微納加工MEMS器件設計：根據(jù)客戶需求，初步確定材料、工藝、和技術路線，并出具示意圖。版圖設計：在器件設計的基礎上，將客戶需求細化，并轉化成版圖設計。工藝設計：設計具體的工藝路線和實現(xiàn)路徑，生產(chǎn)工藝流程圖等技術要求。工藝流片：根據(jù)工藝設計和版圖設計，小批量試樣驗證。批量生產(chǎn)：在工藝流片的基礎上，進行批量驗證生產(chǎn)。MEMS微型傳感器及微機械結構圖：微納加工技術是先進制造的重要組成部分，是衡量國家高質(zhì)量的制造業(yè)水平的標志之一，具有多學科交叉性和制造要素極端性的特點，在推動科技進步、促進產(chǎn)業(yè)發(fā)展、拉動科技進步、保障**安全等方面都發(fā)揮著關鍵作用。微納加工技術的基本手段包括微納加工方法與材料科學方法兩種。很顯然，微納加工技術與微電子工藝技術有密切關系。大部份的濕刻蝕液均是各向同性的，換言之，對刻蝕接觸點之任何方向腐蝕速度并無明顯差異。云浮半導體微納加工

微納加工技術的特點：（1）微電子化：采用MEMS工藝，可以把不同功能、不同敏感方向或致動方向的多個傳感器或執(zhí)行器集成于一體，或形成微傳感陣列、微執(zhí)行器陣列甚至把多種功能的器件集成在一起，形成復雜的微系統(tǒng)。微傳感器、微執(zhí)行器和微電子器件的集成可制造出可靠性、穩(wěn)定性比較高的微電子機械系統(tǒng)。（2）MEMS技術適合批量生產(chǎn)：用硅微加工工藝在同一硅片上同時可制造出成百上千微型機電裝置或完整的MEMS，批量生產(chǎn)可較大降低生產(chǎn)成本。（3）多學科交叉：MEMS涉及電子、機械、材料、制造、信息與自動控制、物理、化學和生物等多學科，并集約當今科學發(fā)展的許多成果。云浮半導體微納加工光刻膠是微納加工中微細圖形加工的關鍵材料之一。

基于掩模板圖形傳遞的光刻工藝可制作宏觀尺寸的微細結構，受光學衍射的極限，*適用于微米以上尺度的微細結構制作，部分優(yōu)化的光刻工藝可能具有亞微米的加工能力。例如，接觸式光刻的分辨率可能到達0.5μm，采用深紫外曝光光源可能實現(xiàn)0.1μm。但利用這種光刻技術實現(xiàn)宏觀面積的納米/亞微米圖形結構的制作是可欲而不可求的。近年來，國內(nèi)外比較多學者相繼提出了超衍射極限光刻技術、周期減小光刻技術等，力求通過曝光光刻技術實現(xiàn)大面積的亞微米結構制作，但這類新型的光刻技術尚處于實驗室研究階段。

微納制造技術的發(fā)展現(xiàn)狀與發(fā)展趨勢統(tǒng)和其他綜合系統(tǒng)；納米生物學等。另一方面，微納技術的應用領域也得到了比較大拓展。到目前為止。微納技術已經(jīng)被普遍應用于****和民用產(chǎn)品。較主要的應用如納米級機械加工、電子束和離子束加微納技術一般指微米、納米級Ａ技術、掃描隧道顯微加工技術等。100nm）的材料、設計、制造、測量、控我國微納制造技術發(fā)展現(xiàn)狀制和產(chǎn)品的研究、加工、制造以及應用技由于受到基礎裝備、工藝技術、科研術。在基礎科研以及制造行業(yè)中，微納制經(jīng)費、行業(yè)基礎等多方面因素的影響。我造技術的研究從其誕生之初就一直牢據(jù)行國的微納制造技術的研究與世界先進水平業(yè)的杰出位置。微納制造技術，尤其是以聚合物為加工對象的微納制造技術在創(chuàng)新應用中正變得越來越重要。

飛秒激光微納加工類型飛秒激光微納加工的類型可以分為激光燒蝕微加工以及雙光子聚合加工。激光燒蝕微加工利用其本身獨特的性質(zhì)使材料瞬間蒸發(fā)，而不經(jīng)歷熔化過程，具有優(yōu)良的加工特性。雙光子聚合加工三維微納結構時利用飛秒激光聚焦點上發(fā)生的雙光子吸收效應，獲得比衍射極限還要小的光響應，可以在多種材料上進行微納米尺度的加工。對波長特定的激光來說，材料可分為吸收材料和透明材料。飛秒激光對于這些材料的作用機理都不相同。由于自由電子大量存在的緣故，金屬具有良好的導熱性和導電性。透明材料原本不會吸收這一波段，但是由于飛秒激光可以產(chǎn)生極高的光強，它使材料實現(xiàn)對激光的非線性吸收。微納加工按技術分類，主要分為平面工藝、探針工藝、模型工藝。云浮半導體微納加工

我造技術的研究從其誕生之初就一直牢據(jù)行國的微納制造技術的研究與世界先進水平業(yè)的杰出位置。云浮半導體微納加工

    微納加工-薄膜沉積與摻雜工藝。在微納加工過程中，薄膜的形成方法主要為物理沉積、化學沉積和混合方法沉積。蒸發(fā)沉積（熱蒸發(fā)、電子束蒸發(fā)）和濺射沉積是典型的物理方法，主要用于沉積金屬單質(zhì)薄膜、合金薄膜、化合物等。熱蒸發(fā)是在高真空下，利用電阻加熱至材料的熔化溫度，使其蒸發(fā)至基底表面形成薄膜，而電子束蒸發(fā)為使用電子束加熱；磁控濺射在高真空，在電場的作用下，Ar氣被電離為Ar離子高能量轟擊靶材，使靶材發(fā)生濺射并沉積于基底；磁控濺射方法沉積的薄膜純度高、致密性好，熱蒸發(fā)主要用于沉積低熔點金屬薄膜或者厚膜；化學氣相沉積（CVD）是典型的化學方法而等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）是物理與化學相結合的混合方法，CVD和PECVD用于生長氮化硅、氧化硅等介質(zhì)膜。真空蒸鍍，簡稱蒸鍍，是指在真空條件下，采用一定的加熱蒸發(fā)方式蒸發(fā)鍍膜材料（或稱膜料）并使之氣化，粒子飛至基片表面凝聚成膜的工藝方法。蒸鍍是使用較早、用途較廣的氣相沉積技術，具有成膜方法簡單、薄膜純度和致密性高、膜結構和性能獨特等優(yōu)點。 云浮半導體微納加工