南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司公共技術服務平臺，除了提供專業技術服務外，還具備較強的微組裝能力。微組裝技術是一種高精度、高復雜度的工藝技術，要求深厚的技術功底和專業的設備支持。公司憑借專業的技術團隊和先進的設備，為客戶提供高效的微組裝服務。微組裝技術在電子、醫療、光學和機械等領域均有應用，這些領域對材料性能和組件精確度有極高要求。公司的技術團隊經驗豐富、技術精湛，具備深厚的技術功底和豐富的實踐經驗。同時，公司引進先進的微組裝設備，確保產品質量與生產效率。選擇中電芯谷，您將獲得專業、高效、可靠的微組裝服務，公司竭誠為您服務，共同推動相關領域的技術進步和應用發展。芯谷高頻研究院提供定制化GaAs/InP SBD太赫茲集成電路芯片技術開發服務，該芯片電路工作頻段達到1.5THz。山東太赫茲器件及電路芯片測試

南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司對外提供大功率GaN微波/毫米波/太赫茲二極管技術開發服務，該系列大功率GaN微波毫米波太赫茲二極管器件產品具有耐功率、高速等優勢，工作頻率涵蓋1GHz~300GHz，截止頻率達600GHz；可用于接收端的大功率限幅，提高抗干擾能力；可用于無線輸能或遠距離無線充電，可大幅提高整流功率和效率，實現裝置的小型化；用于太赫茲系統，可提高太赫茲固態源輸出功率，實現太赫茲源小型化，為6G通信等未來應用奠定基礎。光電開發芯谷高頻研究院的熱物性測試儀產品可滿足4英寸量級尺寸以下的任意形狀、任意厚度的高導熱材料熱物性測試。

    南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司具備先進的CVD用固態微波功率源技術。CVD技術是一種關鍵的制備技術，它通過氣相反應直接在襯底上生長薄膜，是許多重要材料的制備技術之一。而固態微波功率源則是CVD設備重要組成部分。研究院的固態微波功率源，其技術先進，性能優良，可以廣泛應用于化學/物理/電子束氣相沉積和磁控濺射等各領域。該技術的應用前景十分廣闊。在催化反應、材料制備等領域，CVD已是一種通行的制備技術。該技術的優勢不僅在于制備的薄膜質量高，而且操作簡單，可實現大規模制備，制備出的薄膜可廣泛應用于熱電轉換器、光學設備、導電薄膜和光伏電池等領域。研究院在CVD用固態微波功率源技術上的研究和應用，將極大地推動該技術的發展并擴大其應用范圍。研究院的技術實力，豐富的經驗以及創新精神，將為該行業的進一步發展奠定堅實的基礎。

南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司公共技術服務平臺設備齊全，具備優良的半導體芯片研發條件。公司旨在為客戶提供技術支持和服務，以滿足不斷發展的市場需求。公司不僅具備設備齊全的優勢，還在芯片研發方面擁有非常好的人才、場地等條件。通過不斷創新和自主研發，南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院旨在為客戶提供高性能的芯片產品。通過公共技術服務平臺，公司將不斷提升服務水平和技術能力，為客戶提供更加可靠的技術支持，以滿足客戶多樣化的需求。南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院將以專業的態度與客戶合作，共同推動行業的發展，實現共贏。芯谷高頻研究院可提供6英寸及以下晶圓鍵合服務，并具備介質、熱壓、共晶、膠粘等鍵合能力，鍵合精度達2um。

南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司的公共技術服務平臺為客戶提供專業的芯片測試服務。在微波測試、直流測試、光電測試以及微結構表征分析等方面，公司都能提供專業的數據解析，確保測試結果的可靠性。此外，公司還專注于熱特性測試，通過嚴格的實驗流程和先進的設備，確保測試結果的準確性。公司的公共技術服務平臺致力于為客戶提供一站式解決方案，滿足各種芯片在半導體領域的測試需求。公司的目標是通過持續的技術創新和服務提升，為客戶提供更專業的服務，為推動芯片技術的發展做出積極貢獻。南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司對外提供InGaAs太赫茲零偏SBD技術開發服務。硅基氮化鎵芯片測試

南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司對外提供GaAs太赫茲SBD管芯技術開發服務。山東太赫茲器件及電路芯片測試

南京中電芯谷科技產業園熱烈歡迎各上下游企業入駐，共同打造高科技產業集群。作為園區重點企業，南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司在高頻器件領域擁有多項重要技術和成果，并積極尋求與上下游企業的合作與交流。公司相信，通過產業鏈的協同創新，將為整個產業帶來更多機遇和發展空間。南京中電芯谷科技產業園是一個現代化產業園區，擁有完備的基礎設施和專業的服務團隊，致力于支持企業創新與發展。作為園區的重要組成部分，南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司專注于高頻器件的研發，并期待與更多上下游企業攜手合作，共同推動產業鏈的完善與創新。讓我們共同邁向更美好的未來。山東太赫茲器件及電路芯片測試