南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司公共技術服務平臺可為客戶提供芯片測試服務。在微波測試、直流測試、光電測試、微結構表征分析等方面，都能夠提供準確的數據解析。熱特性測試也是研究院的專業領域，研究院通過嚴格的實驗流程和先進的設備，確保結果的準確性。研究院的公共技術服務平臺為客戶提供了一站式的解決方案，滿足了半導體領域不同芯片的測試需求。研究院的目標是通過持續創新和技術服務的不斷提升，為客戶提供更加優良的服務，為推動芯片技術的發展貢獻力量。南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司擁有先進的硅基氮化鎵產品開發技術。重慶碳納米管器件及電路芯片流片

南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司對外提供異質異構集成技術服務，可進行以下先進集成材料制備和研發：1)單晶AlN、LiNbO3壓電薄膜異質晶圓，用于SAW、BAW、XBAR等高性能射頻濾波器；2)厚膜LiNbO3、薄膜LiNbO3異質晶圓，用于低損耗光學平臺；3)AlGaAs-on-insulator，絕緣體上AlGaAs晶圓，用于光量子器件等新一代片上光源平臺；4)Miro-Cavity-SOI，內嵌微腔的絕緣體上Si晶圓，用于環柵GAA，MEMS等器件平臺；5)SionSiC/Diamond，解決傳統Si襯底功率器件散熱低的瓶頸；6)GaNonSiC，解決自支撐GaN襯底高性能器件散熱低的瓶頸；7)支持特定襯底功能薄膜材料異質晶圓定制研發。黑龍江金剛石器件及電路芯片設計南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司公共技術服務平臺可以提供微組裝服務。

南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司對外提供光電器件及電路技術開發。研究院擁有先進的光電器件及電路制備工藝，能夠為客戶提供定制化的技術開發方案和工藝加工服務。公司致力于研發光電集成芯片，以應對新體制微波光子雷達和光通信等領域的發展需求。在此領域，光芯片、器件與模塊將為通信網絡和物聯網等應用提供強有力的支撐。無論是在技術研發上，還是在工藝制備上，研究院都秉持著高標準和嚴謹精神。通過不斷創新和努力奮斗，研究院將不斷提升產品質量和技術水平，以滿足客戶的需求。

南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司對外提供大功率GaN微波/毫米波/太赫茲二極管技術開發服務，該系列大功率GaN微波毫米波太赫茲二極管器件產品具有耐功率、高速等優勢，工作頻率涵蓋1GHz~300GHz，截止頻率達600GHz；可用于接收端的大功率限幅，提高抗干擾能力；可用于無線輸能或遠距離無線充電，可大幅提高整流功率和效率，實現裝置的小型化；用于太赫茲系統，可提高太赫茲固態源輸出功率，實現太赫茲源小型化，為6G通信等未來應用奠定基礎。南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司對外提供大功率GaN微波/毫米波/太赫茲二極管技術開發服務。

南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司的高功率密度熱源產品由熱源管芯和熱源集成外殼組成，并采用了先進的厚金技術。熱源管芯的背面可以與任意熱沉進行金錫等焊料集成，也滿足與外殼集成后，在任意熱沉進行機械集成。這種靈活的設計使得熱源可以根據客戶的要求進行定制，尺寸可以進行調整。這款高功率密度熱源產品適用于微系統或微電子領域的熱管、微流以及新型材料的散熱技術開發。同時，它還可以對熱管理技術進行定量的表征和評估。公司可以根據客戶的需求，設計和開發各種熱源微結構及其功率密度。這款產品不僅具有高功率密度，還具有良好的可定制性和適應性。芯谷高頻研究院的太赫茲測試能力，能夠實現高達500GHz的電路功率測試和噪聲測試。青海熱源芯片流片

南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司對外提供異質異構集成技術服務。重慶碳納米管器件及電路芯片流片

南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司的CVD用固態微波功率源產品具有以下特點：采用第三代氮化鎵半導體，具有高頻率一致性和穩定性, 且具有集成度高，尺寸小、壽命高等特性；可直接與各類射頻CVD設備直接集成，應用于金剛石等材料的生長；可設計與研制不同工作模式的氮化鎵基固態微波功率源，滿足各類射頻CVD設備對高可靠、高集成、高微波特性的技術需求，提升CVD設備的穩定性；主要用于各類射頻CVD設備，為其提供微波功率，可擴展應用為微波消毒、微波醫療等領域；本公司可依據客戶要求進行各類微波功率大小和功率頻率的設計與開發，相對傳統微波功率源具有性能高、穩定性好的特性。重慶碳納米管器件及電路芯片流片