場效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應管。主要有兩種類型：結型場效應管（junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導體場效應管（metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET）。由多數載流子參與導電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高（107～1015Ω）、噪聲小、功耗低、動態范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點，現已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。 場效應管的輸入阻抗很大，輸入電流極?。痪w管輸入阻抗很小，在導電時輸入電流較大。東莞雙P場效應管價錢

場效應管是電壓控制元件。而三極管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下，應選用場效應管。而在信號源電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應用三極管。場效應管靠多子導電，管中運動的只是一種極性的載流子；三極管既用多子，又利用少子。由于多子濃度不易受外因的影響，因此在環境變化較強烈的場合，采用場效應管比較合適。場效應管的輸入電阻高，適用于高輸入電阻的場合。場效應管的噪聲系數小，適用于低噪聲放大器的前置級。 低功率場效應管銷售廠場效應管電子遷移在固體晶格中，有無規則運動。

VMOS場效應管:VMOS場效應管（VMOSFET）簡稱VMOS管或功率場效應管，其全稱為V型槽MOS場效應管。它是繼MOSFET之后新發展起來的高效、功率開關器件。它不光繼承了MOS場效應管輸入阻抗高（≥108W）、驅動電流小（左右0.1μA左右），還具有耐壓高（較高可耐壓1200V）、工作電流大（1.5A～100A）、輸出功率高（1～250W）、跨導的線性好、開關速度快等優良特性。正是由于它將電子管與功率晶體管之優點集于一身，因此在電壓放大器（電壓放大倍數可達數千倍）、功率放大器、開關電源和逆變器中正獲得普遍應用。

場效應管以N溝道為例，它是在P型硅襯底上制成兩個高摻雜濃度的源擴散區N+和漏擴散區N+，再分別引出源極S和漏極D。源極與襯底在內部連通，二者總保持等電位。當漏接電源正極，源極接電源負極并使VGS=0時，溝道電流（即漏極電流）ID=0。隨著VGS逐漸升高，受柵極正電壓的吸引，在兩個擴散區之間就感應出帶負電的少數載流子，形成從漏極到源極的N型溝道，當VGS大于管子的開啟電壓VTN（一般約為+2V）時，N溝道管開始導通，形成漏極電流ID。 場效應管由多數載流子參與導電，也稱為單極型晶體管。

場效應管與雙極性晶體管的比較場效應管是電壓控制器件，柵極基本不取電流，而晶體管是電流控制器件，基極必須取一定的電流。因此，在信號源額定電流極小的情況，應選用場效應管。場效應管是多子導電，而晶體管的兩種載流子均參與導電。由于少子的濃度對溫度、輻射等外界條件很敏感，因此，對于環境變化較大的場合，采用場效應管比較合適。場效應管除了和晶體管一樣可作為放大器件及可控開關外，還可作壓控可變線性電阻使用。場效應管的源極和漏極在結構上是對稱的，可以互換使用，耗盡型MOS管的柵——源電壓可正可負。因此，使用場效應管比晶體管靈活。 場效應晶體管的溝道是摻雜n型半導體或p型半導體的結果。中山大23場效應管廠家現貨

場效應管（FET）是利用控制輸入回路的電場效應來控制輸出回路電流的一種半導體器件，并以此命名。東莞雙P場效應管價錢

場效應晶體管的優點：具有較高輸入電阻高、輸入電流低于零，幾乎不要向信號源吸取電流，在在基極注入電流的大小，直接影響集電極電流的大小，利用輸出電流控制輸出電源的半導體。場效應管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下，應選用場效應管；而在信號電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應選用晶體管。場效應管是利用多數載流子導電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是即有多數載流子，也利用少數載流子導電。被稱之為雙極型器件。 東莞雙P場效應管價錢

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