晶閘管的主要電參數有正向轉折電壓VBO、正向平均漏電流IFL、反向漏電流IRL、斷態重復峰值電壓VDRM、反向重復峰值電壓VRRM、正向平均壓降VF、通態平均電流IT、門極觸發電壓VG、門極觸發電流IG、門極反向電壓和維持電流IH等。(一)晶閘管正向轉折電壓VBO晶閘管的正向轉折電壓VBO是指在額定結溫為100℃且門極(G)開路的條件下，在其陽極(A)與陰極(K)之間加正弦半波正向電壓、使其由關斷狀態轉變為導通狀態時所對應的峰值電壓。(二)晶閘管斷態重復峰值電壓VDRM斷態重復峰值電壓VDRM，是指晶閘管在正向阻斷時，允許加在A、K(或T1、T2)極間大的峰值電壓。此電壓約為正向轉折電壓減去100V后的電壓值。(三)晶閘管通態平均電流IT通態平均電流IT，是指在規定環境溫度和標準散熱條件下，晶閘管正常工作時A、K(或T1、T2)極間所允許通過電流的平均值。(四)反向擊穿電壓VBR反向擊穿電壓是指在額定結溫下，晶閘管陽極與陰極之間施加正弦半波反向電壓，當其反向漏電電流急劇增加時反對應的峰值電壓。(五)晶閘管反向重復峰值電壓VRRM反向重復峰值電壓VRRM，是指晶閘管在門極G斷路時，允許加在A、K極間的大反向峰值電壓。此電壓約為反向擊穿電壓減去100V后的峰值電壓。。我公司將以優良的產品，周到的服務與尊敬的用戶攜手并進！日照單向可控硅調壓模塊

可控硅模塊現已眾所周知了，跟多人都見過，可是您關于它了解多少呢，比方可控硅模塊的應用領域有哪些？接下來可控硅模塊供應商為您解說。可控硅模塊分為單向可控硅和雙向可控硅，廣泛應用于控溫、調光、勵磁、電鍍、電解、充放電、電焊機、等離子拉弧、逆變電源等需對電力能量巨細進行調整和改換的場合。如工業、通訊、等各類電氣控制、電源等，根據還可通過可控硅模塊的控制端口與多功用控制板聯接，完畢穩流、穩壓、軟啟動等功用，并可完畢過流、過壓、過溫、缺相等保護功用。可控硅模塊，咱們用專業的情緒，重視您纖細的問題，想客戶之所想，急客戶之所急，用非常的質量，填平您一分的憂慮。您若對咱們的可控硅模塊有愛好或存在疑問，歡迎您咨詢，正高電氣誠摯為您服務！日照單向可控硅調壓模塊公司生產工藝得到了長足的發展，優良的品質使我們的產品銷往全國各地。

雙向可控硅是一種功率半導體器件，也稱雙向晶閘管，在單片機控制系統中，可作為功率驅動器件，由于雙向可控硅沒有反向耐壓問題，控制電路簡單，因此特別適合做交流無觸點開關使用。雙向可控硅接通的一般都是一些功率較大的用電器，且連接在強電網絡中，其觸發電路的抗干擾問題很重要，通常都是通過光電耦合器將單片機控制系統中的觸發信號加載到可控硅的控制極。為減小驅動功率和可控硅觸發時產生的干擾，交流電路雙向可控硅的觸發常采用過零觸發電路。（過零觸發是指在電壓為零或零附近的瞬間接通，由于采用過零觸發，因此需要正弦交流電過零檢測電路）雙向可控硅分為三象限、四象限可控硅，四象限可控硅其導通條件：總的來說導通的條件就是：G極與T1之間存在一個足夠的電壓時并能夠提供足夠的導通電流就可以使可控硅導通，這個電壓可以是正、負，和T1、T2之間的電流方向也沒有關系。因為雙向可控硅可以雙向導通，所以沒有正極負極，但是有T1、T2之分雙向可控硅觸發電路的設計方案雙向可控硅是一種功率半導體器件，也稱雙向晶閘管，在單片機控制系統中，可作為功率驅動器件，由于雙向可控硅沒有反向耐壓問題，控制電路簡單，因此特別適合做交流無觸點開關使用。

也可用于控制電熱毯、小功率電暖器等家用電器。電路圖溫度控制器電路如圖工作原理220V交流電壓經Cl降壓、VD，和VD。整流、C2濾波及VS穩壓后，一路作為IC（TL431型三端穩壓集成電路）的輸入直流電壓；另一路經RT、R3和RP分壓后，為IC提供控制電壓。在被測溫度低于RP的設定溫度時，NTC502型負溫度系數熱敏電阻器Rr的電阻值較大，IC的控制電壓高于其開啟電壓，IC導通，使LED點亮，VS受觸發而導通，電熱器EH通電開始加熱。隨著溫度的不斷上升，Rr的電阻值逐漸減小，同時IC的控制電壓也隨之下降。當被測溫度高于設定溫度時，IC截止，使LED熄滅，VS關斷，EH斷電而停止加熱。隨后溫度又開始緩慢下降，當被測溫度低于設定溫度時，IC又導通，EH又開始通電加熱。如此循環不止，將被測溫度控制在設定的范圍內。可控硅調壓器電路圖（四）一般書刊介紹的大功率可控硅觸發電路都比較復雜，而且有些元件難以購買。筆者只花幾元錢制作的觸發電路已成功觸發100A以上的可控硅模塊，用于工業淬火爐上調節380V電壓，又裝一套用于大功率鼓風機作無級調速用，效果非常好。本電路也可用作調節220V交流供電的用電器。將兩只單向可控硅SCRl、SCR2反向并聯．再將控制板與本觸發電路連接。淄博正高電氣擁有業內技術人士和高技術人才。

安裝注意事項：1、考慮到電網電壓的波動和負載在起動時一般都比其額定電流大幾倍，且晶閘管芯片抗電流沖擊能力較差，建議您在選取模塊電流規格時應留出適當裕量。2、模塊管芯工作結溫：可控硅為-40℃∽125℃；環境溫度不得高于40℃；環境濕度小于86%。3、使用環境應無劇烈振動和沖擊，環境介質中應無腐蝕金屬和破壞絕緣的雜質和氣氛。4、由于可控硅模塊是絕緣型（即模塊接線柱對銅底板之間的絕緣耐壓大于），因此可以把多個模塊安裝在同一散熱器上，需接地線。5、散熱器安裝表面應平整、光滑，不能有劃痕、磕碰和雜物。散熱器表面光潔度應小于10μm。模塊安裝到散熱器上時，在它們的接觸面之間應涂一層很薄的導熱硅脂。涂脂前，用細砂紙把散熱器接觸面的氧化層去掉，然后用無水乙醇把表面擦干凈，使接觸良好，以減少熱阻。模塊緊固到散熱器表面時，采用M5或M6螺釘和彈簧墊圈，并以4NM力矩緊固螺釘與模塊主電極的連線應采用銅排，并有光滑平整的接觸面，使接觸良好。模塊工作３小時后，各個螺釘須再次緊固一遍。淄博正高電氣以創百年企業、樹百年品牌為使命，傾力為客戶創造更大利益！日照單向可控硅調壓模塊

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可控硅模塊通常被稱之為功率半導體模塊（semiconductormodule）。可控硅模塊從內部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊兩大類；從具體的用途上區分，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX\MTK\MTA）、普通整流管模塊（MDC）、普通晶閘管、整流管混合模塊（MFC）、快速晶閘管、整流管及混合模塊（MKC\MZC）、非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊（也就是通常所說的電焊機所用模塊MTG\MDG）、三相整流橋輸出可控硅模塊（MDS）、單相（三相）整流橋模塊（MDQ）、單相半控橋（三相全控橋）模塊（MTS）以及肖特基模塊等。下面是一個壞了換下來的電阻焊控制器一般這個東西都是可控硅壞了一般他們都是換總成所以這個就報廢了這種有3個整體結構也就這幾個部分一個控制板一個可控硅控制板下面有一個變壓器還有一些電阻控制板特寫可控硅模塊拆下來后我發現分量挺重的拆開研究研究可控硅的結構下方的兩個管道是循環冷卻水。日照單向可控硅調壓模塊