極，一般無源二腳的晶振不分。晶體振蕩器是指從一塊石英晶體上按一定方位角切下薄片，簡稱為晶片，石英晶體諧振器，簡稱為石英晶體或晶體、晶振；而在封裝內部添加IC組成振蕩電路的晶體元件稱為晶體振蕩器。其產品一般用金屬外殼封裝，也有用玻璃殼、陶瓷或塑料封裝。應用：1、通用晶體振蕩器，用于各種電路中，產生振蕩頻率；2、時鐘脈沖用石英晶體諧振器，與其它元件配合產生標準脈沖信號，廣范用于數字電路中；3、微處理器用石英晶體諧振器；4、CTVVTR用石英晶體諧振器；5、鐘表用石英晶體振蕩器。重慶常見貼片晶振現貨晶振的物料標簽有哪些內容？

晶振的擺放需要遠離熱源，因為高溫也會影響晶振頻偏。我們知道晶振附近相鄰地挖空處理，一方面是為了維持負載電容恒定，另一方面很大原因是隔絕熱傳導，避免周圍的PMIC或者其他發熱體的熱透過銅皮傳導到晶振，導致頻偏，故意凈空不鋪銅，以隔絕熱的傳遞。為什么溫度會影響晶振頻率呢？當晶振加熱或者降低到某個溫度后再降到常溫，與蕞初在常溫下測試通常情況下會有一定的變化，這是因為晶體的熱滯后現象，帶溫度補償的TCXO相對來說精度會好不少，可以有效解決晶體溫漂，但一般TCXO都是M以上級別較多，KHz的很少，受限于生產工藝。

晶振負載電容的計算公式是：CL=C1*C2/(C1+C2)+Cic+CpCic為集成電路內部電容，Cp為PCB板的寄生電容，寄生電容過大，將會導致負載電容偏大，從而引起晶振頻偏，這個時候減小匹配電容C1和C2可能會有所改善，但這也是治標不治本的措施。晶振相鄰層挖空是如何控制寄生電容Cp的呢？電容的物理公式是：C=εS/4πKd，即晶振焊盤與鄰近地平面之間的面積S和距離d均會影響寄生電容大小，因為面積S是不變的，所以影響寄生電容的因素只剩下距離d，通過挖空晶振同一層的地和相鄰層的地，可以增大晶振焊盤與地平面之間的距離，來達到減小寄生電容的效果。振蕩電路不匹配導致晶振不起振。

 并聯型晶體振蕩器。三極管VT與R1、R2、R3、R4構成放大電路；C3為交流旁路電容，對交流信號相當于短路；X1為石英晶體，在電路中相當于電感。從交流等效圖可以看出，該電路是一個電容三點式振蕩器，C1、C2、X1構成選頻電路，其選頻頻率主要由X1決定，頻率接近fp。并聯型晶體振蕩器 [1] 電路振蕩過程：接通電源后，三極管VT導通，有變化Ic電流流過VT，它包含著微弱的0～∞各種頻率的信號。這些信號加到C1、C2、X1構成的選頻電路，選頻電路從中選出f0信號，在X1、C1、C2兩端有f0信號電壓，取C2兩端的f0信號電壓反饋到VT的基-射極之間進行放大，放大后輸出信號又加到選頻電路，C1、C2兩端的信號電壓增大，C2兩端的電壓又送到VT基-射極，如此反復進行，VT輸出的信號越來越大，而VT放大電路的放大倍數逐漸減小，當放大電路的放大倍數與反饋電路的衰減系數相等時，輸出信號幅度保持穩定，不會再增大，該信號再送到其他的電路。 無源晶振沒有自帶電壓，所以要外加電源，而且必須使用兩個合適的電容。上海什么是貼片晶振答疑解惑

恒溫控制式晶體振蕩器（OCXO）：將晶體和振蕩電路置于恒 溫箱中，以消除環境溫度變化對頻率的影響。湖南貼片晶振來電咨詢

一般來講,石英晶振的頻率越高,需要的石英晶片越薄。比如40MHZ的石英晶體所需的晶片厚度是41.75毫米,這樣的厚度還算可以做到,但100MHZ的石英晶體,所需的晶片厚度則是16.7毫米。即使厚度可做到但損耗非常高,制成成品后輕輕一跌晶片就碎裂。所以一般在高頻的晶體就要采用三次泛音、五次泛音、七次泛音的技術來達到了。泛音晶振應用的典型電路要在芯片接晶振的一腳到地串上一個電感和電容,若不加,則晶振輸出只有基頻,就達不到要求了。”湖南貼片晶振來電咨詢

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