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重慶石墨烯器件及電路芯片開發

來源: 發布時間:2023-12-06

南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司對外提供定制化GaAs/InP SBD太赫茲集成電路芯片技術開發服務,該芯片電路工作頻段達到1.5THz;適用于工作頻率0.5THz以上、集成度要求高的太赫茲混頻、倍頻應用。本公司提供定制化薄膜型SBD集成電路設計與加工服務,GaAs薄膜型SBD集成電路是目前主流的技術解決方案。研究院可根據客戶需求進行定制化開發,可應用于太赫茲混頻、倍頻、檢波等技術方向。南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司將不斷提高研發水平,為客戶提供更好的服務。芯谷高頻研究院在背面工藝方面,擁有鍵合機、拋光臺、磨片機等,可以進行晶片的減薄、拋光以及劃片工藝。重慶石墨烯器件及電路芯片開發

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南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司的熱物性測試儀產品能夠準確、高效地測試材料的熱物性,為研究人員提供數據支撐。公司的熱物性測試儀產品無論在技術指標、測試精度還是穩定性方面都達到了先進水平。該設備操作簡單方便,準確性高,能夠滿足多種測試需求,包括熱導率分析、熱阻分析等。南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司的熱物性測試儀產品可以解決材料的熱評估難題,市場認可度高,將為科研工作注入新的活力。江西氮化鎵芯片工藝定制開發芯谷高頻研究院高功率密度熱源產品可根據客戶需求設計出色的散熱效能和優異的熱管理能力。

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南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司擁有先進的芯片研發與制造能力,能夠高效地完成芯片流片,包括太赫茲芯片、微波毫米波芯片、光電集成芯片、異質異構集成芯片、碳電子器件等各個領域芯片。在芯片制造過程中,公司采用先進的設備和技術。公司擁有一支經驗豐富且技術精湛的技術團隊,該團隊嚴格按照標準進行操作,確保每一道工序都能符合要求。同時,公司還注重研發創新,不斷提高產品的性能。通過持續的技術改進和創新,公司研發的芯片得到了客戶的認可和信賴。未來,南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司將繼續努力,進一步提升包括太赫茲器件、微波毫米波芯片、光電器件及電路等的研發與制造能力,為客戶提供更好的服務。

南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司對外提供大功率GaN微波/毫米波/太赫茲二極管技術開發服務,該系列大功率GaN微波毫米波太赫茲二極管器件產品具有耐功率、高速等優勢,工作頻率涵蓋1GHz~300GHz,截止頻率達600GHz;可用于接收端的大功率限幅,提高抗干擾能力;可用于無線輸能或遠距離無線充電,可大幅提高整流功率和效率,實現裝置的小型化;用于太赫茲系統,可提高太赫茲固態源輸出功率,實現太赫茲源小型化,為6G通信等未來應用奠定基礎。芯谷高頻器件研究院可完成芯片的研發、制造、測試等,可進行單步或多步工藝定制開發,可滿足多種工藝要求。

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    南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司具備先進的CVD用固態微波功率源技術。CVD技術是一種關鍵的制備技術,它通過氣相反應直接在襯底上生長薄膜,是許多重要材料的制備技術之一。而固態微波功率源則是CVD設備重要組成部分。研究院的固態微波功率源,其技術先進,性能優良,可以廣泛應用于化學/物理/電子束氣相沉積和磁控濺射等各領域。該技術的應用前景十分廣闊。在催化反應、材料制備等領域,CVD已是一種通行的制備技術。該技術的優勢不僅在于制備的薄膜質量高,而且操作簡單,可實現大規模制備,制備出的薄膜可廣泛應用于熱電轉換器、光學設備、導電薄膜和光伏電池等領域。研究院在CVD用固態微波功率源技術上的研究和應用,將極大地推動該技術的發展并擴大其應用范圍。研究院的技術實力,豐富的經驗以及創新精神,將為該行業的進一步發展奠定堅實的基礎。 芯谷高頻研究院太赫茲測試能力,可以測試至400GHz的各類元器件、MMIC電路及模塊的散射參數測試和器件建模。河北太赫茲器件及電路芯片開發

南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司晶片加工尺寸覆蓋不規則片、3寸晶圓片以及4寸晶圓片。重慶石墨烯器件及電路芯片開發

南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司對外提供異質集成技術開發服務,公司擁有完善的表面處理、鍵合、轉印、粘片、減薄、CMP、腐蝕等工藝技術,具有豐富的材料、器件、電路異質異構集成經驗,在集成技術服務方面,可為客戶提供定制化集成方案設計和集成工藝開發,在集成芯片制造方面,為客戶提供定制化集成器件和芯片制造,異質異構集成技術通過不同材料、器件、工藝和功能的有機融合,是后摩爾時代微電子持續發展的重要途徑之一。重慶石墨烯器件及電路芯片開發

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