本實用新型涉及治具領域，尤其涉及一種針對半導體零件的抓數治具。背景技術：半導體零件即半導體晶體，晶體是脆性的，加工過程中會在邊緣形成碎石塊似的崩碎。如有較大應力加載到晶體的解理方向上，會造成很大的崩碎面積，破壞中間已加工好的表面。因此，在加工端面前，應對半導體晶體進行端面邊緣的倒角，使得在加工端面時，不容易產生破壞性的崩口。然而，在實際加工時，大部分的晶體多多少少的會發生不影響晶體性能的輕微崩口，以及極少部分會發生破壞性的崩口，為了防止破壞后的晶體被繼續使用，因此，我們需要制作一個治具，用于檢測晶體的崩口尺寸，將破壞嚴重的晶體剔除。技術實現要素：本實用新型的目的在于克服現有技術存在的以上問題，提供一種針對半導體零件的抓數治具，本實用新型設計新穎，結構簡單、合理，能夠通過設置的**基準面和第二基準面定位半導體零件的位置，并通過設置的圓弧基準臺的切邊抓取半導體零件的倒角以及崩口的尺寸，以剔除不良的半導體零件。為實現上述技術目的，達到上述技術效果，本實用新型通過以下技術方案實現：一種針對半導體零件的抓數治具，包括抓數治具，所述抓數治具包括設置的**基準塊以及與**基準塊垂直連接的第二基準塊。我們材料加工完更平整、不易變形。北京HIPS半導體與電子工程塑料零件定制加工推薦廠家

    所述***襯套部的外徑小于所述第二襯套部的外徑，所述定位凸起形成在所述第二襯套部的外壁上，且所述第二襯套部與所述工藝盤轉軸的安裝孔相配合。推薦地，所述工藝盤組件還包括傳動筒，所述驅動軸和所述驅動襯套設置在所述傳動筒內，且所述驅動軸背離所述工藝盤轉軸的一端與所述傳動筒固定連接，所述傳動筒用于帶動所述驅動軸轉動。推薦地，所述工藝盤組件還包括密封襯套，所述密封襯套環繞設置在所述傳動筒的外壁上；所述工藝盤組件還包括擋環，所述傳動筒的外壁上形成有擋環槽，所述擋環環繞所述傳動筒設置在所述擋環槽中，所述擋環的外徑大于所述密封襯套朝向所述工藝盤一端的內徑。推薦地，所述工藝盤組件還包括調平件，所述傳動筒的內壁上形成有內凸臺結構，所述內凸臺結構環繞傳動筒的內壁設置，所述調平件與所述驅動軸固定連接，且沿軸線方向分別設置在所述內凸臺結構的兩側，以將所述內凸臺結構夾持在所述調平件與所述驅動軸之間，所述調平件能夠調整其自身與所述傳動筒之間的角度。推薦地，所述驅動軸與所述工藝盤轉軸中至少一者的材料為奧氏體不銹鋼。作為本實用新型的第二個方面，還提供一種半導體設備，包括工藝腔和工藝盤組件，其中。江西HDPE半導體與電子工程塑料零件定制加工隔音嗎機加工能力，支持仿真系統NPI應用發展。

    所述第二基準塊與**基準塊一體成型；所述**基準塊的一側設置有**基準面，所述第二基準塊上設置有第二基準面，所述第二基準面垂直于**基準面，所述**基準面和第二基準面的連接處設置有與**基準塊和第二基準塊連接的圓弧避讓槽；所述**基準塊和第二基準塊遠離圓弧避讓槽的一側設置有圓弧基準臺，所述圓弧基準臺的圓心位于**基準面與第二基準面的連接處。采用此技術方案，設置的**基準面和第二基準面有助于半導體零件的貼合；設置的圓弧避讓槽不*有助于抓數治具的加工，而且有助于半導體零件的貼合；設置的圓弧基準臺有助于通過圓弧的切邊抓數以計算或抓取半導體零件的尺寸以及導角的尺寸。作為推薦，所示抓數治具還設置有底座，所示底座上均勻排列有四個或四個以上抓數治具；四個或四個以上所述的抓數治具其**基準面或第二基準面在同一直線上。采用此技術方案，以便于批量檢測抓數。作為推薦，所述圓弧基準臺的半經設置在1mm的倍數。采用此技術方案，便于測量以及計算。作為推薦，所述抓數治具的長度設置在40-60mm，寬度設置在30-50mm。采用此技術方案，尺寸小，便于使用，以及保存。作為推薦，所述**基準塊的寬度和第二基準塊的寬度一致，其寬度設置在8-12mm。

    得到排膠后的***預制坯。(5)將排膠后的***預制坯升溫至300℃，加入第二碳源酚醛樹脂，加熱2h，然后抽真空1h，再以氮氣加壓至5mpa，進行壓力浸滲，讓高含碳液體滲入預制坯的孔隙中，降溫得到第二預制坯。(6)將第二預制坯放置于真空排膠爐中，以每分鐘℃的速度升溫至900℃，保溫3h，排膠后，機加工得到排膠后的第二預制坯。(7)將排膠后的第二預制坯和硅粉按質量比為1∶2在石墨坩堝中混合，然后放置于真空高溫燒結爐中進行反應燒結，燒結溫度為1600℃，保溫時間為3h，冷卻后，得到碳化硅陶瓷。實施例3本實施例的碳化硅陶瓷的制備過程具體如下：(1)以氧化鈰與碳化硅微粉的質量比為5∶100，得到氯化鈰與碳化硅微粉的質量比為，然后將氯化鈰溶解在水和酒精的混合溶液中，溶解完全后加入***分散劑丙烯酸銨與丙烯酸鈉的混合物，然后加入粒徑為10μm的碳化硅微粉，攪拌均勻，得到***漿料。在冰浴條件下加入與***漿料的質量比為∶1的環氧丙烷，攪拌均勻得第二漿料。將第二漿料在閉式噴霧塔中噴霧，得到表面覆蓋有氧化鈰的碳化硅顆粒。然后將碳化硅顆粒在真空條件、900℃下進行熱處理1h，得到預處理顆粒。(2)將第二分散劑丙烯酸銨與丙烯酸鈉的混合物溶解在水中形成溶液。耐溫、耐磨、可高效加工的高比強材料用于此領域。

    然后加壓至3mpa～7mpa，得到第二預制坯；及將所述第二預制坯和硅粉進行反應燒結，得到碳化硅陶瓷。在其中一個實施例中，所述將所述***預制坯與第二碳源混合加熱的步驟中，加熱的溫度為280℃～340℃，加熱時間為1h～3h。在其中一個實施例中，所述第二預制坯與所述硅粉的質量比為1∶(～)；及/或，所述將所述第二預制坯和硅粉進行反應燒結的步驟中，燒結的溫度為1400℃～1800℃，時間為1h～5h。在其中一個實施例中，所述將碳化硅微粉、金屬元素的氯化物、環氧丙烷、***分散劑及***溶劑混合并在真空條件、700℃～900℃下進行加熱處理的步驟包括：將所述金屬元素的氯化物、所述***分散劑、所述***溶劑及所述碳化硅微粉混合，得到***漿料；在冰浴條件下，將所述***漿料與所述環氧丙烷混合，得到第二漿料，且所述環氧丙烷與所述***漿料的質量比為(～)∶1；將所述第二漿料進行噴霧，然后在真空條件、700℃～900℃下進行加熱處理，得到所述預處理顆粒。在其中一個實施例中，所述將所述金屬元素的氯化物、所述***分散劑、所述***溶劑及所述碳化硅微粉混合的步驟中，所述金屬元素的氯化物的加入量按金屬元素的氧化物的質量為所述碳化硅微粉的質量的％～％計算得到；及/或。工程塑料,絕緣材料板機加工零件。河北環保半導體與電子工程塑料零件定制加工品牌排行榜

因此具有更佳的設計 能力和用自動化的更高可行性。北京HIPS半導體與電子工程塑料零件定制加工推薦廠家

    冷卻后，得到碳化硅陶瓷。實施例2本實施例的碳化硅陶瓷的制備過程具體如下：(1)以氧化釔與碳化硅微粉的質量比為3∶100，得到氯化釔與碳化硅微粉的質量比為∶100，然后將氯化釔溶解在水和酒精的混合溶液中，溶解完全后加入***分散劑聚乙烯醇縮丁醛，然后加入粒徑為5μm碳化硅微粉，攪拌均勻，得到***漿料。在冰浴條件下加入與***漿料的質量比為∶1的環氧丙烷，攪拌均勻得第二漿料。將第二漿料在閉式噴霧塔中噴霧，得到表面覆蓋有氧化釔的碳化硅顆粒。然后將碳化硅顆粒在真空條件、800℃下進行熱處理，得到預處理顆粒。(2)將第二分散劑聚乙烯吡咯烷酮溶解在水中形成溶液，將***碳源炭黑和預處理顆粒在該溶液中均勻分散，再將粘接劑羧甲基纖維素鈉加入其中，進行球磨，球磨過程中的轉速為200轉/分，球磨時間為3h，得到第三漿料，將第三漿料在噴霧造粒塔中噴霧，得到平均尺寸為120微米的造粒粉。(3)將造粒粉均勻填滿模具，進行模壓成型，成型壓強為120mpa，保壓時間為50s，脫模，然后置入真空包裝袋中，抽真空，再置于等靜壓機中等靜壓成型，成型壓力為300mpa，保壓時間為120s，得到***預制坯。(4)將***預制坯放置于真空排膠爐中，以每分鐘℃的速度升溫至900℃，保溫3h。北京HIPS半導體與電子工程塑料零件定制加工推薦廠家

朗泰克新材料技術（蘇州）股份有限公司主要經營范圍是橡塑，擁有一支專業技術團隊和良好的市場口碑。公司業務分為塑料加工，塑料機械加工，絕緣材料加工，尼龍加工等，目前不斷進行創新和服務改進，為客戶提供良好的產品和服務。公司將不斷增強企業重點競爭力，努力學習行業知識，遵守行業規范，植根于橡塑行業的發展。朗泰克新材料秉承“客戶為尊、服務為榮、創意為先、技術為實”的經營理念，全力打造公司的重點競爭力。