南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司對外提供Si基GaN微波毫米波器件與芯片技術開發服務，該芯片相對于Si LDMOS，具有工作頻率高、功率大、體積小等優勢；相對于傳統SiC基GaN芯片，具備低成本、高密度集成、大尺寸等優勢；適應于C、Ka、W等主流波段的攻放、開關、低噪放等芯片；南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司可提供定制化的Si基GaN射頻器件和電路芯片研制與代工服務；該芯片可用于5G通信基站、高效能源、汽車雷達、手機終端、人工智能等領域。芯谷高頻研究院可提供6英寸及以下晶圓鍵合服務，并具備介質、熱壓、共晶、膠粘等鍵合能力，鍵合精度達2um。氮化鎵開發

南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司可提供創新的大功率氮化鎵微波毫米波/太赫茲產品開發服務，這些產品具備優良的特性，包括耐功率和高速性能，能大幅提高整流功率和效率。公司專注于高頻器件領域的研發與創新，致力于提供可靠、高效的解決方案，為客戶帶來良好的體驗。研究院的研發團隊經驗豐富，技術造詣深厚，能夠深入理解客戶的需求，并根據需求量身定制解決方案，為客戶提供先進的氮化鎵微波毫米波/太赫茲產品。隨著無線通信和雷達技術的迅猛發展，大功率氮化鎵微波毫米波/太赫茲產品在各個領域都得到應用。公司致力于推動這一領域的創新與發展，以滿足客戶不斷變化的需求。公司提供的產品具備創新性、高性能，能夠用于通信、航空航天、醫療等領域，為客戶帶來更多商業價值。公司深知客戶的需求是公司的動力，公司會持續研發創新產品，提供技術咨詢、解決方案和全程技術支持，以滿足客戶的需求。江西熱源器件及電路芯片工藝技術服務芯谷高頻研究院高功率密度熱源產品可根據客戶需求設計出色的散熱效能和優異的熱管理能力。

南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司提供定制化的SBD太赫茲集成電路芯片技術開發服務。作為一家專業的高科技企業，研究院擁有先進的技術和研發團隊，致力于為客戶提供高質量的解決方案。無論是在設計、制造還是測試階段，公司都能夠為客戶提供支持和協助，確保產品達到較好的性能。定制化的SBD太赫茲集成電路芯片是南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院的業務之一。公司擁有豐富的經驗和專業知識，可以根據客戶的需求和要求，為其量身定制一款符合其特定應用場景的芯片。無論是在頻率范圍、功率輸出還是尺寸設計方面，南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院都能夠根據客戶的要求進行調整，以滿足客戶的特殊需求。

南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司對外提供異質集成技術開發服務，公司擁有完善的表面處理、鍵合、轉印、粘片、減薄、CMP、腐蝕等工藝技術，具有豐富的材料、器件、電路異質異構集成經驗，在集成技術服務方面，可為客戶提供定制化集成方案設計和集成工藝開發，在集成芯片制造方面，為客戶提供定制化集成器件和芯片制造，異質異構集成技術通過不同材料、器件、工藝和功能的有機融合，是后摩爾時代微電子持續發展的重要途徑之一。芯谷高頻研究院太赫茲測試能力，可以測試至400GHz的各類元器件、MMIC電路及模塊的散射參數測試和器件建模。

南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司公共技術服務平臺的微組裝服務可以滿足客戶的不同需求。無論是小尺寸的電子元件還是微型機械器件，平臺都能夠提供精確、高效的組裝解決方案。南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司公共技術服務平臺作為一家專業的技術服務機構，致力于為客戶提供優良的微組裝服務。通過其專業團隊和先進設備的支持，平臺能夠滿足不同領域和行業的需求，為客戶提供精確、高效的解決方案。平臺將竭誠為客戶提供服務，助力其在市場中取得更大的競爭優勢。南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司對外提供Si基GaN微波毫米波器件與芯片技術開發服務。硅基氮化鎵工藝技術服務

芯谷高頻研究院可以對外提供光電芯片測試服務，包括光電集成芯片在片耦合測試、集成微波光子芯片測試等。氮化鎵開發

南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司公共技術服務平臺設備齊全，具備優良的半導體芯片研發條件。公司旨在為客戶提供技術支持和服務，以滿足不斷發展的市場需求。公司不僅具備設備齊全的優勢，還在芯片研發方面擁有非常好的人才、場地等條件。通過不斷創新和自主研發，南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院旨在為客戶提供高性能的芯片產品。通過公共技術服務平臺，公司將不斷提升服務水平和技術能力，為客戶提供更加可靠的技術支持，以滿足客戶多樣化的需求。南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院將以專業的態度與客戶合作，共同推動行業的發展，實現共贏。氮化鎵開發