直流磁控濺射所用的電源是直流高壓電源，通常在300～1000V，特點是濺射速率快，造價低，后期維修保養廉價。可是只能濺射金屬靶材，假如靶材是絕緣體，隨著濺射的深化，靶材會聚集很多的電荷，導致濺射無法持續。因而關于金屬靶材通常用直流磁控濺射，因為造價廉價，結構簡略，目前在工業上使用普遍。脈沖磁控濺射是采用脈沖電源或者直流電源與脈沖生成裝置配合，輸出脈沖電流驅動磁控濺射沉積。一般使用矩形波電壓，既容易獲得又有利于研究濺射放電等離子體的變化過程。工作模式與中頻濺射。磁控濺射是由二極濺射基礎上發展而來。廣州磁控濺射哪家有

磁控濺射的優點：（1）操作易控。鍍膜過程，只要保持工作壓強、電功率等濺射條件相對穩定，就能獲得比較穩定的沉積速率。（2）沉積速率高。在沉積大部分的金屬薄膜，尤其是沉積高熔點的金屬和氧化物薄膜時，如濺射鎢、鋁薄膜和反應濺射TiO2、ZrO2薄膜，具有很高的沉積率。（3）基板低溫性。相對二極濺射或者熱蒸發，磁控濺射對基板加熱少了，這一點對實現織物的上濺射相當有利。（4）膜的牢固性好。濺射薄膜與基板有著極好的附著力，機械強度也得到了改善。安徽真空磁控濺射實驗室磁控濺射的優點：膜的牢固性好。

影響磁控濺射鍍膜結果的因素：1、濺射功率的影響,在基體和涂層材料確定的情況下,工藝參數的選擇對于涂層生長速率和涂層質量都有很大的影響.其中濺射功率的設定對這兩方面都有極大的影響.2、氣壓的影響,磁控濺射是在低氣壓下進行高速濺射,為此需要提高氣體的離化率,使氣體形成等離子體.在保證濺射功率固定的情況下,分析氣壓對于磁控濺射的影響。磁控濺射鍍膜的產品優點：1、幾乎所有材料都可以通過磁控濺射沉積,而不論其熔化溫度如何;2、可以根據基材和涂層的要求縮放光源并將其放置在腔室中的任何位置;3、可以沉積合金和化合物的薄膜,同時保持與原始材料相似的組成。

為了解決陰極濺射的缺陷，人們在20世紀70年代的時候開發出了直流磁控濺射技術，它有效地克服了陰極濺射速率低和電子使基片溫度升高的弱點，因而獲得了迅速發展和普遍應用。其原理是：在磁控濺射中，由于運動電子在磁場中受到洛侖茲力，它們的運動軌跡會發生彎曲甚至產生螺旋運動，其運動路徑變長，因而增加了與工作氣體分子碰撞的次數，使等離子體密度增大，從而磁控濺射速率得到很大的提高，而且可以在較低的濺射電壓和氣壓下工作，降低薄膜污染的傾向；另一方面也提高了入射到襯底表面的原子的能量，因而可以在很大程度上改善薄膜的質量。同時，經過多次碰撞而喪失能量的電子到達陽極時，已變成低能電子，從而不會使基片過熱。因此磁控濺射法具有“高速”、“低溫”的優點。該方法的缺點是不能制備絕緣體膜，而且磁控電極中采用的不均勻磁場會使靶材產生明顯的不均勻刻蝕，導致靶材利用率低，一般只為20%-30%。磁控濺射包括很多種類，各有不同工作原理和應用對象。

磁控濺射技術發展過程中各項技術的突破一般集中在等離子體的產生以及對等離子體進行的控制等方面。通過對電磁場、溫度場和空間不同種類粒子分布參數的控制，使膜層質量和屬性滿足各行業的要求。膜厚均勻性與磁控濺射靶的工作狀態息息相關，如靶的刻蝕狀態，靶的電磁場設汁等，因此，為保證膜厚均勻性，國外的薄膜制備公司或鍍膜設備制造公司都有各自的關于鍍膜設備(包括中心部件“靶”)的整套設計方案。同時，還有很多專門從事靶的分析、設計和制造的公司，并開發相關的應用設計軟件，根據客戶的要求對設備進行優化設計。國內在鍍膜設備的分析及設計方面與國際先進水平之間還存在較大差距。磁控濺射在技術上可以分為直流(DC)磁控濺射、中頻(MF)磁控濺射、射頻(RF)磁控濺射。貴州高溫磁控濺射工藝

真空磁控濺射鍍膜技術所鍍玻璃多用于建筑玻璃和汽車玻璃這兩大用處。廣州磁控濺射哪家有

磁控濺射方法可用于制備多種材料,如金屬、半導體、絕緣子等。它具有設備簡單、易于控制、涂覆面積大、附著力強等優點.磁控濺射發展至今，除了上述一般濺射方法的優點外，還實現了高速、低溫、低損傷。磁控濺射鍍膜常見領域應用：1.各種功能薄膜：如具有吸收、透射、反射、折射、偏振等功能.例如，在低溫下沉積氮化硅減反射膜以提高太陽能電池的光電轉換效率.2.微電子：可作為非熱鍍膜技術，主要用于化學氣相沉積(CVD).3.裝飾領域的應用：如各種全反射膜和半透明膜；比如手機殼、鼠標等.廣州磁控濺射哪家有