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工業(yè)遠(yuǎn)程以太網(wǎng)I/O數(shù)據(jù)采集模塊內(nèi)嵌32位高性能微處理器MCU,集成1個(gè)工業(yè)級(jí)10/100M自適應(yīng)以太網(wǎng)接口支持標(biāo)準(zhǔn)的Modbus協(xié)議,可輕松地實(shí)現(xiàn)與第三方SCADA軟件、PLC、HMI設(shè)備整合應(yīng)用。自帶一路RS485接口使其具備良好的擴(kuò)展性,可通過RS485總線級(jí)聯(lián)標(biāo)準(zhǔn)的ModbusRTUI/O設(shè)備,以實(shí)現(xiàn)各種數(shù)字量、模擬量、熱電阻IO模塊的組合,節(jié)省成本。同時(shí),本設(shè)備具有叢機(jī)寄存器映射的功能,叢機(jī)的數(shù)據(jù)均自動(dòng)采集到本機(jī)的映射存儲(chǔ)區(qū),上位機(jī)查詢時(shí)無需等待便可快速響應(yīng),滿足了工業(yè)現(xiàn)場苛刻及時(shí)性功能需求。將現(xiàn)場由傳感器檢測而產(chǎn)生的連續(xù)的模擬量信號(hào)轉(zhuǎn)換成PLC的CPU可以接收的數(shù)字量。金山區(qū)銷售模擬量輸出/輸入模塊3WL11062NG664GA4ZK07R21T40
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由于本實(shí)施例的框架120的柱體124穿過底板130a的彎折部132a而位于背光組件140a的開口143a與第二開口145a內(nèi),且柱體124的底面125抵接至反射片146。藉此,背光組件140a所發(fā)出的光可被柱體124的延伸部124b及底板130a的彎折部132a遮擋,可避免從底板130a與背光組件140a之間的縫隙漏光。此外,由于本實(shí)施例的反射片146在對(duì)應(yīng)抵接于柱體124的位置是沒有開口或是破孔,因此可以避免產(chǎn)生漏光的問題。值得一提的是,于上述的實(shí)施例中,底板130a的彎折部132a是朝向背光組件140a的方向彎折,意即向下抽芽,但不以此為限。于其他未繪示的實(shí)施例中,底板的彎折部亦可朝向框體的方向彎折,意即,底板的彎折部可向上抽芽,而柱體穿過彎折部而位于遮光片的開口與導(dǎo)光板的第二開口內(nèi),此仍屬于本發(fā)明所欲保護(hù)的范圍。在此必須說明的是,下述實(shí)施例沿用前述實(shí)施例的元件標(biāo)號(hào)與部分內(nèi)容,其中采用相同的標(biāo)號(hào)來表示相同或近似的元件,并且省略了相同技術(shù)內(nèi)容的說明。關(guān)于省略部分的說明可參考前述實(shí)施例,下述實(shí)施例不再重復(fù)贅述。圖3為本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種底板的立體示意圖。請(qǐng)同時(shí)參考圖2c以及圖3,本實(shí)施例的底板130b與圖2c的底板130a相似。
自動(dòng)降溫至室溫,模塊燒結(jié)固化完成?;谏鲜瞿K,可以構(gòu)造能夠提供較大發(fā)電量的熱電發(fā)電系統(tǒng)。將若干個(gè)熱電π模塊以串聯(lián)的形式釬焊連接到一塊導(dǎo)熱板上。在熱電模塊串聯(lián)電路中,若有一處不能良好連接,勢必影響整個(gè)串聯(lián)電路的正常工作。為避免這一問題,方便將連接不佳的部位找出并替換,本實(shí)施例中采用先制作3個(gè)π模塊串聯(lián)的組件,然后再由若干個(gè)3π模塊組件串聯(lián)。如此若整個(gè)串聯(lián)電路中有導(dǎo)電不良的位置,只替換該3π模塊組件即可,不必破壞整個(gè)釬焊連接電路。3π模塊組件的制備方法如下:4-1:在上下兩塊氧化鋁導(dǎo)熱板上如圖6所示畫出需要涂抹銀漿的部分,上方圓形、方形陰影面積部分與下方圓形、方形陰影面積部分分別對(duì)應(yīng)重疊;4-2:將若干金屬絲網(wǎng)(本發(fā)明中使用銅網(wǎng))剪成與步驟4-1中涂抹銀漿面積相同的形狀備用;4-3:將銀漿均勻涂抹在步驟4-1畫出的區(qū)域中;4-4:將裁剪成對(duì)應(yīng)形狀的金屬絲網(wǎng)放置在步驟4-3中涂抹的區(qū)域上,在金屬絲網(wǎng)上再涂抹一層銀漿;4-5:將三個(gè)圓柱形N型氧化物和三個(gè)長方形P型氧化物組件一端置于涂抹銀漿后的金屬絲網(wǎng)區(qū)域上,另一端覆蓋第二片布置好銀漿和金屬絲網(wǎng)的氧化鋁導(dǎo)熱片。要按照步驟4-1中的對(duì)應(yīng)位置放好,壓實(shí)。在工廠成品打包工段,打包機(jī)每打好一包成品,發(fā)出一個(gè)信號(hào),輸入到計(jì)算機(jī)進(jìn)行統(tǒng)計(jì)。
當(dāng)高溫端溫度達(dá)到960℃時(shí),15mm模塊兩端的溫差可以達(dá)到630℃。對(duì)于1kW電爐,當(dāng)高溫端溫度達(dá)到800℃時(shí),15mm模塊兩端的溫差也可以達(dá)到340℃。由圖中數(shù)據(jù)說明,熱源因?yàn)楣崴俾实牟煌?,在一定時(shí)間內(nèi)會(huì)影響模塊組件兩端的溫差。大功率的熱源會(huì)在一定時(shí)間內(nèi)在模塊兩端建立較大的溫差,小功率的熱源在相同時(shí)間內(nèi)只能建立較小的溫差。但是,試驗(yàn)中,即便是1kW電爐在模塊兩端產(chǎn)生的340℃溫差,對(duì)于目前常用的合金熱電模塊來講也是很大的。至于2kW電爐提供的630℃溫差,在目前已有的其他氧化物模塊報(bào)道中,也是較大的。圖2(a)、圖2(b)所示為4個(gè)3π模塊組件串聯(lián)后的輸出電壓隨溫差的變化規(guī)律。4個(gè)3π模塊組件每兩個(gè)分為一組,分配到兩個(gè)不同功率的電爐上。由上文可知,兩組模塊兩端的溫差不同,因此兩組模塊的輸出電壓也不同。由圖中可以看到,對(duì)于分配在兩個(gè)電爐上的4個(gè)3π模塊組件,隨著熱電發(fā)電模塊兩端溫差不斷升高,模塊兩端的輸出電壓也逐漸增加。每兩個(gè)3π模塊組件在各自溫差下都能得到。因此當(dāng)4個(gè)3π模塊組件串聯(lián)后,可以得到較大輸出電壓在。圖3(a)、圖3(b)所示為4個(gè)3π模塊組件串聯(lián)后,其中兩個(gè)3π模塊的輸出功率隨溫差的變化規(guī)律。4個(gè)3π模塊組件每兩個(gè)分為一組。大致分為模擬量輸入/輸出模塊,高速計(jì)數(shù)器模塊,定位模塊、旋轉(zhuǎn)角角檢測模塊,通信接口模塊等。廣東**模擬量輸出/輸入模塊3WL11062CB664GA4ZK07R21T40
PLC模擬量輸入模塊 模擬量輸入模塊又稱A/D模塊。金山區(qū)銷售模擬量輸出/輸入模塊3WL11062NG664GA4ZK07R21T40
轉(zhuǎn)換后的八位二進(jìn)制數(shù)據(jù)要占用八個(gè)輸入點(diǎn)定義號(hào),用來把數(shù)據(jù)傳送到CPU。這八個(gè)I/0點(diǎn)是模塊的四個(gè)模擬量通道所采集數(shù)據(jù)的公共通道。為了使CPU能夠區(qū)分正在公共通道上送入的數(shù)據(jù)是來自哪一個(gè)模擬量輸入通道,以便按程序要求送往相應(yīng)的內(nèi)存單元,模塊上又使用了四個(gè)輸入點(diǎn)的定義號(hào)(如上表中的110-113),用來提供這種信息。綜上所述,在模塊和CPU之間,為了傳遞控制信號(hào)及轉(zhuǎn)換后的數(shù)據(jù),加上另一個(gè)未被確定用途的定義號(hào),每個(gè)模塊共要占用16個(gè)I/0定義號(hào)。這樣,CPU就可以通過對(duì)梯形圖上相應(yīng)的I/0定義號(hào)狀態(tài)的掃描,實(shí)現(xiàn)與模塊交換信息。由于其八點(diǎn)的數(shù)據(jù)輸入通道對(duì)四個(gè)模擬量輸入通道而言是共用的,因而每個(gè)掃描周期中的CPU只能從模塊接受一個(gè)通道的轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù),模塊在此期間也對(duì)一個(gè)通道進(jìn)行A/D轉(zhuǎn)換。 金山區(qū)銷售模擬量輸出/輸入模塊3WL11062NG664GA4ZK07R21T40