反向偏壓（Reverse Bias）在陽極側施加相對陰極負的電壓，就是反向偏置，所加電壓為逆向偏壓。這種情況下，因為N型區域被注入電洞，P型區域被注入電子，兩個區域內的主要載流子都變為不足，因此結合部位的空乏層變得更寬，內部的靜電場也更強，擴散電位也跟著變大。這個擴散電位與外部施加的電壓互相抵銷，讓反向的電流更難以通過。實際的元件雖然處于反向偏壓狀態，也會有微小的反向電流（飽和電流、漏電流、漂移電流）通過。當反向偏壓持續增加時，還會發生隧道擊穿或雪崩擊穿或崩潰，發生急遽的電流增加。開始產生這種擊穿現象的（反向）電壓被稱為擊穿電壓。超過擊穿電壓以后反向電流急遽增加的區域被稱為擊穿區（崩潰區）。在擊穿區內，電流在較大的范圍內變化而二極管反向壓降變化較小。穩壓二極管就利用這個區域的動作特性而制成，可以作為電壓源使用。二極管的主要原理就是利用PN結的單向導電性。寧波直插二極管供應

二極管擊穿特性外加反向電壓超過某一數值時，反向電流會突然增大，這種現象稱為電擊穿。引起電擊穿的臨界電壓稱為二極管反向擊穿電壓。電擊穿時二極管失去單向導電性。如果二極管沒有因電擊穿而引起過熱，則單向導電性不一定會被破壞，在撤除外加電壓后，其性能仍可恢復，否則二極管就損壞了。因而使用時應避免二極管外加的反向電壓過高。反向擊穿按機理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下，因勢壘區寬度很小，反向電壓較大時，破壞了勢壘區內共價鍵結構，使價電子脫離共價鍵束縛，產生電子-空穴對，致使電流急劇增大，這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低，勢壘區寬度較寬，不容易產生齊納擊穿。溫州電子二極管哪家好二極管比鍺二極管在高溫下具有較好的穩定性。

二極管的結構組成：二極管就是由一個PN結加上相應的電極引線及管殼封裝而成的。 采用不同的摻雜工藝，通過擴散作用，將P型半導體與N型半導體制作在同一塊半導體（通常是硅或鍺）基片上，在它們的交界面就形成空間電荷區稱為PN結。由P區引出的電極稱為陽極，N區引出的電極稱為陰極。因為PN結的單向導電性，二極管導通時電流方向是由陽極通過管子內部流向陰極。 二極管的電路符號所示。二極管有兩個電極，由P區引出的電極是正極，又叫陽極；由N區引出的電極是負極，又叫陰極。三角箭頭方向表示正向電流的方向，二極管的文字符號用VD表示。

二極管在電子電路應用（1）開關電路在數字、集成電路中利用二極管的單向導電性實現電路的導通或斷開，這一技術已經得到普遍應用。開關二極管可以很好的保護的電路，防止電路因為短路等問題而被燒壞，也可實現傳統開關的功能。開關二極管還有一個特性就是開關的速度很快。這是傳統開關所無法比擬的。（2）限幅電路在電子電路中，常用限幅電路對各種信號進行處理。它是用來讓信號在預置的電平范圍內，有選擇地傳輸一部分信號。大多數二極管都可作為限幅使用，但有些時候需要用到限幅二極管，如保護儀表時。二極管紅外線發光的發射強度因發射方向而異。

肖特基二極管：肖特基二極管肖特基（Schottky）二極管，又稱肖特基勢壘二極管（簡稱 SBD），它屬一種低功耗、超高速半導體器件。的特點為反向恢復時間極短（可以小到幾納秒），正向導通壓降0.4V左右。其多用作高頻、低壓、大電流整流二極管、續流二極管、保護二極管，也有用在微波通信等電路中作整流二極管、小信號檢波二極管使用。在通信電源、變頻器等中比較常見。隧道二極管又稱為江崎二極管，它是以隧道效應電流為主要電流分量的晶體二極管。其優點是開關特性好，速度快、工作頻率高，多應用于某些開關電路或高頻振蕩等電路中。二極管的導通和截止，則相當于開關的接通與斷開。廣州原裝二極管廠家直銷

二極管長期連續工作時，允許通過的正向平均電流值。寧波直插二極管供應

光電二極管的主要部分是P-N結，和普通的二極管一樣，P-N結屬于單向導電的非線性元件，在P-N結中存在一個從N區指向P區的內電場E。在熱平衡的條件下(無光照下)，多數載流子(N區的電子和P區的空穴)的擴散作用與少數載流子(N區的空穴和P區的電子)的漂移作用相互抵消，沒有凈電荷通過P-N結。有光照射在P-N結及附近區域時，如果照射的光子有足夠大的能量，那么就會在P-N結及附近區域產生少數光生載流子。少數光生載流子靠擴散作用進入P-N結區，并在內電場E的作用下，電子漂移到N區，空穴漂移到P區，使N區帶負電荷，P區帶正電荷，進而產生附加電勢，我們把這個電勢叫做光生電動勢。 當有外加偏壓，且外加偏壓方向與P一結內電場 一致時，光生載流子在勢壘區電場作用下漂移過P-N結，形成導電電流。寧波直插二極管供應

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