場效應管好壞與極性判別:將萬用表的量程選擇在RX1K檔,用黑表筆接D極,紅表筆接S極,用手同時觸及一下G,D極,場效應管應呈瞬時導通狀態,即表針擺向阻值較小的位置,再用手觸及一下G,S極,場效應管應無反應,即表針回零位置不動.此時應可判斷出場效應管為好管.將萬用表的量程選擇在RX1K檔,分別測量場效應管三個管腳之間的電阻阻值,若某腳與其他兩腳之間的電阻值均為無窮大時,并且再交換表筆后仍為無窮大時,則此腳為G極,其它兩腳為S極和D極.然后再用萬用表測量S極和D極之間的電阻值一次,交換表筆后再測量一次,其中阻值較小的一次,黑表筆接的是S極,紅表筆接的是D極.功率mos管選擇深圳盟科電子。江門高壓場效應管
場效應管是電壓控制元件。而三極管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下,應選用場效應管。而在信號源電壓較低,又允許從信號源取較多電流的條件下,應用三極管。場效應管靠多子導電,管中運動的只是一種極性的載流子;三極管既用多子,又利用少子。由于多子濃度不易受外因的影響,因此在環境變化較強烈的場合,采用場效應管比較合適。場效應管的輸入電阻高,適用于高輸入電阻的場合。場效應管的噪聲系數小,適用于低噪聲放大器的前置級。中壓場效應管生產過程盟科MK3400參數是可以替代AO3400的。
場效應管是只要一種載流子參與導電,用輸入電壓控制輸出電流的半導體器件。有N溝道器件和P溝道器件。有結型場效應三極管JFET(JunctionFieldEffectTransister)和絕緣柵型場效應三極管FET之分。FET也稱金屬-氧化物-半導體三極管MOSFET。MOS場效應管有增強型(EnhancementMOS或EMOS)和耗盡型(MOS或DMOS)兩大類,每一類有N溝道和P溝道兩種導電類型。場效應管有三個電極:D(Drain)稱為漏極,相當雙極型三極管的集電極;G(Gate)稱為柵極,相當于雙極型三極管的基極;S(Source)稱為源極,相當于雙極型三極管的發射極。增強型MOS(EMOS)場效應管MOSFET根本上是一種左右對稱的拓撲構造,它是在P型半導體上生成一層SiO2薄膜絕緣層,然后用光刻工藝擴散兩個高摻雜的N型區,從N型區引出電極,一個是漏極D,一個是源極S。在源極和漏極之間的絕緣層上鍍一層金屬鋁作為柵極G。P型半導體稱為襯底(substrat),用符號B表示。工作原理1.溝道構成原理當Vgs=0V時,漏源之間相當兩個背靠背的二極管,在D、S之間加上電壓,不會在D、S間構成電流。當柵極加有電壓時,若0<Vgs<Vgs(th)時(VGS(th)稱為開啟電壓),經過柵極和襯底間的電容作用,將靠近柵極下方的P型半導體中的空穴向下方排擠。
為了安全地使用場效應管,在線路的設計中不能超過管子的耗散功率。比較大漏源電壓、比較大柵源電壓和最大電流等參數的極限值。各類型場效應管在使用時,都要嚴格按要求的偏置接入電路中,要遵守場效應管偏置的極性。如結型場效應管柵源漏之間是PN結。N溝道管柵極不能加正偏壓,P溝道管柵極不能加負偏壓等等。MOS場效應管由于輸入阻抗極高,所以,在運輸、貯藏中必須將引出腳短路。要用金屬屏蔽包裝,以防止外來感應電勢將柵極擊穿。尤其要注意,不能將MOS場效應管放入塑料盒子內,保存時比較好放在金屬盒內同時也要注意管子的防潮。為了防止場效應管柵極感應擊穿,要求一切測試儀器、工作臺、電烙鐵、線路本身都必須有良好的接地,管腳在焊接時,先焊源極;在連入電路之前。管的全部引線端保持互相短接的狀態,焊接完后才把短接材科去掉,從元器件架上取下管子時,應以適當的方式確保人體接地如采用接地環等;當然,如果能采用先進的氣熱型電烙鐵焊接場效應管是比較方便的,并且可確保安全在未關斷電源時,相對不可以把管插入電路或從電路中拔出。以上的安全措施在使用場效應管時必須注意。盟科MK6802參數是可以替代AO6802的。
MOS場效應管的測試方法(1).準備工作測量之前,先把人體對地短路后,才能摸觸MOSFET的管腳。在手腕上接一條導線與大地連通,使人體與大地保持等電位。再把管腳分開,然后拆掉導線。(2).判定電極將萬用表撥于R×100檔,首先確定柵極。若某腳與其它腳的電阻都是無窮大,證明此腳就是柵極G。交換表筆重測量,S-D之間的電阻值應為幾百歐至幾千歐,其中阻值較小的那一次,黑表筆接的為D極,紅表筆接的是S極。(3).檢查放大能力(跨導)將G極懸空,黑表筆接D極,紅表筆接S極,然后用手指觸摸G極,表針應有較大的偏轉。雙柵MOS場效應管有兩個柵極G1、G2。為區分之,可用手分別觸摸G1、G2極,其中表針向左側偏轉幅度較大的為G2極。目前有的MOSFET管在G-S極間增加了保護二極管,平時就不需要把各管腳短路了。MOS場效應晶體管在使用時應注意分類,不能隨意互換。MOS場效應晶體管由于輸入阻抗高(包括MOS集成電路)極易被靜電擊穿,使用時應注意以下規則:(1).MOS器件出廠時通常裝在黑色的導電泡沫塑料袋中,切勿自行隨便拿個塑料袋裝。也可用細銅線把各個引腳連接在一起,或用錫紙包裝。2).取出的MOS器件不能在塑料板上滑動,應用金屬盤來盛放待用器件。(3).焊接用的電烙鐵必須良好接地。低壓mos管選擇深圳盟科電子。惠州電路保護場效應管加工廠
盟科電子有做SOT-23場效應管。江門高壓場效應管
2N7002和2N7002K是一款帶ESD防靜電保護的場效應管,封裝形式為SOT-23,深圳市盟科電子科技有限公司從2010年成立至今一直專注場效應管的研發、生產和應用。主要生產場效應管,三極管,二極管,可控硅,LDO等。質量可靠,且提供全程的售前售后服務。這款2N7002產品是N溝道增強型帶靜電保護MOS,ESD可達2000V,其電壓BVDSS是大于60V,電流ID可達300mA,阻抗Rdon在VGS@10V檔位下典型值為1歐姆,開啟電壓VGS(th)典型值在2-4V。本款產品包裝為3000PCS,標準絲印為7002和02K,也可以支持ODM定制,交期大多在15天就可以產出。主要用于電腦主板,鍵盤鼠標等。江門高壓場效應管
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