在團隊的共同努力下，南京中電芯谷在太赫茲芯片研發領域取得了令人矚目的成就，成功研發出了一系列技術、性能的太赫茲芯片產品。這些產品不僅在國內市場占據了一席之地，更在國際舞臺上展現了中國科技的實力與風采，贏得了業界的普遍贊譽。在追求技術創新的同時，南京中電芯谷還高度重視與外界的合作與交流。公司與國內外眾多企業、高校及研究機構建立了穩固的合作關系，通過資源共享、優勢互補，共同推動太赫茲芯片技術的快速發展。此外，公司還積極參與國內外各類學術交流活動，與業界同仁共話未來，分享經驗，攜手并進，共同為太赫茲芯片技術的進步貢獻力量。芯片技術的不斷創新和發展，將深刻影響人類社會的生產生活方式，塑造一個更加美好的未來。硅基氮化鎵器件工藝定制開發

南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司研發的高功率密度熱源產品具有獨特的優勢。該產品由熱源管芯和熱源集成外殼組成，采用了先進的厚金技術。熱源管芯的背面可以與任意熱沉進行金錫等焊料集成，同時滿足與外殼集成后，在任意熱沉進行機械集成。這種靈活的設計使得熱源可以根據客戶的要求進行定制，尺寸也可以根據需要進行調整。這款高功率密度熱源產品適用于微系統或微電子領域的熱管、微流以及新型材料的散熱技術開發。此外，它還可以用于對熱管理技術進行定量的表征和評估。根據客戶的需求，公司能夠設計和開發各種熱源微結構及其功率密度。這款高功率密度熱源產品不僅具有高功率密度的特點，還具有良好的可定制性和適應性。它的出色性能使其在微系統或微電子領域中具有較廣的應用前景。石墨烯電路芯片流片芯谷高頻研究院的高功率密度熱源產品適用于微系統或微電子領域的熱管、微流以及新型材料的散熱技術開發。

南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司公共技術服務平臺在背面工藝方面，擁有鍵合機、拋光臺、磨片機等，可以進行晶片的減薄、拋光以及劃片工藝。公司公共技術服務平臺支持晶圓鍵合工藝，可以支持6英寸及以下晶圓的鍵合，并具備介質、熱壓、共晶、膠粘等鍵合能力，鍵合精度達到2um。鍵合工藝可以將不同的晶圓材料組合在一起，從而制造出具有更高性能的芯片。憑借研究院的技術實力和專業的服務團隊，公共技術服務平臺將為客戶提供更加優良的技術服務，不斷創新晶圓鍵合工藝，助力高科技產業的發展。

南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司是國內擁有先進太赫茲測試能力的機構之一。公司具備專業的測試能力和豐富的經驗，可以高效、準確地測試各類元器件、MMIC電路及模塊的散射參數，測試頻率覆蓋至400GHz，并提供器件建模服務。此外，公司還能進行高達500GHz的電路功率測試和噪聲測試，充分展現在太赫茲測試領域的實力。公司始終堅持創新和研發，不斷突破技術邊界，為客戶提供更加專業、高質量的服務。作為高頻器件產業的重要一環，公司積極為整個行業的發展貢獻力量。未來，南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司將繼續致力于太赫茲測試技術的創新和應用，不斷推動整個行業的進步和發展，為實現更大的技術突破做出更大的貢獻。南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司作為一家新型研發機構，熱情歡迎上下游企業入駐園區。

南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司對外提供定制化GaAs/InP SBD太赫茲集成電路芯片技術開發服務，該芯片電路工作頻段達到1.5THz；適用于工作頻率0.5THz以上、集成度要求高的太赫茲混頻、倍頻應用。本公司提供定制化薄膜型SBD集成電路設計與加工服務，GaAs薄膜型SBD集成電路是目前主流的技術解決方案。研究院可根據客戶需求進行定制化開發，可應用于太赫茲混頻、倍頻、檢波等技術方向。南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司將不斷提高研發水平，為客戶提供更好的服務。芯片技術的進步推動了人工智能和機器學習領域的發展，為智能設備的智能化提供了強大支持。遼寧光電器件及電路器件及電路芯片流片

芯片在音視頻處理領域的應用，如高清電視、數字音響等，提高了音視頻的質量和傳輸效率。硅基氮化鎵器件工藝定制開發

    針對傳統Si襯底功率器件散熱性能不足的問題，南京中電芯谷成功研發了SionSiC/Diamond材料，這一突破性成果為高功率、高頻率應用提供了理想的散熱解決方案，明顯提升了電子器件的穩定性和可靠性。此外，GaNonSiC材料的問世，更是解決了自支撐GaN襯底高性能器件散熱受限的難題，為高溫、高功率環境下的電子器件設計提供了新的可能，進一步拓寬了GaN材料的應用領域。值得一提的是，南京中電芯谷還提供支持特定襯底功能薄膜材料的異質晶圓定制研發服務，這一舉措不僅滿足了客戶多樣化的需求，更為公司贏得了普遍的市場認可與好評。公司將繼續秉承創新驅動發展的理念，不斷探索與突破，為異質異構集成技術的未來發展貢獻更多力量。 硅基氮化鎵器件工藝定制開發