但無法使其關斷。要使導通的晶閘管恢復阻斷，可降低陽極電壓，或增大負載電阻，使流過晶閘管的陽極電流減小至維持電流（IH）（當門極斷開時，晶閘管從較大的通態電流降至剛好能保持晶閘管導通所需的小陽極電流叫維持電流），電流會突然降到零，之后再提高電壓或減小負載電阻，電流不會再增大，說明晶閘管已恢復阻斷。根據晶閘管陽極伏安特性，可以總結出：1．門極斷開時。晶閘管的正向漏電流比一般硅二極管反向漏電流大，且隨著管子正向陽極電壓升高而增大。當陽極電壓升到足夠大時，會使晶閘管導通，稱為正向轉折或“硬開通”。多次硬開通會損壞管子。2．晶閘管加上正向陽極電壓后，還必須加上觸發電壓，并產生足夠的觸發電流，才能使晶閘管從阻斷轉為導通。觸發電流不夠時，管子不會導通，但此時正向漏電流隨著增大而增大。晶閘管只能穩定工作在關斷和導通兩個狀態，沒有中間狀態，具有雙穩開關特性。是一種理想的無觸點功率開關元件。3．晶閘管一旦觸發導通，門極完全失去控制作用。要關斷晶閘管，必須使陽極電流《維持電流，對于電阻負載，只要使管子陽極電壓降為零即可。為了保證晶閘管可靠迅速關斷，通常在管子陽極電壓互降為零后，加上一定時間的反向電壓。淄博正高電氣技術力量雄厚，工裝設備和檢測儀器齊備，檢驗與實驗手段完善。北京雙向可控硅調壓模塊生產廠家

眾所周知MDY可控硅模塊的功能很強大，因此在電氣行業以及生活中的應用都比較普遍，但是在直流控制交流電路中可以用MDY可控硅模塊來實現嗎？讓昆二晶可控硅模塊小編來告訴你吧。MDY可控硅模塊可以用在交流電路中，也可以用在直流電路中。用于直流電路時使用直流下可關斷可控硅模塊，MDY可控硅模塊主回路的在導通情況下關斷時，要滿足主回路電流小于其維持電流的條件才能被關斷，一般可控硅的維持電流在幾毫安——幾十毫安范圍內。在MDY可控硅模塊控制交流電路時，由于交流電流有過零時刻，MDY可控硅模塊主回路電流小于維持電流，因此能夠滿足關斷條件。直流電路中也可以采用產生反向電流的電路使主回路電流瞬間小于維持電流，而被關斷。用MDY可控硅模塊控制交流的應用很廣，單結晶體管交流調壓電路就是一種典型的交流調壓電路。調壓原理是：通過改變單結晶體管發出觸發脈沖的導通角度來控制可控硅的導通時間，來實現交流調壓。此電路中，單結晶體管是接在交流電路中的，通過半波整流和降壓獲取工作電源。MDY可控硅模塊通常在調壓電路中，觸發電路由控制電路產生，控制電路工作在直流電路中。其實，不必深究是否是直流控制交流，只要知道MDY可控硅模塊的控制原理就行了。上海可控硅調壓模塊淄博正高電氣始終堅持以人為本，恪守質量為金，同建雄績偉業。

電力調整器是利用晶閘管及其觸發控制電路來調節負載功率的圓盤式功率調節裝置。現在更多的是采用數字電路觸發晶閘管來實現電壓調節和功率調節。那就讓正高電氣的小編帶大家去了解一下它的其他的方面吧！它是一種四層三端半導體器件，連接在電源和負載之間，并配有相應的觸發控制電路板，可調節負載所加的電壓、電流和功率。主要用于各種電加熱裝置（如電加熱工業爐、電烘干機、電油爐、各種反應罐和反應釜的電加熱裝置）的加熱功率調節。它不只可以“手動”調節，還可以用電動調節儀表和智能裝置調節儀表、PLC和計算機控制系統，實現加熱溫度的設定或程序控制。它是采用數字電路觸發晶閘管實現電壓和功率調節。電壓調節采用移相控制方式，功率調節有固定周期功率調節和可變周期功率調節兩種方式。通過對電壓、電流和功率的控制，它也可以實現對溫度的精確控制。并借助于數字控制算法，對功率效率進行了優化。對節約電能起著非常重要的作用，并且調節器的的效率非常高還沒有機械噪聲，磨損小、體積小重量輕還有很多優點三相這一類型是一種基于晶閘管（電力電子功率器件）和智能數字控制電路的功率控制裝置，主要用于三相380VAC場合。

設備自身運行中以及非正常運行中也有過電壓出現。過電壓保護的第一種方法是并接R-C阻容吸收回路，以及用壓敏電阻或硒堆等非線性元件加以。過電壓保護的第二種方法是采用電子電路進行保護。3.電流上升率、電壓上升率的保護（1）電流上升率di/dt的可控硅初開通時電流集中在靠近門極的陰極表面較小的區域，局部電流密度很大，然后以μs的擴展速度將電流擴展到整個陰極面，若可控硅開通時電流上升率di/dt過大，會導致PN結擊穿，必須限制可控硅的電流上升率使其在合適的范圍內。其有效辦法是在可控硅的陽極回路串聯入電感。如下圖:（2）.電壓上升率dv/dt的加在可控硅上的正向電壓上升率dv/dt也應有所限制,如果dv/dt過大，由于晶閘管結電容的存在而產生較大的位移電流，該電流可以實際上起到觸發電流的作用，使晶閘管正向阻斷能力下降，嚴重時引起晶閘管誤導通。為dv/dt的作用，可以在晶閘管兩端并聯R-C阻容吸收回路。如下圖：4.為什么要在可控硅兩端并聯阻容網絡在實際可控硅電路中，常在其兩端并聯RC串聯網絡，該網絡常稱為RC阻容吸收電路。可控硅有一個重要特性參數－斷態電壓臨界上升率dlv/dlt。它表明可控硅在額定結溫和門極斷路條件下。淄博正高電氣智造產品，制造品質是我們服務環境的決心。

可控硅可控硅簡稱SCR，是一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長等優點。在自動控制系統中，可作為大功率驅動器件，實現用小功率控件控制大功率設備。它在交直流電機調速系統、調功系統及隨動系統中得到了的應用。可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅，簡稱TRIAC。雙向可控硅在結構上相當于兩個單向可控硅反向連接，這種可控硅具有雙向導通功能。其通斷狀態由控制極G決定。在控制極G上加正脈沖（或負脈沖）可使其正向（或反向）導通。這種裝置的優點是控制電路簡單，沒有反向耐壓問題，因此特別適合做交流無觸點開關使用。IGBTIGBT絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。IGBT非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。晶閘管等元件通過整流來實現。淄博正高電氣尊崇團結、信譽、勤奮。江西可控硅調壓模塊價格

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除此之外整流器件還有很多，如：可關斷晶閘管GTO，逆導晶閘管，雙向晶閘管，整流模塊，功率模塊IGBT，SIT，MOSFET等等，這里只探討晶閘管。晶閘管又名可控硅，通常人們都叫可控硅。是一種功率半導體器件，由于它效率高，控制特性好，壽命長，體積小等優點，自上個世紀六十長代以來，獲得了迅猛發展，并已形成了一門單獨的學科。“晶閘管交流技術”。晶閘管發展到，在工藝上已經非常成熟，品質更好，成品率大幅提高，并向高壓大電流發展。目前國內晶閘管大額定電流可達5000A，國外更大。我國的韶山電力機車上裝載的都是我國自行研制的大功率晶閘管。晶閘管的應用：一、可控整流如同二極管整流一樣，可以把交流整流為直流，并且在交流電壓不變的情況下，方便地控制直流輸出電壓的大小即可控整流，實現交流——可變直流二、交流調壓與調功利用晶閘管的開關特性代替老式的接觸調壓器、感應調壓器和飽和電抗器調壓。為了消除晶閘管交流調壓產生的高次諧波，出現了一種過零觸發，實現負載交流功率的無級調節即晶閘管調功器。交流——可變交流。三、逆變與變頻直流輸電：將三相高壓交流整流為高壓直流，由高壓直流遠距離輸送以減少損耗。增加電力網的穩定。北京雙向可控硅調壓模塊生產廠家

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