二極管在20世紀20年代由熱離子二極管所取代。20世紀50年代，高純度的半導體材料出現。因為新出現的鍺二極管價格便宜，晶體收音機重新開始被大規模使用。貝爾實驗室還開發了鍺二極管微波接收器。20世紀40年代中后期，美國電話電報公司在美國四處新建的微波塔上開始應用這種微波接收器，主要用于傳輸電話和網絡電視信號。不過貝爾實驗室并未研發出效果令人滿意的熱離子二極管微波接收器。之后隨著量子力學和半導體材料的發展和應用，逐漸發展并形成了目前人們使用的半導體二極管結構和配套的應用產業。 在變容電路中常用變容二極管來實現電路的自動頻率控制、調諧、調頻以及掃描振蕩等。嘉興TOS二極管分類

反向偏壓（Reverse Bias）在陽極側施加相對陰極負的電壓，就是反向偏置，所加電壓為逆向偏壓。這種情況下，因為N型區域被注入電洞，P型區域被注入電子，兩個區域內的主要載流子都變為不足，因此結合部位的空乏層變得更寬，內部的靜電場也更強，擴散電位也跟著變大。這個擴散電位與外部施加的電壓互相抵銷，讓反向的電流更難以通過。實際的元件雖然處于反向偏壓狀態，也會有微小的反向電流（飽和電流、漏電流、漂移電流）通過。當反向偏壓持續增加時，還會發生隧道擊穿或雪崩擊穿或崩潰，發生急遽的電流增加。開始產生這種擊穿現象的（反向）電壓被稱為擊穿電壓。超過擊穿電壓以后反向電流急遽增加的區域被稱為擊穿區（崩潰區）。在擊穿區內，電流在較大的范圍內變化而二極管反向壓降變化較小。穩壓二極管就利用這個區域的動作特性而制成，可以作為電壓源使用。浙江檢波二極管廠家直銷二極管在20世紀20年代由熱離子二極管所取代。

光電二極管的主要部分是P-N結，和普通的二極管一樣，P-N結屬于單向導電的非線性元件，在P-N結中存在一個從N區指向P區的內電場E。在熱平衡的條件下(無光照下)，多數載流子(N區的電子和P區的空穴)的擴散作用與少數載流子(N區的空穴和P區的電子)的漂移作用相互抵消，沒有凈電荷通過P-N結。有光照射在P-N結及附近區域時，如果照射的光子有足夠大的能量，那么就會在P-N結及附近區域產生少數光生載流子。少數光生載流子靠擴散作用進入P-N結區，并在內電場E的作用下，電子漂移到N區，空穴漂移到P區，使N區帶負電荷，P區帶正電荷，進而產生附加電勢，我們把這個電勢叫做光生電動勢。 當有外加偏壓，且外加偏壓方向與P一結內電場 一致時，光生載流子在勢壘區電場作用下漂移過P-N結，形成導電電流。

極管限幅電路及故障處理：二極管基本的工作狀態是導通和截止兩種，利用這一特性可以構成限幅電路。所謂限幅電路就是限制電路中某一點的信號幅度大小，讓信號幅度大到一定程度時，不讓信號的幅度再增大，當信號的幅度沒有達到限制的幅度時，限幅電路不工作，具有這種功能的電路稱為限幅電路，利用二極管來完成這一功能的電路稱為二極管限幅電路。是二極管限幅電路。在電路中，A1是集成電路（一種常用元器件），VT1和VT2是三極管（一種常用元器件），R1和R2是電阻器，VD1～VD6是二極管。二極管開路和短路時，都不能完成檢波任務，所以收音電路均會出現收音無聲故障。

二極管的起源早在20世紀40年代，人們就開始利用金屬-半導體接觸的單向導電性，當時將金屬絲與氧化亞銅晶體接觸做成點接觸型二極管，將這種較簡單的半導體器件用于檢波。利用薄膜淀積技術可在半導體表面形成大面積的金屬-半導體整流接觸，做成面接觸型的金屬-半導體二極管，習慣上稱之為肖特基勢壘二極管，簡稱為肖特基二極管。目前，功率肖特基勢壘二極管主要用鉻、鉑、鎢、鋁等金屬與N型低阻硅制成　　這里需要對陰極金屬與重摻雜的N+層之間的接觸進行說明。首先肯定是該接觸為歐姆接觸，與陽極的金屬-半導體的整流接觸不同。歐姆接觸不光光看金屬和半導體的功函數之差。更廣義的所謂歐姆接觸，是指接觸電阻很小且不隨外加電壓的變化而改變其阻值的線性接觸。二極管紅外線發光的發射強度因發射方向而異。浙江直插二極管接線圖

二極管在其界面處兩側形成空間電荷層，并建有自建電場。嘉興TOS二極管分類

二極管是用半導體材料(硅、硒、鍺等)制成的一種電子器件 。它具有單向導電性能， 即給二極管陽極加上正向電壓時，二極管導通。 當給陽極和陰極加上反向電壓時，二極管截止。 因此，二極管的導通和截止，則相當于開關的接通與斷開二極管（Diode），是一種具有不對稱電導的雙電極電子元件。理想的二極管在正向導通時兩個電極（陽極和陰極）間擁有零電阻，而反向時則有無窮大電阻，即電流只允許由單一方向流過二極管。因此二極管具有單向導電的特點，可起到整流的作用。嘉興TOS二極管分類

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