4：光控電子開關光控電子開關，它的“開”和“關”是靠可控硅的導通和阻斷來實現的，而可控硅的導通和阻斷又是受自然光的亮度（或人為亮度）的大小所控制的。該裝置適合作為街道、宿舍走廊或其它公共場所照明燈，起到日熄夜亮的控制作用，以節約用電。工作原理：電路如上圖所示，220V交流電通過燈泡H及整流全橋后，變成直流脈動電壓，作為正向偏壓，加在可控硅VS及R支路上。白天，亮度大于一定程度時，光敏二極管D呈現底阻狀態≤1KΩ，使三極管V截止，其發射極無電流輸出，單向可控硅VS因無觸發電流而阻斷。此時流過燈泡H的電流≤，燈泡H不能發光。電阻R1和穩壓二極管DW使三極管V偏壓不超過，對三極管起保護作用。夜晚，亮度小于一定程度時，光敏二極管D呈現高阻狀態≥100KΩ，使三極管V正向導通，發射極約有，使可控硅VS觸發導通，燈泡H發光。RP是清晨或傍晚實現開關轉換的亮度選擇元件。安裝與調試：安裝時，將裝焊好的印制板放入透明塑料盒內并固定好，將它與受控電燈H串聯，并讓它正對著天幕或房子采光窗前較明亮的空間，避免3米以內夜間燈光的直接照射。調試宜傍晚時進行，調節RP阻值的大小，使受控電燈H在適當的亮度下始點亮。5：自動延時照明開關夜晚離開房間。淄博正高電氣生產的產品受到用戶的一致稱贊。濟寧三相可控硅調壓模塊供應商

晶閘管模塊在電加熱爐的作用晶閘管模塊在我們的生活是無處不在，它在電加熱爐中也發揮著重要的作用，通過電控儀表的溫度傳感器來采集爐內溫度，然后再由恒溫儀表來控制智能可控硅調壓模塊的輸出電壓，形成一個溫度閉環系統，來保持爐內溫度恒定。下面正高電氣就來說說晶閘管模塊在電加熱爐中的作用，晶閘管模塊是電加熱爐控制裝置中關鍵的功率器件，整機裝置是否工作可靠與正確選擇晶閘管（可控硅）調壓模塊的額定電壓、額定電流等參數有很大關系。晶閘管模塊選型的原則是考慮工作可靠性，即電流、電壓必須留有足夠余量。一般加熱爐額定電壓為380V，選擇工作電壓為460V的晶閘管模塊，其他電壓的晶閘管模塊需要訂做。對晶閘管模塊電流的選擇，必須考慮加熱爐爐絲（或加熱件）的額定工作電流及智能可控硅調壓模塊的較大輸出電壓值，如果加熱絲為NTC或PTC特性的（即加熱絲額定電流隨溫度變化，開機時溫度很低，額定電流會很大或加熱到較高溫度時，額定電流會很大或加熱到較高溫度時，額定電流會很大），必須考慮加熱絲整個工作狀態的較大電流值，作為加熱絲的額定電流值來確定晶閘管智能模塊的規格大小。以上就是晶閘管模塊在電加熱爐的作用，想要了解更多關于晶閘管模塊的知識。濟寧三相可控硅調壓模塊供應商淄博正高電氣不斷從事技術革新，改進生產工藝，提高技術水平。

會對可控硅模塊造成損壞，如果要想保護可控硅不受其損壞，就要了解過電壓的產生原因，從而去避免防止受損，下面正高電氣就來講講過電壓會對可控硅模塊造成怎樣的損壞？以及過電壓產生的原因。可控硅模塊對過電壓非常敏感，當正向電壓超過udrm值時，可控硅會誤導并導致電路故障；當施加的反向電壓超過urrm值時，可控硅模塊會立即損壞。因此，需要研究過電壓產生的原因和過電壓的方法。過電壓主要是由于供電電源或系統儲能的急劇變化，使系統轉換太晚，或是系統中原本積聚的電磁能量消散太晚。主要研究發現，由于外界沖擊引起的過電壓主要有兩種類型，如雷擊和開關開啟和關閉引起的沖擊電壓。雷擊或高壓斷路器動作產生的過電壓是幾微秒到幾毫秒的電壓尖峰，對可控硅模塊非常危險。開關的開啟和關閉引起的脈沖電壓分為以下兩類：（1）交流電源接通、斷開產生的過電壓如交流開關分合、交流側熔斷器熔斷等引起的過電壓，由于變壓器繞組的分布電容、漏抗引起的諧振回路、電容分壓等原因，這些過電壓值是正常值的2～10倍以上。一般來說，開閉速度越快，過電壓越高，則在無負載下斷開晶閘管模塊時過電壓就越高。直流側產生的過電壓例如，如果切斷電路的電感較大。

可控硅從外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三種，螺旋式的應用較多。可控硅有三個電極---陽極（A）陰極（C）和控制極（G）。它有管芯是P型導體和N型導體交迭組成的四層結構，共有三個PN結。可控硅和只有一個PN結的硅整流二極度管在結構上迥然不同。可控硅的四層結構和控制極的引用，為其發揮“以小控大”的優異控制特性奠定了基礎。在應用可控硅時，只要在控制極加上很小的電流或電壓，就能控制很大的陽極電流或電壓。目前已能制造出電流容量達幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。可控硅為什么其有“以小控大”的可控性呢？下面簡單分析可控硅的工作原理。可以把從陰極向上數的、二、三層看面是一只NPN型號晶體管，而二、三四層組成另一只PNP型晶體管。其中第二、第三層為兩管交迭共用。當在陽極和陰極之間加上一個正向電壓Ea，又在控制極G和陰極C之間（相當BG1的基一射間）輸入一個正的觸發信號，BG1將產生基極電流Ib1，經放大，BG1將有一個放大了β1倍的集電極電流IC1。因為BG1集電極與BG2基極相連，IC1又是BG2的基極電流Ib2。淄博正高電氣以快的速度提供好的產品質量和好的價格及完善的售后服務。

可控硅可控硅簡稱SCR，是一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長等優點。在自動控制系統中，可作為大功率驅動器件，實現用小功率控件控制大功率設備。它在交直流電機調速系統、調功系統及隨動系統中得到了的應用。可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅，簡稱TRIAC。雙向可控硅在結構上相當于兩個單向可控硅反向連接，這種可控硅具有雙向導通功能。其通斷狀態由控制極G決定。在控制極G上加正脈沖（或負脈沖）可使其正向（或反向）導通。這種裝置的優點是控制電路簡單，沒有反向耐壓問題，因此特別適合做交流無觸點開關使用。IGBTIGBT絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。IGBT非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。晶閘管等元件通過整流來實現。淄博正高電氣在客戶和行業中樹立了良好的企業形象。濟寧三相可控硅調壓模塊供應商

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晶閘管模塊串聯和并聯的區別有哪些？晶閘管模塊的存在起到很重要的作用，在一些特殊情況時，就需要將晶閘管模塊進行串聯或者并聯，從而達到要求，接下來正高電氣來說說晶閘管模塊串聯和并聯的區別有哪些？當晶閘管模塊額定電壓小于要求時，可以串聯。采用晶閘管模塊串聯希望器件分壓相等，但因特性差異，使器件電壓分配不均勻。當晶閘管模塊靜態不均壓，串聯的晶閘管模塊流過的漏電流相同，但因靜態伏安特性的分散性，各器件分壓不等。這是應選用參數和特性盡量一致的晶閘管模塊，采用電阻均壓，Rp的阻值應比器件阻斷時的正、反向電阻小得多。當晶閘管模塊動態不均壓，由于器件動態參數和特性的差異造成的不均壓，這時我們要選擇動態參數和特性盡量一致的晶閘管模塊，用RC并聯支路作動態均壓，采用門極強脈沖觸發可以明顯減小器件開通時間的差異。和晶閘管模塊串聯不同的是，晶閘管模塊并聯會使多個器件并聯來承擔較大的電流，會分別因靜態和動態特性參數的差異而電流分配不均勻，這時我們要挑選特性參數盡量一致的器件，采用均流電抗器，用門極強脈沖觸發也有助于動態均流。需要注意的是當晶閘管模塊需要同時串聯和并聯時，通常采用先串后并的方法聯接。濟寧三相可控硅調壓模塊供應商