采用此技術(shù)方案,有助于減少**基準(zhǔn)塊和第二基準(zhǔn)塊的變形。作為推薦,所述抓數(shù)治具的表面粗糙度設(shè)置在。采用此技術(shù)方案,表面光滑便于使用,以提升半導(dǎo)體零件的抓數(shù)精度。本實(shí)用新型的有益效果是:設(shè)計(jì)新穎,結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、合理,能夠通過(guò)設(shè)置的**基準(zhǔn)面和第二基準(zhǔn)面定位半導(dǎo)體零件的位置,并通過(guò)設(shè)置的圓弧基準(zhǔn)臺(tái)的切邊抓取半導(dǎo)體零件的倒角以及崩口的尺寸,以剔除不良的半導(dǎo)體零件;且同一治具上設(shè)置有多個(gè)抓數(shù)治具,有助于批量檢測(cè)。上述說(shuō)明*是本實(shí)用新型技術(shù)方案的概述,為了能夠更清楚了解本實(shí)用新型的技術(shù)手段,并可依照說(shuō)明書的內(nèi)容予以實(shí)施,以下以本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例并配合附圖詳細(xì)說(shuō)明。本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式由以下實(shí)施例及其附圖詳細(xì)給出。附圖說(shuō)明此處所說(shuō)明的附圖用來(lái)提供對(duì)本實(shí)用新型的進(jìn)一步理解,構(gòu)成本申請(qǐng)的一部分,本實(shí)用新型的示意性實(shí)施例及其說(shuō)明用于解釋本實(shí)用新型,并不構(gòu)成對(duì)本實(shí)用新型的不當(dāng)限定。在附圖中:圖1為本實(shí)用新型涉及的抓數(shù)治具示意圖;圖2為本實(shí)用新型涉及的抓數(shù)治具排列示意圖;圖3為本實(shí)用新型涉及的半導(dǎo)體零件與抓數(shù)治具的連接示意圖。圖中標(biāo)號(hào)說(shuō)明:抓數(shù)治具1,**基準(zhǔn)塊2,第二基準(zhǔn)塊3,**基準(zhǔn)面4,第二基準(zhǔn)面5。為您的 CNC 銑削部件提供可制造性設(shè)計(jì)反饋。安徽PE半導(dǎo)體與電子工程塑料零件定制加工24小時(shí)服務(wù)
從而能夠緩解定位平面311兩側(cè)的應(yīng)力集中現(xiàn)象,提高了驅(qū)動(dòng)軸3和驅(qū)動(dòng)襯套2上應(yīng)力分布的均勻性。并且,在本實(shí)施例中,兩圓柱面312與驅(qū)動(dòng)襯套2套孔中的相應(yīng)圓柱面相配合,能夠?qū)崿F(xiàn)定位平面311的精確定位,保證定位平面311與驅(qū)動(dòng)襯套2套孔中的平面緊密貼合,避免平面之間的空隙導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)軸3和驅(qū)動(dòng)襯套2在傳動(dòng)過(guò)程中相互碰撞、磨損。此外,兩定位平面311以驅(qū)動(dòng)軸3的軸線為對(duì)稱中心對(duì)稱設(shè)置,使得驅(qū)動(dòng)軸3與驅(qū)動(dòng)襯套2通過(guò)平面?zhèn)鲃?dòng)時(shí)受到的力矩也是中心對(duì)稱的,避免了驅(qū)動(dòng)襯套2與驅(qū)動(dòng)軸3的軸線之間發(fā)生偏移,保證了定位精度。為提高工藝盤組件結(jié)構(gòu)的整體強(qiáng)度,推薦地,如圖6所示,驅(qū)動(dòng)襯套2包括相互連接的***襯套部210和第二襯套部220,***襯套部210和第二襯套部220沿工藝盤轉(zhuǎn)軸1的軸線方向排列,第二襯套部220位于***襯套部210朝向驅(qū)動(dòng)軸體部320的一側(cè),驅(qū)動(dòng)襯套2的套孔包括形成在***襯套部210中的驅(qū)動(dòng)通孔211和形成在第二襯套部220中的軸通孔221,驅(qū)動(dòng)通孔211與驅(qū)動(dòng)連接部310匹配;***襯套部210的外徑小于第二襯套部220的外徑,定位凸起222形成在第二襯套部220的外壁上,且第二襯套部220與工藝盤轉(zhuǎn)軸1的安裝孔相配合。在本實(shí)用新型的實(shí)施例中。北京環(huán)保半導(dǎo)體與電子工程塑料零件定制加工加工件既滿足了晶圓低污染加工的嚴(yán)格要求,又是低成本的解決方案。
本實(shí)用新型涉及治具領(lǐng)域,尤其涉及一種針對(duì)半導(dǎo)體零件的抓數(shù)治具。背景技術(shù):半導(dǎo)體零件即半導(dǎo)體晶體,晶體是脆性的,加工過(guò)程中會(huì)在邊緣形成碎石塊似的崩碎。如有較大應(yīng)力加載到晶體的解理方向上,會(huì)造成很大的崩碎面積,破壞中間已加工好的表面。因此,在加工端面前,應(yīng)對(duì)半導(dǎo)體晶體進(jìn)行端面邊緣的倒角,使得在加工端面時(shí),不容易產(chǎn)生破壞性的崩口。然而,在實(shí)際加工時(shí),大部分的晶體多多少少的會(huì)發(fā)生不影響晶體性能的輕微崩口,以及極少部分會(huì)發(fā)生破壞性的崩口,為了防止破壞后的晶體被繼續(xù)使用,因此,我們需要制作一個(gè)治具,用于檢測(cè)晶體的崩口尺寸,將破壞嚴(yán)重的晶體剔除。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:本實(shí)用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)存在的以上問(wèn)題,提供一種針對(duì)半導(dǎo)體零件的抓數(shù)治具,本實(shí)用新型設(shè)計(jì)新穎,結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、合理,能夠通過(guò)設(shè)置的**基準(zhǔn)面和第二基準(zhǔn)面定位半導(dǎo)體零件的位置,并通過(guò)設(shè)置的圓弧基準(zhǔn)臺(tái)的切邊抓取半導(dǎo)體零件的倒角以及崩口的尺寸,以剔除不良的半導(dǎo)體零件。為實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)目的,達(dá)到上述技術(shù)效果,本實(shí)用新型通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn):一種針對(duì)半導(dǎo)體零件的抓數(shù)治具,包括抓數(shù)治具,所述抓數(shù)治具包括設(shè)置的**基準(zhǔn)塊以及與**基準(zhǔn)塊垂直連接的第二基準(zhǔn)塊。
傳統(tǒng)的制備方法中將金屬元素的氧化物直接與碳化硅微粉及分散劑、粘結(jié)劑等混合,能夠使金屬元素的分布更均勻,不會(huì)出現(xiàn)聚集區(qū)域,對(duì)力學(xué)性能的提升效果也更好。一實(shí)施方式的碳化硅陶瓷,由上述實(shí)施方式的碳化硅陶瓷的制備方法制備得到。一實(shí)施方式的半導(dǎo)體零件,由上述實(shí)施方式的碳化硅陶瓷加工處理得到。上述半導(dǎo)體零件由反應(yīng)燒結(jié)碳化硅材料制成。具體地,上述半導(dǎo)體零件的形狀為非標(biāo)。具體地,半導(dǎo)體零件的形狀可以為板狀、柱狀、環(huán)狀或其他不規(guī)則形狀。在其中一個(gè)實(shí)施例中,半導(dǎo)體零件為吸盤底座、晶圓承載盤、半導(dǎo)體用機(jī)械手臂或異形件密封圈。可以理解,在其他實(shí)施例中,半導(dǎo)體零件不限于上述零件,還可以為其他零件。以下為具體實(shí)施例部分:實(shí)施例1本實(shí)施例的碳化硅陶瓷的制備過(guò)程具體如下:(1)以氧化鑭與碳化硅微粉的質(zhì)量比為∶100,得到氯化鑭與碳化硅微粉的質(zhì)量比為∶100,然后將氯化鑭溶解在水和酒精的混合溶液中,溶解完全后加入***分散劑丙烯酸銨,然后加入粒徑為μm的碳化硅微粉,攪拌均勻,得到***漿料。在冰浴條件下加入與***漿料的質(zhì)量比為,攪拌均勻得第二漿料。將第二漿料在閉式噴霧塔中噴霧,得到表面覆蓋有氧化鑭的碳化硅顆粒。CNC加工半導(dǎo)體零件可縮短周轉(zhuǎn)時(shí)間并減少浪費(fèi),避免增加成本。
對(duì)比例1對(duì)比例1的碳化硅陶瓷的制備過(guò)程與實(shí)施例2的碳化硅陶瓷的制備過(guò)程相似,區(qū)別在于:對(duì)比例1中不含有步驟(5)和步驟(6)。對(duì)比例2對(duì)比例2的碳化硅陶瓷的制備過(guò)程與實(shí)施例2的碳化硅陶瓷的制備過(guò)程相似,區(qū)別在于:步驟(5)為:將排膠后的***預(yù)制坯升溫至300℃,加入第二碳源酚醛樹脂,加熱2h,然后抽真空1h,降溫得到第二預(yù)制坯。對(duì)比例3對(duì)比例3的碳化硅陶瓷的制備過(guò)程與實(shí)施例2的碳化硅陶瓷的制備過(guò)程相似,區(qū)別在于:步驟(5)中,壓力為8mpa。對(duì)比例4對(duì)比例4的碳化硅陶瓷的制備過(guò)程與實(shí)施例2的碳化硅陶瓷的制備過(guò)程相似,區(qū)別在于:步驟(1)為:將氧化釔溶解在水和酒精的混合溶液中,氧化釔與碳化硅微粉的質(zhì)量比為3∶100,溶解完全后加入分散劑四甲基氫氧化銨,然后加入碳化硅微粉,攪拌均勻,得到預(yù)處理顆粒。對(duì)比例5對(duì)比例5的碳化硅陶瓷的制備過(guò)程與實(shí)施例2的碳化硅陶瓷的制備過(guò)程相似,區(qū)別在于:不含有步驟(1)。對(duì)比例6對(duì)比例6的碳化硅陶瓷的制備過(guò)程與實(shí)施例2的碳化硅陶瓷的制備過(guò)程相似,區(qū)別在于:步驟(1)中,氧化釔與碳化硅微粉的質(zhì)量比為6∶100。對(duì)比例7對(duì)比例7的碳化硅陶瓷的制備過(guò)程與實(shí)施例2的碳化硅陶瓷的制備過(guò)程相似,區(qū)別在于:步驟。***的材料選擇、工程支持和測(cè)試能力。天津PC半導(dǎo)體與電子工程塑料零件定制加工要求
我們的材料經(jīng)過(guò)大量的測(cè)試,能夠在苛刻的化學(xué)條件下,甚至是特殊的熱條件下使用。安徽PE半導(dǎo)體與電子工程塑料零件定制加工24小時(shí)服務(wù)
自然界中的物質(zhì),根據(jù)其導(dǎo)電性能的差異可劃分為導(dǎo)電性能良好的導(dǎo)體(如銀、銅、鐵等)、幾乎不能導(dǎo)電的絕緣體(如橡膠、陶瓷、塑料等)和半導(dǎo)體(如鍺、硅、砷化鎵等)。半導(dǎo)體是導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的一種物質(zhì)。它的導(dǎo)電能力會(huì)隨溫度、光照及摻入雜質(zhì)的不同而***變化,特別是摻雜可以改變半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力和導(dǎo)電類型,這是其***應(yīng)用于制造各種電子元器件和集成電路的基本依據(jù)。半導(dǎo)體材料的特點(diǎn)半導(dǎo)體材料是一類具有半導(dǎo)體性能,用來(lái)制作半導(dǎo)體器件的電子材料。常用的重要半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理是通過(guò)電子和空穴這兩種載流子來(lái)實(shí)現(xiàn)的,因此相應(yīng)的有N型和P型之分。半導(dǎo)體材料通常具有一定的禁帶寬度,其電特性易受外界條件(如光照、溫度等)的影響。不同導(dǎo)電類型的材料是通過(guò)摻入特定雜質(zhì)來(lái)制備的。雜質(zhì)(特別是重金屬快擴(kuò)散雜質(zhì)和深能級(jí)雜質(zhì))對(duì)材料性能的影響尤大。因此,半導(dǎo)體材料應(yīng)具有很高的純度,這就不僅要求用來(lái)生產(chǎn)半導(dǎo)體材料的原材料應(yīng)具有相當(dāng)高的純度,而且還要求超凈的生產(chǎn)環(huán)境,以期將生產(chǎn)過(guò)程的雜質(zhì)污染減至**小。半導(dǎo)體材料大部分都是晶體,半導(dǎo)體器件對(duì)于材料的晶體完整性有較高的要求。此外,對(duì)于材料的各種電學(xué)參數(shù)的均勻性也有嚴(yán)格的要求。安徽PE半導(dǎo)體與電子工程塑料零件定制加工24小時(shí)服務(wù)
朗泰克新材料技術(shù)(蘇州)股份有限公司成立于2022-02-21年,在此之前我們已在塑料加工,塑料機(jī)械加工,絕緣材料加工,尼龍加工行業(yè)中有了多年的生產(chǎn)和服務(wù)經(jīng)驗(yàn),深受經(jīng)銷商和客戶的好評(píng)。我們從一個(gè)名不見經(jīng)傳的小公司,慢慢的適應(yīng)了市場(chǎng)的需求,得到了越來(lái)越多的客戶認(rèn)可。公司主要經(jīng)營(yíng)塑料加工,塑料機(jī)械加工,絕緣材料加工,尼龍加工等產(chǎn)品,我們依托高素質(zhì)的技術(shù)人員和銷售隊(duì)伍,本著誠(chéng)信經(jīng)營(yíng)、理解客戶需求為經(jīng)營(yíng)原則,公司通過(guò)良好的信譽(yù)和周到的售前、售后服務(wù),贏得用戶的信賴和支持。公司秉承以人為本,科技創(chuàng)新,市場(chǎng)先導(dǎo),和諧共贏的理念,建立一支由塑料加工,塑料機(jī)械加工,絕緣材料加工,尼龍加工**組成的顧問(wèn)團(tuán)隊(duì),由經(jīng)驗(yàn)豐富的技術(shù)人員組成的研發(fā)和應(yīng)用團(tuán)隊(duì)。朗泰克新材料技術(shù)(蘇州)股份有限公司依托多年來(lái)完善的服務(wù)經(jīng)驗(yàn)、良好的服務(wù)隊(duì)伍、完善的服務(wù)網(wǎng)絡(luò)和強(qiáng)大的合作伙伴,目前已經(jīng)得到橡塑行業(yè)內(nèi)客戶認(rèn)可和支持,并贏得長(zhǎng)期合作伙伴的信賴。