南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司專注于大功率GaN微波/毫米波/太赫茲二極管技術開發，為客戶提供專業的服務。該系列大功率GaN微波毫米波太赫茲二極管器件以其耐功率、高速等優勢脫穎而出，其工作頻率覆蓋較廣，從1GHz延伸至300GHz，甚至達到600GHz的截止頻率。這些二極管器件在接收端的大功率限幅中表現出色，顯著提高了抗干擾能力。在無線輸能或遠距離無線充電應用中，它們能夠大幅提高整流功率和效率，從而實現裝置的小型化。在太赫茲系統中，這些二極管器件同樣發揮了關鍵作用。它們能夠提高太赫茲固態源的輸出功率，從而實現太赫茲源的小型化。這一突破性的技術為6G通信等未來應用奠定了堅實的基礎。總之，南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司憑借其在GaN微波/毫米波/太赫茲二極管技術領域的專業知識和豐富經驗，致力于為客戶提供高效、可靠的技術解決方案。芯谷高頻研究院的CVD用固態微波功率源產品可依據客戶要求進行各類微波功率大小和功率頻率的設計與開發。北京石墨烯器件及電路芯片開發

南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司，作為一家專注于高頻器件研發的機構，致力于推動產業的發展與創新。公司擁有強大的技術實力和豐富的行業經驗，能夠為上下游企業提供專業的支持與協助。公司的研發團隊具備先進的研發設備和儀器，以及專業的技術人才，能夠解決各種復雜的技術問題。公司不僅在產品設計與研發方面具有較強優勢，同時在生產與制造、市場與營銷等方面也擁有豐富的經驗。公司積極與高校和科研機構展開合作，進行技術交流與合作，共同探索高頻器件產業技術的前沿。通過產學研相結合的方式，公司為企業提供更多的創新動力和發展空間，助力企業實現跨越式發展。未來，公司將繼續致力于技術創新，為高頻器件產業的持續發展注入新的活力和動力。中電芯谷誠摯邀請各上下游企業加入我們，共同謀求發展和進步，為行業帶來更多的創新和機遇。江西異質異構集成芯片工藝定制開發南京中電芯谷高頻器件研究院具備先進的半導體器件及電路的加工流片能力，具備獨具創新的技術和研發能力。

南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司提供InGaAs太赫茲零偏SBD技術開發服務，該芯片具備低勢壘高度與高截止頻率的特點，支持零偏壓毫米波、太赫茲混頻、檢波電路的應用。這有助于降低電路噪聲、提高電路動態范圍，并簡化系統架構。在太赫茲安檢和探測等應用場景中，零偏太赫茲檢波模塊扮演著至關重要的角色。南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司致力于為客戶提供專業的技術解決方案，涵蓋整個技術開發周期，包括需求分析、方案設計以及器件制造等各個環節。

南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司專注于散熱技術和熱管理解決方案的研發，為客戶提供高效、可靠的高功率密度熱源產品。公司根據客戶需求量身定制，確保產品的散熱性能和熱管理能力達到客戶要求。這些高功率密度熱源產品的推出，為微系統和微電子領域的發展帶來了新的機遇和可能性。通過提升設備的性能和效能，公司為客戶創造了更多的商業價值。同時，中電芯谷也致力于推動整個行業的進步和創新，與客戶共同邁向更美好的未來。芯谷高頻研究院自主研發的太赫茲固態器件及單片集成電路，頻率覆蓋包括140GHz、220GHz、300GHz、340GHz等。

南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院的公共技術服務平臺為客戶提供專業的芯片制造技術服務。該平臺擁有先進的設備和專業的團隊，通過多種工藝流程，包括光刻、金屬化、高溫處理和鍵合等，為客戶提供技術支持，助力客戶實現芯片從設計到制造的全過程。其優勢在于為客戶提供高效、準確和定制化的服務，滿足客戶在工藝選擇、設備操作和技術咨詢等方面的需求。從技術咨詢到流片調試和產品測試，該研究院都能為客戶提供專業的技術服務。芯谷高頻研究院的高功率密度熱源產品適用于微系統或微電子領域的熱管、微流以及新型材料的散熱技術開發。湖南碳納米管器件及電路芯片流片

芯谷高頻研究院可提供6英寸及以下晶圓鍵合服務，并具備介質、熱壓、共晶、膠粘等鍵合能力，鍵合精度達2um。北京石墨烯器件及電路芯片開發

南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司致力于為客戶提供專業的異質集成工藝服務。在晶圓鍵合方面，提供6英寸及以下的超高真空鍵合、表面活化鍵合、聚合物鍵合、熱壓鍵合、共晶鍵合等多種類型的晶圓及非標準片鍵合服務，確保晶圓間的緊密結合。在襯底減薄方面，提供Si、SiC、GaN、GaAs、InP、LiNbO3、石英等多種材料的襯底減薄服務，以滿足不同應用場景的需求。在表面平坦化方面，提供Si、SiC、GaN、GaAs、InP、LiNbO3、石英等多種材料的表面亞納米級精細拋光服務，確保材料表面的平滑度和精度。公司的多種異質集成技術服務，包括超高真空鍵合、襯底減薄和表面平坦化等，均基于先進的技術和設備，旨在滿足客戶的各種不同需求。公司憑借豐富的經驗和技術實力，為客戶提供定制化的解決方案，助力客戶在異質集成工藝領域取得突出成果。北京石墨烯器件及電路芯片開發